请问单端反激RCC电路设计在DCM模式时,B值该怎么选定?

单端反激RCC电路,设计在DCM模式时,B值究竟该选用B值怎么选定,是选ΔB还是选Bmax,看了论坛上很多单端反激或都是RCC的文章,众说纷纭.我们在实际小功率(5W以下)设计时,算出来的匝数总是很大,就是跟这个B的有关系;另外还有一个问题,RCC是不是一定要设计在DCM模式,能否设计到CCM模式,这时的B值又该怎么选.请名位大侠进来讨论一下.

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power-pp

LV.7

2005-10-18 14:50

RCC的电源工作在临界模式下,B值你可以取到0.3,还有就是在调试的时候可以看看你的变压器是否会进入饱和.
样机做好了之后用示波器测试低端时开关管电流波形,再根据⊿Bs=Ip*Lp/Np*Ae,算出来的值不大于3500即可,因为PC40材质的磁芯在120度时的Bs是3500.

xx3310

LV.3

2005-10-18 18:21

@power-pp

RCC的电源工作在临界模式下,B值你可以取到0.3,还有就是在调试的时候可以看看你的变压器是否会进入饱和.样机做好了之后用示波器测试低端时开关管电流波形,再根据⊿Bs=Ip*Lp/Np*Ae,算出来的值不大于3500即可,因为PC40材质的磁芯在120度时的Bs是3500.

谢谢POWER PP,我求NP的时候就是用的NP＝LP*IP/AE*ΔB,或者是用NP＝Vindcmim*TON/AE*ΔB这二个公式求出的NP,但是每次都会出现小功率时(5W以下)初级匝数过多的情况,什么原因.另外,验证ΔB是不是用低压滿载时实测的电流值代入ΔB＝LP*IP/NP*AE这个公式,看ΔB是否会超过3500GS.请再次解答一次.

xx3310

LV.3

2005-10-19 08:34

@xx3310

谢谢POWERPP,我求NP的时候就是用的NP＝LP*IP/AE*ΔB,或者是用NP＝Vindcmim*TON/AE*ΔB这二个公式求出的NP,但是每次都会出现小功率时(5W以下)初级匝数过多的情况,什么原因.另外,验证ΔB是不是用低压滿载时实测的电流值代入ΔB＝LP*IP/NP*AE这个公式,看ΔB是否会超过3500GS.请再次解答一次.

RCC的单端反激电路在设计时,有没有设计成CCM模式的?