功率12KW,DC-DC电源.输入DC300V-600V,输出要求DC330V,查阅了些资料包括论坛里面的资料,自己采用了全桥结构,管子用的是150A的IGBT,变压器变比为1:1.2,驱动频率为20K,316J驱动,死区约3uS,想通过同时改变上下桥的占空比来实现升降压.现在发现的问题是在升压阶段也就是占空比较大的时候,管子的工作温度正常约50度左右.随着输入电压的升高,占空比减小到占空比30%的时候,IGBT的温度就急剧上升到危险区域.
后来为了进行对比,将下桥占空比固定50%不变,单独调整上桥的占空比,效果稍微好些,上桥占空比到20%的时候管子的温度也会急剧上升.
这种状况造效率急剧下降.变压器做过150%的带载实验,线圈温度和磁芯温度正常.
请教各位高手,我的主电路拓扑这种方案可行否?还是控制方式有问题,想改成移相控制不知道效果好些不?还有就是如果这种拓扑方案是不合理的,这个功率级别的采取哪种主电路拓扑比教好?
自己感觉降频率可能会有些效果.频率变了变压器线圈也得变,害怕发热受不了.要求只能用风冷.
IGBT的吸收电路用了最简单的C缓冲电路 如下图所示.
由于自己刚涉足电源方面,有些东西说的还不是很明白,各位还需要什么信息,请告之,我会及时补充.
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500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/84/320401261062346.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">