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米勒效应问题

 

如图为反激式开关MOS的驱动波形,即Vgs。在到达开启电压之后,Vgs有个下掉的过程,不知这段过程是什么原因形成的?米勒效应不是说是个平台么,怎么在这会出现下调,希望高手给与解惑,Tks!

 
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lhf0902
LV.4
2
2010-01-15 15:50

这同样是米勒效应. 不一定是很直的平台.跟你开关管的电容有关.

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hk2007
LV.8
3
2010-01-15 16:10
@lhf0902
这同样是米勒效应.不一定是很直的平台.跟你开关管的电容有关.

谢谢。我理解的下掉原因为:此处为米勒效应区(mos 处于放大区),米勒电容等效到输入端Cgs会放大N倍。当驱动电流给Cgs充电时,由于Cgs突然增大,导致了充电电压的下降。不知道对不对?

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lhf0902
LV.4
4
2010-01-15 16:54
@hk2007
谢谢。我理解的下掉原因为:此处为米勒效应区(mos处于放大区),米勒电容等效到输入端Cgs会放大N倍。当驱动电流给Cgs充电时,由于Cgs突然增大,导致了充电电压的下降。不知道对不对?

可以这么理解

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hk2007
LV.8
5
2010-01-18 10:33
@lhf0902
可以这么理解

请问:1.MOS的开启电压怎么量测,是开始有漏极电流还是Vds开始下降对应的Vgs?

         2.MOS的米勒效应又是从哪一段开始呢?

期盼赐教,TKS!

mos 

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bxo5014
LV.3
6
2010-01-18 17:50
@lhf0902
这同样是米勒效应.不一定是很直的平台.跟你开关管的电容有关.
对,尤其是MOSFET管
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2010-01-18 18:23
如果Vgs有个下掉的过程,说明驱动能力不足,或RG阻值太大,或供电电压较高,开关慢,开关损耗大。如果是个平台,说明驱动能力还可以。
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fate_sky
LV.1
8
2010-05-12 16:44

此时MOS管漏极电压Vds开始下降,由于Cgd的存在,电容两端电压不能突变,漏极电压的下降把门极电压也拉低,也就是说的米勒效用,此时驱动电流要对Cgd充电。增加驱动的串联电阻,让开关放慢,你就会发现是平台,而不是掉下来的。仅仅个人见解。

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2010-08-01 21:47
@fate_sky
此时MOS管漏极电压Vds开始下降,由于Cgd的存在,电容两端电压不能突变,漏极电压的下降把门极电压也拉低,也就是说的米勒效用,此时驱动电流要对Cgd充电。增加驱动的串联电阻,让开关放慢,你就会发现是平台,而不是掉下来的。仅仅个人见解。
你有实际解决过?增加G的电阻?只是表面的解决,米勒效应可以用零电压开通 减少这种效应
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nk6108
LV.8
10
2011-01-06 13:53
@belief0909
你有实际解决过?增加G的电阻?只是表面的解决,米勒效应可以用零电压开通减少这种效应
ZVS 是透过电容的钳位作用(效果就像渥尔曼架构的共射部份) ,破坏 电压並联负反馈机制 而遏制了 米勒效应 的。
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nk6108
LV.8
11
2011-01-06 13:58
@hk2007
谢谢。我理解的下掉原因为:此处为米勒效应区(mos处于放大区),米勒电容等效到输入端Cgs会放大N倍。当驱动电流给Cgs充电时,由于Cgs突然增大,导致了充电电压的下降。不知道对不对?
Cdg 的「突然」放大,是因为管子的导通阈大于零。
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hlp330
LV.9
12
2011-01-06 14:11
@nk6108
ZVS是透过电容的钳位作用(效果就像渥尔曼架构的共射部份),破坏电压並联负反馈机制而遏制了米勒效应的。

增加驱动的串联电阻?

这样驱动电流岂不是更小了,驱动电压下降的更多了?

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2011-01-06 17:10
@hlp330
增加驱动的串联电阻?这样驱动电流岂不是更小了,驱动电压下降的更多了?
先看看
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dulai1985
LV.10
14
2012-12-13 10:02
@feibingliuabc
先看看
好贴,好学习~~~
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hamburgduo
LV.1
15
2013-01-16 13:32
@dulai1985
好贴,好学习~~~
7贴与8贴矛盾?
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