米勒效应问题

如图为反激式开关MOS的驱动波形，即Vgs。在到达开启电压之后，Vgs有个下掉的过程，不知这段过程是什么原因形成的？米勒效应不是说是个平台么，怎么在这会出现下调，希望高手给与解惑，Tks！

全部回复(14)

只看楼主

正序查看

倒序查看

lhf0902

LV.4

2010-01-15 15:50

这同样是米勒效应. 不一定是很直的平台.跟你开关管的电容有关.

hk2007

LV.8

2010-01-15 16:10

@lhf0902

这同样是米勒效应.不一定是很直的平台.跟你开关管的电容有关.

谢谢。我理解的下掉原因为：此处为米勒效应区（mos 处于放大区），米勒电容等效到输入端Cgs会放大N倍。当驱动电流给Cgs充电时，由于Cgs突然增大，导致了充电电压的下降。不知道对不对？

lhf0902

LV.4

2010-01-15 16:54

@hk2007

谢谢。我理解的下掉原因为：此处为米勒效应区（mos处于放大区），米勒电容等效到输入端Cgs会放大N倍。当驱动电流给Cgs充电时，由于Cgs突然增大，导致了充电电压的下降。不知道对不对？

可以这么理解

hk2007

LV.8

2010-01-18 10:33

@lhf0902

可以这么理解

请问：1.MOS的开启电压怎么量测，是开始有漏极电流还是Vds开始下降对应的Vgs？

2.MOS的米勒效应又是从哪一段开始呢？

期盼赐教，TKS！

mos

bxo5014

LV.3

2010-01-18 17:50

@lhf0902

这同样是米勒效应.不一定是很直的平台.跟你开关管的电容有关.

对，尤其是MOSFET管

世界真奇妙

2010-01-18 18:23

如果Vgs有个下掉的过程，说明驱动能力不足，或RG阻值太大，或供电电压较高，开关慢，开关损耗大。如果是个平台，说明驱动能力还可以。

fate_sky

LV.1

2010-05-12 16:44

此时MOS管漏极电压Vds开始下降，由于Cgd的存在，电容两端电压不能突变，漏极电压的下降把门极电压也拉低，也就是说的米勒效用，此时驱动电流要对Cgd充电。增加驱动的串联电阻，让开关放慢，你就会发现是平台，而不是掉下来的。仅仅个人见解。

belief0909

LV.3

2010-08-01 21:47

@fate_sky

你有实际解决过？增加G的电阻？只是表面的解决，米勒效应可以用零电压开通减少这种效应

nk6108

LV.8

2011-01-06 13:53

@belief0909

你有实际解决过？增加G的电阻？只是表面的解决，米勒效应可以用零电压开通减少这种效应

ZVS 是透过电容的钳位作用(效果就像渥尔曼架构的共射部份) ，破坏电压並联负反馈机制而遏制了米勒效应的。

nk6108

LV.8

2011-01-06 13:58

@hk2007

谢谢。我理解的下掉原因为：此处为米勒效应区（mos处于放大区），米勒电容等效到输入端Cgs会放大N倍。当驱动电流给Cgs充电时，由于Cgs突然增大，导致了充电电压的下降。不知道对不对？

Cdg 的「突然」放大，是因为管子的导通阈大于零。

hlp330

LV.9

2011-01-06 14:11

@nk6108

ZVS是透过电容的钳位作用(效果就像渥尔曼架构的共射部份)，破坏电压並联负反馈机制而遏制了米勒效应的。

增加驱动的串联电阻？

这样驱动电流岂不是更小了，驱动电压下降的更多了?

feibingliuabc

LV.8

2011-01-06 17:10

@hlp330

增加驱动的串联电阻？这样驱动电流岂不是更小了，驱动电压下降的更多了?

先看看

dulai1985

LV.10

2012-12-13 10:02

@feibingliuabc

先看看

好贴，好学习~~~

hamburgduo

LV.1

2013-01-16 13:32

@dulai1985

好贴，好学习~~~

7贴与8贴矛盾？

工程师都在看

【 DigiKey DIY原创大赛】无频闪台灯改装

hellbaron

国巨集团和Microchip高压解决方案，助力打造坚固可靠的电气化系统

电源网-fqd

【深度剖析】带你玩转工业物联网设计，实现安全与效率并重！

电源网-fqd

【 DigiKey DIY原创大赛】基于反激式开关电源的手机充电器设计（四）单板调试篇

砖一谈芯

【 DigiKey DIY原创大赛】无线车辆计数

PYL4869