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求非晶纳米晶磁环做开关变压器的参数---已找到所需的参数

在电源网上，做非晶纳米晶广告的多得密密麻麻，但提供设计方法的却没有。我从刘思凡先生那买来了40-70-20的纳米晶磁环，准备用于大功率开关电源，但不知道初级参数怎么设计，刘先生那里也不能提供技术支持。

 我买来的纳米晶磁环，每匝电感量为64UH，照重庆老铎先生说法：全桥开关电源初级最佳电感量为8-10MH，所以，我在EE65上绕30-32圈，电感量刚好在8-10MH左右。如果以电感量为标准，那么在这个非晶磁环上绕12圈就有10MH左右了。如果象在EE65上那样也绕30-32圈，则电感量高达60多MH。所以，这几天被这东西搞得无所适从，倒底是绕12圈呢，还是绕32圈，请有识之士能提供这方面的帮助，（我的资料是：母线310V，开关频率27K，功率2KW，全桥方案) 。





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huamg
LV.7
2
2010-01-30 13:49
这方面真是一种欠缺。
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beskyboy
LV.3
3
2010-02-06 13:57
我公司倒是可以提供方案，但是各家磁性参数不一样，有兴趣可以找我公司，成都锦尚
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st.you
LV.10
4
2010-02-06 16:03

在双端电源中，变压器初级电感量不能用来作为设计的依据。

只要磁芯在最高输入电压，工作频率下不饱和就行。有公式可以套用的。

非晶跟铁氧体磁芯区别在磁饱和强度和工作频率的高低的不同。可以用设计铁氧体变压器的方法来设计非晶变压器。

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贴片机
LV.8
5
2010-02-07 08:42

依我看,先绕个12圈的试试看...也许就可以的...

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萧山老寿
6
2010-02-07 08:51
@st.you
在双端电源中，变压器初级电感量不能用来作为设计的依据。只要磁芯在最高输入电压，工作频率下不饱和就行。有公式可以套用的。非晶跟铁氧体磁芯区别在磁饱和强度和工作频率的高低的不同。可以用设计铁氧体变压器的方法来设计非晶变压器。
 谢谢各位的关注，非晶纳米晶磁环现在价格也下来了，大家不仿一试。我现在是按EE65的磁芯的数据绕的，初级32T，约每圈10V，经试验，工作情况还好，尖峰比用EE65要小一些，在输出120A时，变压器也不热。
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贴片机
LV.8
7
2010-02-07 08:55
@萧山老寿
 谢谢各位的关注，非晶纳米晶磁环现在价格也下来了，大家不仿一试。我现在是按EE65的磁芯的数据绕的，初级32T，约每圈10V，经试验，工作情况还好，尖峰比用EE65要小一些，在输出120A时，变压器也不热。
也就是说,初级电感量达到了60多mH,一切正常?
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萧山老寿
8
2010-02-07 11:31
@贴片机
也就是说,初级电感量达到了60多mH,一切正常?
是的，应该说还算正常。
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贴片机
LV.8
9
2010-02-07 11:45
@萧山老寿
是的，应该说还算正常。
问一下,你初级32匝,次级绕的多少匝?
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萧山老寿
10
2010-02-07 13:08
@贴片机
问一下,你初级32匝,次级绕的多少匝?
次级2+2
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tvro
11
2010-02-07 13:34
上个图看看
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贴片机
LV.8
12
2010-02-07 15:38
@萧山老寿
次级2+2
不知漏感大不大?
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萧山老寿
13
2010-02-07 17:37
@tvro
上个图看看
http://bbs.dianyuan.com/topic/556547
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sangjuen
LV.8
14
2010-07-02 02:56
@萧山老寿
次级2+2
请问2+2输出是12V吗？
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xzszrs
15
2010-07-02 22:38
不能看电感量的，你还是可以按铁氧体这一套公式里来算，只是B取值可以比铁氧体高很多。比如铁氧体按0.2T取值，非晶应该能取到0.8T以上，具体要看饱和磁通密度，要考虑损耗，温升等因素，最少要有规格书做参考。但有一点相同几何形状，相同尺寸的非晶同频率时功率要大铁氧体好多倍，匝数也少几倍。
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萧山老寿
16
2010-07-03 11:48
@xzszrs
不能看电感量的，你还是可以按铁氧体这一套公式里来算，只是B取值可以比铁氧体高很多。比如铁氧体按0.2T取值，非晶应该能取到0.8T以上，具体要看饱和磁通密度，要考虑损耗，温升等因素，最少要有规格书做参考。但有一点相同几何形状，相同尺寸的非晶同频率时功率要大铁氧体好多倍，匝数也少几倍。

钟工有没有铁氧体的计算公式？

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xinyuan663
LV.3
17
2010-07-13 13:41

非晶环形变压器绕法比较关键，我做的300A/28V输出电源的原边电压和电流波形附件是波形

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萧山老寿
18
2010-07-13 14:52
@xinyuan663
非晶环形变压器绕法比较关键，我做的300A/28V输出电源的原边电压和电流波形附件是波形
xinyuan663兄，你的300A28V，差不多有10KW的功率了，够大了，不知用的是多少规格的非晶环？
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贴片机
LV.8
19
2010-07-13 20:11
@萧山老寿
xinyuan663兄，你的300A28V，差不多有10KW的功率了，够大了，不知用的是多少规格的非晶环？
关注...
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xinyuan663
LV.3
20
2010-07-16 16:53
@萧山老寿
xinyuan663兄，你的300A28V，差不多有10KW的功率了，够大了，不知用的是多少规格的非晶环？

 

用的是120*60*30的磁芯，IGBT做的，频率20K.

上图为半载时变压器原边电压和电流波形

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xinyuan663
LV.3
21
2010-07-21 23:18
@萧山老寿
xinyuan663兄，你的300A28V，差不多有10KW的功率了，够大了，不知用的是多少规格的非晶环？

  

用的是120*60*30的磁芯，IGBT做的，频率20K.

上图为半载时变压器原边电压和电流波形

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萧山老寿
22
2010-07-22 08:55
@xinyuan663
  用的是120*60*30的磁芯，IGBT做的，频率20K.上图为半载时变压器原边电压和电流波形
OK，做得太好了，变压器原边波形堪称完美，不得了，一点尖峰也没有，佩服663兄的工艺。
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xinyuan663
LV.3
23
2010-07-22 09:43
@萧山老寿
OK，做得太好了，变压器原边波形堪称完美，不得了，一点尖峰也没有，佩服663兄的工艺。
因为是移相全桥软开关，所以没有尖峰
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萧山老寿
24
2010-07-22 10:09
@xinyuan663
因为是移相全桥软开关，所以没有尖峰

xinyuan663兄，你这个机器如果做成10-28V可调，200A，就可以满足一般情况下老化逆变器的用途，很向往啊！

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xinyuan663
LV.3
25
2010-07-22 10:28
@萧山老寿
xinyuan663兄，你这个机器如果做成10-28V可调，200A，就可以满足一般情况下老化逆变器的用途，很向往啊！

没有问题的，用UC3879做移相全桥的控制芯片，非晶磁芯采用100*60*20的或者用铁氧体双E65也可以，MOS用40N50并联使用。呵呵，如果需要的话我可以给你做一台。

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贴片机
LV.8
26
2010-07-22 10:31
@xinyuan663
没有问题的，用UC3879做移相全桥的控制芯片，非晶磁芯采用100*60*20的或者用铁氧体双E65也可以，MOS用40N50并联使用。呵呵，如果需要的话我可以给你做一台。
663兄,几颗40N50并联呢?
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xinyuan663
LV.3
27
2010-07-22 10:32
@贴片机
663兄,几颗40N50并联呢?

两个并联足够了

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萧山老寿
28
2010-07-22 11:05
@xinyuan663
没有问题的，用UC3879做移相全桥的控制芯片，非晶磁芯采用100*60*20的或者用铁氧体双E65也可以，MOS用40N50并联使用。呵呵，如果需要的话我可以给你做一台。
太感谢663兄了！
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zhonglin88
LV.3
29
2010-08-15 09:35
@萧山老寿
太感谢663兄了！

专业生产非晶.纳米晶磁环.15968826840钟

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浪子qiu
LV.4
30
2011-01-22 17:12
@萧山老寿
太感谢663兄了！
非常关注电源前辈的杰作
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lnl1981
LV.2
31
2011-01-25 16:39
@xinyuan663
没有问题的，用UC3879做移相全桥的控制芯片，非晶磁芯采用100*60*20的或者用铁氧体双E65也可以，MOS用40N50并联使用。呵呵，如果需要的话我可以给你做一台。
663兄，能不能说说你的IGBT驱动使用的是什么芯片？
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