【求助大牛】：为什么IGBT会有拖尾电流

书上解释说是vge小于门槛电压后（IGBT关断后）n-漂移区的空穴要复合，但是n-漂移区掺杂浓度低，电子少，所以拖尾电流时间长。我的问题是：整个IGBT器件在导通的状态下电子数量也等于空穴数量，为什么空穴要复合？另外，为什么vge小于门槛电压后，ic就会减小而不是维持导通状态的电流大小呢？