飞兆半导体推出高速 MOSFET/IGBT 门极驱动光耦—FOD3120/FOD3150
特征和优势
• 宽工作电压范围：15V 到 30V
• 高输出电流能力：
• FOD3120 – 2.5A
• FOD3150 – 1.0A
• 5000V 隔离电压等级
• 1414V（峰值）工作电压 (UIORM)
• 高共模抑制能力：
• FOD3120 – 35,000 V/μs 最小值
• FOD3150 – 20,000 V/μs 最小值
• 低电源电流 (ICCH, ICCL)
• FOD3120 – 3.8mA 最大值
• FOD3150 – 5mA 最大值
• 大于 8mm 的爬电距离和电气间隙
• 引线间距选项 ‘TV’，表示通孔，DIP 封装
• 引线间距选项 ‘TSV’，表示表面贴装，DIP 封装
应用领域
太阳能逆变器•
电动机传动•
感应烹饪•
100010-001SC_FOD31xx_CN3.0
