高压开关，高压脉冲电源

 一直以来，对于雷达发射机等地方使用的开关，多为各种触发管，如真空管、闸流管等。用此来做成的开关，有电路复杂、体积大、寿命短、使用条件苛刻等缺点。而近年来，随着功率半导体器件的发展，尤其是MOSFET和IGBT技术的逐步成熟，性能的不断提高，以及其应用技术的突破与发展，这两种晶体管的直接串、并联技术得以实现，也就是说在比单个元件高得多的电压和电流等级实现快速的开关通、断控制。这种固态开关完全解决了原有开关电路复杂、体积大、寿命短、使用条件苛刻等缺点，可以通过简单的电路，将MOS管或IGBT串联，通过低感且较小的布局，实现任意频率任意脉宽的开关，且寿命长，易维修，可以完全取代原有的开关。目前该技术成功应用于民用、军事等领域，并引导了在其它应用领域的扩展。

本开关具有以下几个优点：1由大量的MOSFET或IGBT通过串联、并联，并通过紧凑、低感的布局组成的，体积小，性能好。2自身包含驱动电路，是一个小体积的组件，具有极高的可靠性和优异的开关性能（包括低的导通阻抗，高的截止阻抗，纳秒量级的控制传输延时和百纳秒量级的开启和关断时间）。3同时控制驱动电路和开关电路的全隔离，保证了开关即可以用于高端开关，也可以用于低端开关，还可以用于两个高压开关组成的推挽电路。4开关的使用也是极其简单的，只要提供一个5V的供电和TTL的开关控制信号，开关即可以工作在固定的脉宽下，也可以工作在可变的脉宽下。5所选用器件均为常用器件，成本低。高压开关可以通过系列化的生产，具有极宽的负载电压和电流范围。

由于晶体管的驱动信号是来源于输入的TTL信号，因此开关管导通关断与输入信号基本保持一致，输出脉冲电压的频率与脉宽与输入TTL信号同样基本保持一致（有纳秒量级的控制传输延时），由此实现开关的工作脉宽从200ns到连续，而且即可以工作在固定的脉宽下，也可以工作在可变的脉宽下。

由于晶体管快速开关的特点与良好的导通关断一致性，使输出电压的前后沿达到百纳秒量级。 每个晶体管组均接有保护电路部分，以防电路在打火等情况下对晶体管起到保护作用，所以很强的抗负载打火能力。

图传了半天也没传上去，真是郁闷

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