关于保护板的耐压问题

请教各路高手！

以精工的S8261为例，IC本身的耐压有28V（VM相对VDD），而外围使用的充电、放电FETS的VGS（栅源间电压）耐压只有±12V。这样就有以下疑问：

1.为什么IC耐压比外围的FETS还高？有无必要？

2.在电池电压正常情况下，Vco=VDD，接充电器瞬间电压较高，若大于12V，则充电FET则击穿损坏，而IC无恙？这样的保护板很不可靠？