正负双极性方波,IGBT-IPM做后级,推动用单片机,想用吸收回路将关断时间压缩在400uS以内,我将一直附上开发过程,也请各位大侠指教,
这是负载参数,电感7.3mH,电阻2欧姆
现在实测关断时间为1.5mS,吸收回路用放电阻止型,不算正常,吸收回路参数:电阻100欧姆,电容1uF,快恢复二极管,请各位大虾帮忙,指教
经过分析,可能是光耦导通不足引起的,我在单片机的引脚外接了1K电阻再接的光耦,实测电流在3.5mA左右,而二次侧需要1.75mA的电流,如果按照电流传输比CTR=30%算,需要6mA的电流,我把电阻换成470欧姆的试试
驱动问题解决了,在按照上述方法修改硬件,搭载了后续的吸收回路,关断时间达到了要求,约180uS,但波形有过充,后期有震荡,后来准备买大一点的电容来吸收,
今天wima的电容到货了,1.5uF,替换掉原先CDE0.47uF的电容,关断延时拉长了,约240uS,估计购买的wima电容不是无感电容。