【原创】负载特性对驱动的要求

蜘蛛出品，必属精品。等系统通知中。哈。

在前帖（http://bbs.dianyuan.com/topic/579603）；大家讨论过，FET的等效模型是：

用它做成的半桥；就成了这样的一个电路：

空载开关时；电路变成这两个工作模式：

高端FET开关状态下；导通再关闭后，由于CDS1、CDS2的电容储能，Q1关断；输出仍为+Vbus。此时；Q1栅电压为0V，但是；Q1并没因此而承受电压。

即Q1是零电压关断；关断过程；栅电压没有平台！没有弥勒效应区！

试着画个关断过程中；Q1的栅电压波型。

正想了解这些东西，先谢谢，再看帖子

经过一段死区时间后；低端FET导通，此时此刻；高端早已关断的FET的D-S终于承受了电压！虽然是空载；但在这过程中发生了一系列的电压电流变化，看图解！~

高边FET导通后；向Cds2充电/Cds1放电，输出达到正电源电压。FET关断时；由于电容无放电回路（Q2断），电容电压保持不变，Q1零压管断（无弥勒效应）。Q1关后；仍由于电容做用而不承受电压。

用正驱动脉冲开启Q2，当栅电压达到门坎时；Q2开始通。Cds2短路放电；Cds1充电。显然；Q2是硬开通。Q1此时开始实质性承受电压。

由于Cdg1的充电；导致在Q1驱动栅电阻上产生电压。当感应电压达到门坎时；Q1/Q2瞬间发生上下直通。

低端的管子是硬开通软关断；高端皆然。这里引用网友helen闸的实测波形，供大家讨论。注意：“ON”是；有明显的弥勒效应平台，“OFF”时；没有。

http://bbs.dianyuan.com/topic/584054

先顶一下

这帖应该还没结束吧？

继续关注大师的帖子，继续顶起来！！

这个现象会导致半、全桥空载时发热。它不仅发生在开路状态；而且还会发生在容性负载和硬开关电路里。

适当的控制“开”的速度；防制上下之通是必要的。

咋串位了？

这个现象会导致半、全桥空载时发热。它不仅发生在开路状态；而且还会发生在容性负载和硬开关电路里。

适当的控制“开”的速度；防制上下之通是必要的。

关注直顶

因此；如果将线路理想化，只从器件本身而言。FET需要在开和关时；不同的驱动速度。两者之间的比值设为

λ=Ion/Ioff

极限值为λo

当驱动比小于λo，桥不会直通；反之就有这情况发生。

能教弱弱怎样调节λ吗？（在实际电路里）