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请教反激电路中磁芯饱和如何导致VT损坏

反激变压器磁芯饱和时
1.是不是会在开关管关断的的瞬时产生很大的浪涌电压,从而损坏开关管,这个浪涌电压是怎么产生的?
2.有人说因为当磁芯饱和时,磁感应强度基本不变,dB/dt近似为零,根据电磁感应定律,将不会产生自感电动势去抵消母线电压,初级绕组线圈的电阻很小,这样母线电压将几乎全部加在开关管上,开关管会瞬时损坏。
3.而选择开关管的时候,开关管额定电压又三部分组成:电源电压+复位电压+尖峰电压。我理解母线电压就是输入的电压吧,要是开关管连输入电压都承受不了,还怎么承受别的电压呢。
请教高手到底磁芯饱和怎么样瞬时损坏开关管的??
 
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2010-08-31 10:38
磁芯饱和,电感就失去了对电流的阻抗,MOS开通瞬间电流极大。半导体内部局部过热,最终导致烧毁。
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sxjnice
LV.8
3
2010-08-31 10:41
@让你记得我的好
磁芯饱和,电感就失去了对电流的阻抗,MOS开通瞬间电流极大。半导体内部局部过热,最终导致烧毁。
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LV.1
4
2010-08-31 11:09
@让你记得我的好
磁芯饱和,电感就失去了对电流的阻抗,MOS开通瞬间电流极大。半导体内部局部过热,最终导致烧毁。
ding
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2010-08-31 11:40
@让你记得我的好
磁芯饱和,电感就失去了对电流的阻抗,MOS开通瞬间电流极大。半导体内部局部过热,最终导致烧毁。

哦 原来这样 谢谢了!

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2010-08-31 12:10

当磁芯饱和时,变压器初级相当与一个导线,因为变压器此时基本不储存与传递能量了,所以直流母线电压加在初级的MOSFET上,而MOSFET的Rds一般都是非常小的,此时的电流将非常大,能量足以瞬间将MOSFET击穿。

形象点说,这个时候MOS管是被“热死”的

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sxjnice
LV.8
7
2010-08-31 12:17
@心中有冰
当磁芯饱和时,变压器初级相当与一个导线,因为变压器此时基本不储存与传递能量了,所以直流母线电压加在初级的MOSFET上,而MOSFET的Rds一般都是非常小的,此时的电流将非常大,能量足以瞬间将MOSFET击穿。形象点说,这个时候MOS管是被“热死”的[图片]
对了,请问您是冰版主吗?
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2010-08-31 12:23
@sxjnice
对了,请问您是冰版主吗?
是的,有什么指教
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2010-08-31 13:36
@心中有冰
当磁芯饱和时,变压器初级相当与一个导线,因为变压器此时基本不储存与传递能量了,所以直流母线电压加在初级的MOSFET上,而MOSFET的Rds一般都是非常小的,此时的电流将非常大,能量足以瞬间将MOSFET击穿。形象点说,这个时候MOS管是被“热死”的[图片]

汗~

 

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sxjnice
LV.8
10
2010-08-31 13:49
@心中有冰
是的,有什么指教
不敢,不敢,只是很多人都在说冰版主,另杭州聚会照片上也有冰版主,恕眼拙,不知道如此专业,高深的冰版主是谁,照片上又是哪一位,所以在此贸然一问,不适地方还请见谅
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2010-08-31 14:17
@sxjnice
不敢,不敢,只是很多人都在说冰版主,另杭州聚会照片上也有冰版主,恕眼拙,不知道如此专业,高深的冰版主是谁,照片上又是哪一位,所以在此贸然一问,不适地方还请见谅

呵呵,兄弟客气了

我现在水平有限,同你一样,也是跟在论坛里面的大师身后学习。

那天杭州聚会我是去了,照片中我戴这眼镜,坐在sometimes版主旁边,你可以找找

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cheng111
LV.11
12
2010-08-31 16:05
@windertakers
汗~ 

收下...

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ppsh
LV.3
13
2011-08-08 13:17
@心中有冰
当磁芯饱和时,变压器初级相当与一个导线,因为变压器此时基本不储存与传递能量了,所以直流母线电压加在初级的MOSFET上,而MOSFET的Rds一般都是非常小的,此时的电流将非常大,能量足以瞬间将MOSFET击穿。形象点说,这个时候MOS管是被“热死”的[图片]
如果不传递能量了,那么磁芯饱和时是不是没法带载输出了?
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