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开关电源中MOS管所承受的峰值电流

请教一下开关电源中MOS管所承受的峰值电流？比如要设计个一个12V到80的开关电源，功率在35W，如何通过计算去选择MOS管。谢谢！
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mgt123
LV.3
2
2010-11-02 20:47

不知道你说的是什么，

这里有关于MOS的使用注意

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jepsun
LV.9
3
2010-11-02 21:32
你是说流过MOS最大电流ID的算法吧？这个和你变压器的算法有关的。
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liuhou
LV.9
4
2010-11-03 08:42
@jepsun
你是说流过MOS最大电流ID的算法吧？这个和你变压器的算法有关的。
这个 是由变压器的原边电感量来决定的。
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rdong
LV.2
5
2010-11-03 08:44
@liuhou
这个是由变压器的原边电感量来决定的。

希望有更清楚一点的答案

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chenzaili
LV.4
6
2010-11-03 08:49
@rdong
希望有更清楚一点的答案
是啊，希望答案能够更完整一点。简单的说就是开关电源中，如何选择mos管。请教高人了。
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dolameng
LV.4
7
2010-11-03 09:03
@rdong
希望有更清楚一点的答案
这个恐怕不是那么容易说清楚的，因为这和电路结构（正激、反激等等）、CCM还是DCM、MOS的耐压、占空比设定、效率等等因素都相关，建议按一些成熟的设计程序来选型。
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songxium
LV.7
8
2010-11-03 09:08
@chenzaili
是啊，希望答案能够更完整一点。简单的说就是开关电源中，如何选择mos管。请教高人了。
首先根据你的输出功率和输入电压计算出你的峰值最大电流，然后根据你的最大占空比计算出你的反射电压，反射电压乘以1.5才乘以1.4就是你的钳位电压。你的管子耐压要是整个电压（输入加钳位）的1.2倍，这样你就可以选择MOSFET了。
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songxium
LV.7
9
2010-11-03 09:08
@songxium
首先根据你的输出功率和输入电压计算出你的峰值最大电流，然后根据你的最大占空比计算出你的反射电压，反射电压乘以1.5才乘以1.4就是你的钳位电压。你的管子耐压要是整个电压（输入加钳位）的1.2倍，这样你就可以选择MOSFET了。
我说的这是反激的。
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cheng111
LV.11
10
2010-11-03 14:03
@chenzaili
是啊，希望答案能够更完整一点。简单的说就是开关电源中，如何选择mos管。请教高人了。

我选择的MOS管的最大电流一般是实际流过电流平均值的8倍，各有各的不同，有时候使用的只有5倍....不过倍数越小工作起来效率就越低而且越危险

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hk2007
LV.8
11
2010-11-03 14:10
@dolameng
这个恐怕不是那么容易说清楚的，因为这和电路结构（正激、反激等等）、CCM还是DCM、MOS的耐压、占空比设定、效率等等因素都相关，建议按一些成熟的设计程序来选型。

也想知道……

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yong168
LV.7
12
2010-11-03 14:16
@liuhou
这个是由变压器的原边电感量来决定的。
也不能完全说Ip峰值电流由原边电感量决定，根据公式就知道
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yong168
LV.7
13
2010-11-03 14:18
@songxium
首先根据你的输出功率和输入电压计算出你的峰值最大电流，然后根据你的最大占空比计算出你的反射电压，反射电压乘以1.5才乘以1.4就是你的钳位电压。你的管子耐压要是整个电压（输入加钳位）的1.2倍，这样你就可以选择MOSFET了。
同意这说法~！
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冰上鸭子
LV.10
14
2010-11-03 14:34
@songxium
首先根据你的输出功率和输入电压计算出你的峰值最大电流，然后根据你的最大占空比计算出你的反射电压，反射电压乘以1.5才乘以1.4就是你的钳位电压。你的管子耐压要是整个电压（输入加钳位）的1.2倍，这样你就可以选择MOSFET了。

反射电压乘以1.5才乘以1.4就是你的钳位电压

这么算是不是偏高了啊

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hlp330
LV.9
15
2010-11-03 16:45
@yong168
也不能完全说Ip峰值电流由原边电感量决定，根据公式就知道
是的，和占空比也有很大的关系，此外还要考虑散热，以及效率的问题。
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jepsun
LV.9
16
2010-11-03 20:52
楼主差不多理解了吗？就是根据你计算的变压器的原边电流峰值来选取，当然，要比这个大。
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chenfeng821121
LV.4
17
2011-03-16 21:47
@冰上鸭子
反射电压乘以1.5才乘以1.4就是你的钳位电压这么算是不是偏高了啊
这个是TI的还是PI一个技术手册中这么计算的，是认为大电压稳压二极管不稳定，有40%的差值，但是这个我觉得应该不用这么计算的。
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chenfeng821121
LV.4
18
2011-03-16 21:56
@cheng111
我选择的MOS管的最大电流一般是实际流过电流平均值的8倍，各有各的不同，有时候使用的只有5倍....不过倍数越小工作起来效率就越低而且越危险

我一直在迷惑，到底怎么选择MOS管的电流参数，看了一些MOS官的参数定义，电流应该是从25-175度温升过程中，在一定的散热条件下的持续电流的大少，那么比较的话应该是用有效值的同等散热来计算，那么我们计算出初级的电流有效值后，*3应该就是MOS管的有效值电流，而MOS管的有效值电流=1.57*ID，所以，选取ID=2*I初有效值，应该就可以了，但是计算后总感觉少，每次都是按照大家说的3倍峰值电流来选取，

觉得问题出在管子给的参数是在25-175度有150度温升，而我们实际上基本上只有60度温升左右。但是具体的参数不好找。。。

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st.you
LV.9
19
2011-03-16 22:07

正激？反激？直接升压的BOOST？DCM还是CCM模式？

拓扑不一样，同样的输入，输出，电流也不一样，差很多倍都有。

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chenfeng821121
LV.4
20
2011-03-16 22:08
@chenfeng821121
我一直在迷惑，到底怎么选择MOS管的电流参数，看了一些MOS官的参数定义，电流应该是从25-175度温升过程中，在一定的散热条件下的持续电流的大少，那么比较的话应该是用有效值的同等散热来计算，那么我们计算出初级的电流有效值后，*3应该就是MOS管的有效值电流，而MOS管的有效值电流=1.57*ID，所以，选取ID=2*I初有效值，应该就可以了，但是计算后总感觉少，每次都是按照大家说的3倍峰值电流来选取，觉得问题出在管子给的参数是在25-175度有150度温升，而我们实际上基本上只有60度温升左右。但是具体的参数不好找。。。
看了下，如果以MOS参数中100度或110度的ID>2*I初有效值，来进行选型还是可以的。当然这个是我自认为的，不知道各位高手怎么看。。
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cheng111
LV.11
21
2011-03-16 22:53
@chenfeng821121
看了下，如果以MOS参数中100度或110度的ID>2*I初有效值，来进行选型还是可以的。当然这个是我自认为的，不知道各位高手怎么看。。
有时候还是最好计算一下MOS管的温升，这个参数也都很重要，特别是在大功率的场合。我做小功率的也只有选了两倍电流关系的。
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银杏大道
LV.2
22
2011-03-21 11:33
@dolameng
这个恐怕不是那么容易说清楚的，因为这和电路结构（正激、反激等等）、CCM还是DCM、MOS的耐压、占空比设定、效率等等因素都相关，建议按一些成熟的设计程序来选型。

就是  不同的电路结构，你所计算的公式也是有差异的，最好是说你下你用的是什么电路结构

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chenzaili
LV.4
23
2011-04-28 13:16
@chenfeng821121
看了下，如果以MOS参数中100度或110度的ID>2*I初有效值，来进行选型还是可以的。当然这个是我自认为的，不知道各位高手怎么看。。
mos的电流能力是随着温度的上升会有所下降，所以要考虑温度的影响，所以就与散热等等都有关系了，我还是同意你的说法的。请教了！谢谢
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chenzaili
LV.4
24
2011-04-28 13:17
@jepsun
楼主差不多理解了吗？就是根据你计算的变压器的原边电流峰值来选取，当然，要比这个大。
谢谢楼上的！经过大家这么一讨论，我已经有所理解了！谢谢！
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chenzaili
LV.4
25
2011-04-28 13:20
@st.you
正激？反激？直接升压的BOOST？DCM还是CCM模式？拓扑不一样，同样的输入，输出，电流也不一样，差很多倍都有。

楼上的，好像很有经验，具体的计算我不太清楚，但是经过大家这么一说我还是理解了一些。至于你提出的正激反激等实际情况，只有在后面的实际工作中去了解了。。谢谢！是否能加你QQ什么的，以后有什么问题，好向你请教。

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