路过的高手 请帮忙看看 半桥驱动波形是怎么回事

你这是隔离驱动吗~

我遇到的问题比你呃还要严重哦

mos上的驱动电路你看看，是否接的合理，一般情况下是平的。

这是我的驱动原理图，是否有问题？驱动变压器是EE25的 ，匝数是24:24:24，频率是65KHz 。是否可行。 

减小R55和R57试试。

你的驱动波形的频率也是65KHZ的吗？

R55,R57改到10欧，没有什么效果

是的

我说四个问题。

1、你的前级图腾柱用的是8550和8050，这是两个1.5A的三极管。用三极管做图腾柱本来就不好，导通时VCE会比较大。而且这个电流也太小了吧，分到次级的两只MOS管，1A都没有了，而你的MOS管好像也不是小管子，这样MOS的驱动肯定上升得极慢，从你的波形上就是这样。还有，图腾柱输出一般不直接推脉变，应该在回路中串一个电阻并联一个电容，电阻起保护作用，电容加速前沿。还有，你的图腾柱供电最好在旁边加个电解电容，因为在管子开启瞬间电流会很大，同时对供电电源及图腾柱也是一种保护。2、你的Q8也不能用8050，反应不够快。使用更快一点的三极管会对沿有一定好处的。

3、你的R57和R58最好选大点，取到47k，4.7太小了，增加了驱动所要的功率。这个电阻的作用是防止在DS间加电使管子误导通的，有就可以了，一般取在47k。

4、感觉你的脉变匝数多了，多了也会造成驱动上升沿慢。65k的频率，14匝应该足够了，这个可以试，同时磁芯一定不能加气隙，装得时候也要紧密贴合。

谢谢，我就是觉得驱动能力不够，按你的方法改改再试

你的管子的栅荷系数Qg多大呢？

 

有什么建议吗？

150nc的电荷要求，而你的驱动电流只有1.5A，太小了，起码要3A以上。

GS并联的电阻有点太小，这个电阻是用来保护MOS的，顺便释放Cgs电容的电荷，太小的话，对驱动功率要求就大了，换成10k以上的吧。

请问，怎么确定驱动电流需要多大呢？

基本是可以估算的~

栅极从关断到饱和导通，需要吸取电荷，这个电荷就是栅荷系数。

Qg=I*t

t可以看成驱动的上升沿，驱动电流越小，上升沿越长。

65K 的频率，上升沿要在多少时间才算合理呢？

我改成MOS管推动驱动变压器。驱动变压器输出波形怎么会变成这样呢？驱动变压器匝数是 14:14:14

第二张图确实是因为峰值电流的驱动能力不够，导致删极电容的充放电时间过长而造成的。

加大驱动电流会有明显的改善。

但改用MOSFET推动驱动变压器会出现第三张图那样的波形，而用三极管就不会。这点还是不解。

我的也是