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RC吸收器和RCD吸收器的区别

RC吸收器和RCD吸收器的区别，我感觉RCD的D好像没什么作用啊，还有就是整流二极管的吸收器和开关管的吸收器有什么区别吗？谢谢！
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冰上鸭子
LV.10
2
2010-12-18 14:23

D拿掉问题就大了,R的损耗一直存在,效率就低了,且R的功率要加大.

加D 是在MOSFE关段时吸收掉变压器原边每转换的能量-漏感.

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hk2007
LV.8
3
2010-12-18 14:24

开关管的吸收多用RCD来吸收。输出二极管的多用RC吸收。

加上D后可以减少损耗，也就是只有在二极管D导通之后，才开始吸收。

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qubiao19871012
LV.4
4
2010-12-18 14:33
@冰上鸭子
D拿掉问题就大了,R的损耗一直存在,效率就低了,且R的功率要加大.加D是在MOSFE关段时吸收掉变压器原边每转换的能量-漏感.
整流二极管的我不太清楚，就拿这个正激的开关管来说吧，这个D1在开关将要关断的时候开始导通对C1进行充电，管子导通后，C1就通过R1放电。好像没有D1什么事情啊，请指出我的错误之处，谢谢！
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engdong
LV.4
5
2010-12-18 14:38
@hk2007
开关管的吸收多用RCD来吸收。输出二极管的多用RC吸收。加上D后可以减少损耗，也就是只有在二极管D导通之后，才开始吸收。

RCD,如去掉D将增加开关管导通期间电流应力

整流二极管并联的RC主要对结电容与等效电感自激起阻尼作用

如果二极管结电容小，回复时间快也可以不加RC

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qubiao19871012
LV.4
6
2010-12-18 14:40
@冰上鸭子
D拿掉问题就大了,R的损耗一直存在,效率就低了,且R的功率要加大.加D是在MOSFE关段时吸收掉变压器原边每转换的能量-漏感.

加D 是在MOSFE关段时吸收掉变压器原边每转换的能量-漏感.

不太理解您的这句话，能给我详细解释下吗？感谢您！

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qubiao19871012
LV.4
7
2010-12-18 14:43
@engdong
RCD,如去掉D将增加开关管导通期间电流应力整流二极管并联的RC主要对结电容与等效电感自激起阻尼作用如果二极管结电容小，回复时间快也可以不加RC

RCD,如去掉D将增加开关管导通期间电流应力

您指的是增加RC放点回路的阻抗？？可是放电的额时候D1（见上图）应该不导通吧

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monikel
LV.5
8
2010-12-18 14:54
@qubiao19871012
[图片]整流二极管的我不太清楚，就拿这个正激的开关管来说吧，这个D1在开关将要关断的时候开始导通对C1进行充电，管子导通后，C1就通过R1放电。好像没有D1什么事情啊，请指出我的错误之处，谢谢！
D是用来加快给C1充电以箝住Q1的Vds电压，因为MoFet关断时，Vds电压的上长斜率是很快的，如果想简单让C1通过R1a来充电的（R1a*C1的时间常数很大）是很难箝住Vds的电压.
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冰上鸭子
LV.10
9
2010-12-18 15:00
@qubiao19871012
加D是在MOSFE关段时吸收掉变压器原边每转换的能量-漏感.不太理解您的这句话，能给我详细解释下吗？感谢您！

你讲的RCD吸收我理解为反激模式.故有上面说法

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qubiao19871012
LV.4
10
2010-12-18 15:04
@monikel
D是用来加快给C1充电以箝住Q1的Vds电压，因为MoFet关断时，Vds电压的上长斜率是很快的，如果想简单让C1通过R1a来充电的（R1a*C1的时间常数很大）是很难箝住Vds的电压.
非常感谢，时间常数越小，充电时间越大，所以加了D1,可以有效减缓Vds在关断时候的电压斜率。您说的钳位Vds指的是让让Vds电压缓慢上升吗？那个应该不是钳位吧，加不加RCD，Vds都是2Vdc啊
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qubiao19871012
LV.4
11
2010-12-18 15:07
@冰上鸭子
你讲的RCD吸收我理解为反激模式.故有上面说法
谢谢您，反激的缓冲期和正激的缓冲器有区别吗？？我一直认为大部分含有变压器拓扑的缓冲期都差不多的
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冰上鸭子
LV.10
12
2010-12-18 15:15
@qubiao19871012
谢谢您，反激的缓冲期和正激的缓冲器有区别吗？？我一直认为大部分含有变压器拓扑的缓冲期都差不多的
正激我就不太了解了,反激没见有缓冲器,
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qubiao19871012
LV.4
13
2010-12-18 15:17
@冰上鸭子
正激我就不太了解了,反激没见有缓冲器,
我说的RCD和缓冲器一个意思的
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冰上鸭子
LV.10
14
2010-12-18 15:20
@qubiao19871012
我说的RCD和缓冲器一个意思的

同志你说的是 rCD吸收 呵呵, 我见过有地方加D有的地方没有,具体那些作用我也没了解过

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让你记得我的好
LV.10
15
2010-12-18 17:32
RCD对电压尖峰的吸收效果比RC效果好。损耗也是RCD的小，只在MOS开通过程中消耗电容中的储能，RC则不仅在MOS开通而且在MOS关断缓冲吸收的过程中R都有损耗。
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心中有冰
16
2010-12-19 09:20
@qubiao19871012
非常感谢，时间常数越小，充电时间越大，所以加了D1,可以有效减缓Vds在关断时候的电压斜率。您说的钳位Vds指的是让让Vds电压缓慢上升吗？那个应该不是钳位吧，加不加RCD，Vds都是2Vdc啊

你说的是理想情况，没有考虑到漏感与电路分布参数的影响

你用示波器测试下MOSFET的波形就明白了

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qubiao19871012
LV.4
17
2010-12-19 14:33
@心中有冰
你说的是理想情况，没有考虑到漏感与电路分布参数的影响你用示波器测试下MOSFET的波形就明白了
我明白您的意思，可是要把Vds钳位住，貌似这个RCD也不行啊，还是会受到漏感的影响，只有加一个变压器的RCD结构才可以。
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bode
LV.9
18
2010-12-19 18:05
@让你记得我的好
RCD对电压尖峰的吸收效果比RC效果好。损耗也是RCD的小，只在MOS开通过程中消耗电容中的储能，RC则不仅在MOS开通而且在MOS关断缓冲吸收的过程中R都有损耗。

好版主说得太好了~

D在这里，起到一个单向导电的作用~

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心中有冰
19
2010-12-19 18:48
@qubiao19871012
我明白您的意思，可是要把Vds钳位住，貌似这个RCD也不行啊，还是会受到漏感的影响，只有加一个变压器的RCD结构才可以。
此种RCD吸收跟变压器的初级绕组加的RCD吸收有异曲同工之妙
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GreenEnergy
LV.7
20
2010-12-19 21:19
@让你记得我的好
RCD对电压尖峰的吸收效果比RC效果好。损耗也是RCD的小，只在MOS开通过程中消耗电容中的储能，RC则不仅在MOS开通而且在MOS关断缓冲吸收的过程中R都有损耗。
在开关频率不算太高时，的确如15楼所说。
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bode
LV.9
21
2010-12-19 21:32
@GreenEnergy
在开关频率不算太高时，的确如15楼所说。
兄台言下之意，开关频率高的时候，15楼说法有局限吗？
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whc_74
LV.3
22
2010-12-19 21:45
@让你记得我的好
RCD对电压尖峰的吸收效果比RC效果好。损耗也是RCD的小，只在MOS开通过程中消耗电容中的储能，RC则不仅在MOS开通而且在MOS关断缓冲吸收的过程中R都有损耗。

厉害厉害，佩服佩服。

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cheng111
LV.11
23
2010-12-20 11:29
@让你记得我的好
RCD对电压尖峰的吸收效果比RC效果好。损耗也是RCD的小，只在MOS开通过程中消耗电容中的储能，RC则不仅在MOS开通而且在MOS关断缓冲吸收的过程中R都有损耗。

 

总结：单向导通和损耗不同。

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rainever
LV.8
24
2010-12-20 12:05
@冰上鸭子
正激我就不太了解了,反激没见有缓冲器,

fly-back with RCD snubber circuit, just have a look.

Design Guidelines for RCD Snubber 

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qubiao19871012
LV.4
25
2010-12-20 13:33
@rainever
fly-backwithRCDsnubbercircuit,justhavealook.[图片]DesignGuidelinesforRCDSnubber 
THX
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高等数学
LV.10
26
2010-12-20 13:39
@bode
兄台言下之意，开关频率高的时候，15楼说法有局限吗？
加个这个D，这个D的反向恢复问题？
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