【总结】EMI相关设计问题——自己学习一个月来的总结

上面是EMI滤波器的基本框图。

C1\C2\C3\C4为Y电容，L1为共模扼流圈（共模电感）：主要针对共模噪声。

对于Y电容，选型面Y太窄，基本是没有选的。一般是2个或者4个。容值大小的选型也不多，主要考虑电源的漏电流，在漏电流允许的情况下越大EMI越好。

共模扼流圈：用高磁导率值，可以使得体积更小，圈数更少。现在磁导率为10000的材料已经很成熟了。这个值，取mH级别的。百瓦级别的电源，几个mH,或者10mH左右。

共模扼流圈的取值经验可以参考沙占友的书，但也只是经验。《开关电源设计——入门与实例解析》

差模电感L2\L3：由于容易饱和，一般不使用。若使用也只是uH级别的。

X电容：一般也是选取两个，在EMI滤波器的最前端和最后端。取值面也很窄。在实验室调试即可。

差模电感一般不使用，差模干扰主要还是靠X电容滤除。

共模电感经验取值：与额定电流的关系。

平安夜还在加班加点搞总结,可敬可佩!!

貌似没总结玩????

这个是什么原理呢??为什么这么选呢??

我想是从磁芯体积和过电流能力上的考虑,

这个是什么原理呢??为什么这么选呢??

我想是从磁芯体积和过电流能力上的考虑,

针对小功率机种（比如十几W的）：

在整流桥后可以使用CLC（两个电解电容和一个电感）结构，输入端就可以不用接X电容了。 

上面就是小功率机种的EMI对策的对比，上面的是CLC模式，下面还是传统的整流桥前滤波。CLC模式可以节省X电容。

大功率机种：

一般采用整流桥前滤波。如果一级EMI滤波不行可以采用二级EMI滤波。

Y电容选取主要考虑一个漏电流，漏电流I=2*3.14*F*C*Uc。F为电网频率，C为Y电容容值和，Uc为Y电容上的压降。只要安规可以过，Y电容越大EMI越好。

共模电感这里就不在重复。

变压器的屏蔽：

变压器有二种屏蔽：电场和磁场。

电场有分为两种：一次屏蔽和二次屏蔽。

一般变压器的屏蔽层都是在初级和次级绕组之间，一段漆包线焊一段铜皮，漆包线的一头就焊在变压器的初级地端，或叫热地！二次屏蔽就是将屏蔽绕组接到次级的地（也称为冷地）。

磁场屏蔽，就是在变压器的最外加一层铜皮屏蔽。这样可以屏蔽变压器对外的和外面干扰对变压器的骚扰。

在实际应用中，我们一般使用一次屏蔽和磁场屏蔽即可，在大功率的机种中，磁场屏蔽是必须的。

驱动设计对EMI的影响，

先还是不知道是关断对EMI影响大，还是导通对EMI影响大？

论坛大部分认为关断时，对EMI的影响较大；而冰版主认为导通的时候对EMI影响大。

团长兄你好：

      1. CLC中的前面一个C可以省掉吗？或者假如C是两个10UF的，可不可以只用一个22UF的放在后面呢（前面不加电容）？

      2.CLC中的L是共模电感还是两个单独的电感呢，还是两种都可以？         

前面的那个C不可以省了，他是用来滤除差模，组成是π型滤波器，要比LC滤波要好很多，而其LC滤波只能减小输入电源对开关电源的影响。

L可以是共模也可以是差模，看自己的情况而定。

可以去看上面的那个帖子，里面一般有解释。

直流部分的GND。

那你先看上面的那个贴吧，可以学习到很多。

功率小用差模，功率偏大用共模。

那只是绕的屏蔽层绕组，不是初级绕组

是的，初级绕组是接在输入电容高压端和mos的D端，辅助绕组是接在VCC和地上。

所以说屏蔽层接地的话就是直接缠在辅助绕组的地上，当然也可以接在输入电容高压端上。