反激RCD吸收新解

RCD吸收电路

 输入：85~265VAC

输出：P=15W，Vo=48VDC

工作频率：60KHZ

         如附件中的RCD吸收电路，产品在DCM模式下实测Lk：30uH，I_P：5A，Vsn：160V，nVo：96V根据公式计算的Psn大概为1W左右，可是我吸收是用两个1206的贴片电阻(额定功率0.25W)并联的（工作很正常，产品都卖了很多年了），显然理论与实际不合。

        于是我抓得Dsn和Isn波形如附件所示，发现Dsn有一个峰值约0.3A的反向电流（二极管损耗不能忽略），二极管用的是1N4007。   

       如果利用简化公式计算损耗，Psn = Vsn*Ip₁*T1*f_s/2，其中T1，Ip₁为图1=TEK00000中Dsn导通时间、正向峰值电流，算的Psn约为0.77W，P_Dsn =  nVo*Ip₂*T2*f_s/2；其中T2，Ip₂为图1=TEK00001中Dsn导通时间、正向峰值电流，计算得P_Dsn约为0.46W，那么RC吸收掉的损耗就将近为0.31W，这个和理论就比较接近了。

          请高手指点指点看我的分析是否正确，我上传那份资料的算法是否有问题呢？