MOS管栅极悬空时为什么是开通的？

LV.9

2011-01-23 21:43

这个是弥勒效应导致的。

D的电压，通过Cgd耦合到了G端。

LV.9

2011-01-23 22:22

@bode

这个是弥勒效应导致的。D的电压，通过Cgd耦合到了G端。

如果D端是高压的话，MOSFET岂不是被直接击穿了

关键词：MOSFET

LV.9

2011-01-23 22:25

@hlp330

如果D端是高压的话，MOSFET岂不是被直接击穿了关键词：MOSFET

如果D端的高压，没超过VDS，怎么会击穿呢？

st.you

LV.9

2011-01-24 08:30

MOS的栅极可以认为是一个电容，很容易被外界电荷所充电。

LV.12

2011-01-24 08:35

@st.you

MOS的栅极可以认为是一个电容，很容易被外界电荷所充电。

GS之间接个电阻，看它还能导通

11455355

LV.9

2011-01-24 08:50

MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电，这个微小的电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险，很多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路干扰信号就不会直通了，一般可以10--20K。

关键词：MOS

难得一见hj

LV.3

2011-01-24 08:59

@11455355

MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电，这个微小的电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险，很多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路干扰信号就不会直通了，一般可以10--20K。关键词：MOS

这个电阻阻值如果是1K或者5K以下有什么不妥吗？？

LV.12

2011-01-24 09:02

@难得一见hj

这个电阻阻值如果是1K或者5K以下有什么不妥吗？？

也可以的，但是不宜过小

hk2007

LV.8

2011-01-24 09:13

@11455355

对的，我们一般接10K或15K的下拉电阻。

cheng111

LV.11

2011-01-24 10:14

@bode

如果D端的高压，没超过VDS，怎么会击穿呢？

MOS管GS之间有电压极限的，一般是小于30V....高于30V俺忽然电压会不会坏？

关键词：MOS管

LV.12

2011-01-24 10:15

@cheng111

MOS管GS之间有电压极限的，一般是小于30V....高于30V俺忽然电压会不会坏？关键词：MOS管

会，现在好多都是20V的哦

LV.9

2011-01-24 10:17

@cheng111

MOS管GS之间有电压极限的，一般是小于30V....高于30V俺忽然电压会不会坏？关键词：MOS管

一般都是在正负20吧，没有超过正负30V的。

栅极电压超过这个范围，肯定会击穿的。

cheng111

LV.11

2011-01-24 10:24

@bode

一般都是在正负20吧，没有超过正负30V的。栅极电压超过这个范围，肯定会击穿的。

哦。我看到有很多30V的，我以前还特别关注了。呵呵

hk2007

LV.8

2011-01-24 10:31

@cheng111

哦。我看到有很多30V的，我以前还特别关注了。呵呵

刚看了一下，东芝的规格书上是+/-30V的。有些加20V稳压管，应该是为了安全裕量吧

LV.9

2011-01-24 10:33

@hk2007

刚看了一下，东芝的规格书上是+/-30V的。有些加20V稳压管，应该是为了安全裕量吧[图片]

这也是目前市面上GS耐压的上限了，我还没见过超过正负30V的。

cheng111

LV.11

2011-01-24 10:35

@hk2007

刚看了一下，东芝的规格书上是+/-30V的。有些加20V稳压管，应该是为了安全裕量吧[图片]

其实我们一般使用最多也就十几V...不过有一些超宽压的高一点。

hk2007

LV.8

2011-01-24 10:47

@cheng111

其实我们一般使用最多也就十几V...不过有一些超宽压的高一点。

是啊，IC的VCC电压正常使用时，也才20V左右，所以驱动电压也不会太高了，一般都没事……

LV.9

2011-01-24 10:49

@hk2007

是啊，IC的VCC电压正常使用时，也才20V左右，所以驱动电压也不会太高了，一般都没事……

Vth一般都是在2V左右，一些TTL MOS更低。米勒平台在4V左右，过了8V，MOS一般都会饱和导通了。

关键词：MOS

MYLAPLACE

LV.5

2011-01-24 11:21

@zvszcs

GS之间接个电阻，看它还能导通[图片]

acbelpe

LV.6

2011-01-24 11:35

那是因为存在寄生参数，G极开路，只要VDS存在一定电压，G极与S极之间也会存在压差，所以会导通，如果VDS电压过高，MOS会SHORT

关键词：MOS

LV.9

2011-01-24 13:38

@acbelpe

那是因为存在寄生参数，G极开路，只要VDS存在一定电压，G极与S极之间也会存在压差，所以会导通，如果VDS电压过高，MOS会SHORT关键词：MOS

如果这个电阻用小了的话，会有什么问题吗？

LV.12

2011-01-24 13:53

@hlp330

如果这个电阻用小了的话，会有什么问题吗？

小到一定的程度，驱受收到影响，芯片驱动不了MOS

LV.9

2011-01-24 14:30

@zvszcs

小到一定的程度，驱受收到影响，芯片驱动不了MOS

电阻小一点的话，保证驱动足够，效果是不是好一些呢？

LV.9

2011-01-24 15:04

@hlp330

电阻小一点的话，保证驱动足够，效果是不是好一些呢？

23楼说的应该是GS间的电阻太小，驱动不了MOS。

关键词：MOS

liweisdut

LV.3

2011-01-25 14:12

@bode

这个是弥勒效应导致的。D的电压，通过Cgd耦合到了G端。

米勒效应？晕晕的

liweisdut

LV.3

2011-01-28 12:41

什么是弥勒效应呢？从网上查了查，还不是很明白，有没有人解释一下？

谢谢了