反激电源MOSET与变压器之间串入二极管取何意？？

据说是：在CCM下防止震荡时 Mosfet电流倒流~

如何倒流，能否细说。。。

又看了看，分析：

的确是防止MOSFET电流倒流，主要是发生在当漏感和电容较大时，振荡幅值到低于0时，而不应该是发生在CCM模式。。。

不很明白，学习下

你的第一句话有点问题，你自己再仔细想想

还有就是加入这个二极管之后，电源的整体效率是提高了还是降低了？

谢谢冰版，应该是电感。对于效率没有实测，不大清楚。。。估计测也测不出来。。。

斑竹聪明，我的笔误，是DCM ，呵呵~

请问你说的LC振荡是哪个L和哪个C啊？

这个谐振是一次侧电感量L和FET漏源极间的寄生电容Cds产生的。如果在D极加个二极管，根本无法谐振了啊，谐振是能量从L传递给C，然后C再传递给L。现在加了个二极管，能量直接都给Cds了，所以就出现下面的图，Cds的电压很高，把VDS的电压给拉高了。

是的,但设计者怎么去考虑呢?

对于DCM这个VDS波形的后段振荡，应该是漏感上初级励磁电感与电路的杂散电容（包括变压器的分布电容）以及MOSFET的Coss谐振

还有一个疑问就是，为何说效率测试不出来？

杂散电容是有的，这个我没有考虑到。

可“漏感上初级励磁电感”整么去理解呢？你是指励磁电感吗？

上图为反激变压器等效图，我认为振荡的电感是LS+LP。也就是我们测到的原边电感。。。

sorry，少打了一个字

应该是是“漏感加上初级励磁电感”

冰版没有用过这中电路吗？这个在LED驱动芯片中好像挺多的哦，PI最新出的L-PH推荐电路里也有这个二极管啊！我只是不知道成熟产品为什么要加，不加在什么时候会出现什么问题。。。

问题是谐振电容不完全是Cds呀？

变压器的杂散电容呢？

这个准谐振，不是二极管的功劳，

是类似“谷底”检测，然后发出指令的结果~

这个跟谐振没有关系，大家仔细看帖。这这是普通的反激式DCM模式的开关电源。加入二级管电路我也只是在做LED项目中看到有LED芯片给出这样的电路图。那个谷底应该只是碰巧测到的。。。。

上一个PI的电路图：

就没人用过吗？纳闷了。。。没用过，大家可以分析下啊，或者我上面的分析对吗？

冰版，这里应该只有Lm来影响这个吧。

这个振荡，在DCM模式下才有，CCM没有。和变压器漏感没有关系吧。

漏感只是和尖峰那里的振荡有关？