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系统介绍DB3

和DB3接触了多年,实际接触了各式各样的问题。也从论坛上见识了各式各样的问题。也在论坛上发表了不少的观点,有些观点现在看来不是完全的正确或适合。

直到现在,还是有人问有关DB3的问题。想系统的介绍一下DB3,把一些过去发表过的观点和数据整合一下放到这个帖子里。

各位朋友有问题请提出。

时间随机,勿急。

该帖子不涉及品牌,如有和品牌有关的问题请用其它方式提出。

有些东西比较基础,有些观点可能会有异议。高手勿笑。

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jqun
LV.6
2
2011-03-09 15:36

先介绍常规的参数。

1、Vbo    转折点电压;通用标准28-36V

2、Ibo    转折点电流,就是在转折点的漏电,通用标准是100uA。

3、ΔV回弹电压,VBO-V(@I=10mA)  通用标准为5V

虽然3个参数很简单,但不能正确认识的人并不在少数。尤其是在线路里面遇到问题时不能正确的理解3个参数。

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jqun
LV.6
3
2011-03-09 15:43

DB3在电路里面主要是3个地方。

1是启动部分。

2是保护部分。

3调速电路。本电路和照明无关,不说了。

先简单说一下,最好和厂家说明你是哪一部分用,可以省去一些可能会有的麻烦。

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jqun
LV.6
4
2011-03-09 15:56

关于塑封和玻封的区别

下面是在另外一个帖子里面的内容:

玻封、塑封指的是封装体。芯片的根本结构不一样,塑封的采用OJ的芯片,玻封的每个芯片周围有氧化硅保护。他们的差别就像一般的4007和GPP的4007一样。玻封的芯片要比塑封的芯片可靠性要高,寿命长,高温特性要好。这一点是不可否认的。

但具体到市场上常见的玻封、塑封DB3哪种好。这是在不好说。千差万别。建议大家还是通过统计和实验来确认。但对于同样的主流品牌,应该是玻封的要好。

上面有朋友说,高温时玻璃有裂纹,这没有听说过。除非是买到质量不好的货或者在使用中存在异常。

很多的大公司在考虑了价格因素后,高端的产品用玻封的,便宜的用塑封的。大家自己衡量。但还有句话,够用就好,也请大家衡量。

下面这个表供参考

塑封DB3和玻封DB3的对比

对比项目

塑封DB3

玻封DB3

体积

芯片

OJ

GPP

常规参数

满足通用规格书

满足通用规格书

高温可靠性

寿命

够用

可靠性

够用

防潮性

低(非气密封装)

高(气密封装)

产品质量批次一致性

失效特点

失效平均分配在整个过程

失效多集中在前几次工作

用户评价

一般产品够用

高可靠性产品够用

制程周期

制程环保

环保

 

 

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jqun
LV.6
5
2011-03-09 16:01

关于DB3的常规测试和可靠性测试(主要是电性方面)

现在市面上DB3的种类和厂家已经比较多了,产品的品质鱼龙混杂,哪怕是同一个厂家的品质也会有批次的差异、不良。我们应该尽量将这种不良的品牌、不良的批次在入厂检验中发现,做相应的处理。

常规测试:一般就是用晶体管图示仪测试DB3的图形是否正确。

可靠性测试:测试高温时图形是否有明显异常?另外可以按规格书里面的测试电路自己做一个电路,让DB3不停的触发,分别在高温和常温下测试,这样可以发现所有可以引起不能触发的原因。尽量加大取样支数。

年前,为了自己使用方便自己做了一个老化、测试板。目的就是用于考核DB3的参数和可靠性。另外也可以用于分析不良。板子还没有拿到手。实验好后,我会把版图放到这里。

另外哪位指点一下,怎样上传PCB附件。

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2011-03-09 17:21
@jqun
关于DB3的常规测试和可靠性测试(主要是电性方面)现在市面上DB3的种类和厂家已经比较多了,产品的品质鱼龙混杂,哪怕是同一个厂家的品质也会有批次的差异、不良。我们应该尽量将这种不良的品牌、不良的批次在入厂检验中发现,做相应的处理。常规测试:一般就是用晶体管图示仪测试DB3的图形是否正确。可靠性测试:测试高温时图形是否有明显异常?另外可以按规格书里面的测试电路自己做一个电路,让DB3不停的触发,分别在高温和常温下测试,这样可以发现所有可以引起不能触发的原因。尽量加大取样支数。年前,为了自己使用方便自己做了一个老化、测试板。目的就是用于考核DB3的参数和可靠性。另外也可以用于分析不良。板子还没有拿到手。实验好后,我会把版图放到这里。另外哪位指点一下,怎样上传PCB附件。
JQUN兄弟能不能请教你一问题啊。回弹电压是指那个电压呢?VBO-V这个V指的是什么。、呵呵。我对DB3不是很理解。多谢指教了
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ebenshi
LV.8
7
2011-03-09 21:16
@wmjiao1984
JQUN兄弟能不能请教你一问题啊。回弹电压是指那个电压呢?VBO-V这个V指的是什么。、呵呵。我对DB3不是很理解。多谢指教了

 不错,顶一你.你还差个图,帮你补上.

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wei520
LV.6
8
2011-03-09 21:18
@jqun
关于塑封和玻封的区别下面是在另外一个帖子里面的内容:玻封、塑封指的是封装体。芯片的根本结构不一样,塑封的采用OJ的芯片,玻封的每个芯片周围有氧化硅保护。他们的差别就像一般的4007和GPP的4007一样。玻封的芯片要比塑封的芯片可靠性要高,寿命长,高温特性要好。这一点是不可否认的。但具体到市场上常见的玻封、塑封DB3哪种好。这是在不好说。千差万别。建议大家还是通过统计和实验来确认。但对于同样的主流品牌,应该是玻封的要好。上面有朋友说,高温时玻璃有裂纹,这没有听说过。除非是买到质量不好的货或者在使用中存在异常。很多的大公司在考虑了价格因素后,高端的产品用玻封的,便宜的用塑封的。大家自己衡量。但还有句话,够用就好,也请大家衡量。下面这个表供参考塑封DB3和玻封DB3的对比对比项目塑封DB3玻封DB3体积大小芯片OJGPP常规参数满足通用规格书满足通用规格书高温可靠性差好寿命够用高可靠性够用高防潮性低(非气密封装)高(气密封装)产品质量批次一致性低高失效特点失效平均分配在整个过程失效多集中在前几次工作用户评价一般产品够用高可靠性产品够用制程周期长短制程环保不环保  
高温时玻璃有裂纹,我也的确遇到过,用的是ST的,是不是正品就不知道了,一下锡炉浸锡时间稍长就裂了,轻轻一掰就断了,不过我的对策是把DB3立插,这样就没了。平插温度高了就会有,而且就算不裂失效的也多!
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2011-03-09 22:01
貌似听说弹回电压大,DB3自身功耗小,那对于电路来说到底在多少的区间合适!
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雨太小
LV.8
10
2011-03-12 10:24
@renshi_789
貌似听说弹回电压大,DB3自身功耗小,那对于电路来说到底在多少的区间合适!

越大越好,这样你设计电路上的那个电容可以小些。不过电容确定了,就要选合适的回弹电压,保证能启动和小功耗

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flute
LV.8
11
2011-03-12 12:19
@jqun
先介绍常规的参数。1、Vbo   转折点电压;通用标准28-36V2、Ibo   转折点电流,就是在转折点的漏电,通用标准是100uA。3、ΔV回弹电压,VBO-V(@I=10mA) 通用标准为5V虽然3个参数很简单,但不能正确认识的人并不在少数。尤其是在线路里面遇到问题时不能正确的理解3个参数。
同志们,还有一个很重要的参数:IF(正向电流)
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chzj
LV.6
12
2011-03-14 11:41
如果线路需要让DB3不间断24小时工作,应该注意什么?普通节能灯线路,电容22N,触发频率大概1.5~2KHZ,大部分时间处于通电不接灯管状态,,
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雨太小
LV.8
13
2011-03-14 12:18
@chzj
如果线路需要让DB3不间断24小时工作,应该注意什么?普通节能灯线路,电容22N,触发频率大概1.5~2KHZ,大部分时间处于通电不接灯管状态,,

串个电阻,如果能把电容改小就改小。DB3也怕热的

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chzj
LV.6
14
2011-03-14 12:35
@雨太小
串个电阻,如果能把电容改小就改小。DB3也怕热的

确实怕热,我将它加热到100度,弹回电压就有不小的变化了,降温后回不到初始状态了.大概要相差4V左右,

电阻已经加了,电流也从1.2A降到0.8A,这个电流对三极管和电容会有多大的影响?

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jqun
LV.6
15
2011-03-15 15:31
@jqun
先介绍常规的参数。1、Vbo   转折点电压;通用标准28-36V2、Ibo   转折点电流,就是在转折点的漏电,通用标准是100uA。3、ΔV回弹电压,VBO-V(@I=10mA) 通用标准为5V虽然3个参数很简单,但不能正确认识的人并不在少数。尤其是在线路里面遇到问题时不能正确的理解3个参数。

先传一张用晶体管图示仪测试DB3时的图形。 

V3是VBO.曾经有客户认为v2是VBO,据说是某塑封DB3厂家这样给他们介绍的。只要明白vbo的意义应该不难明白,那些给别人介绍说V2是VBO的工程师,你可是够坏的,要么就是够笨。下图是这只DB3用规格书里面的测试线路测试时,DB3两端的波形。条件如下:输入电压45Vdc,电容104,串联电阻82K,负载电阻为0.

   

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jqun
LV.6
16
2011-03-15 15:32
@flute
同志们,还有一个很重要的参数:IF(正向电流)
怎么理解?
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jqun
LV.6
17
2011-03-15 15:40
@jqun
先传一张用晶体管图示仪测试DB3时的图形。[图片] V3是VBO.曾经有客户认为v2是VBO,据说是某塑封DB3厂家这样给他们介绍的。只要明白vbo的意义应该不难明白,那些给别人介绍说V2是VBO的工程师,你可是够坏的,要么就是够笨。下图是这只DB3用规格书里面的测试线路测试时,DB3两端的波形。条件如下:输入电压45Vdc,电容104,串联电阻82K,负载电阻为0.[图片]   

在解释上面图形。

1、ΔV是V3-V1

2、实际特性图形和规格书里面的图形差别很大,可能会引起误解,曾经就有人说“我就要你们规格书里面那种图形的”,那种图形基本上是见不到的,除非是坏了。

3、ΔV在当成标准时是特指10mA时的回弹电压。在实际电路里面的回弹电压是和电流由关系的,参考示波器的波形可知,在该电路条件下,回弹电压为22.8V

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chzj
LV.6
18
2011-03-16 08:35
@jqun
先传一张用晶体管图示仪测试DB3时的图形。[图片] V3是VBO.曾经有客户认为v2是VBO,据说是某塑封DB3厂家这样给他们介绍的。只要明白vbo的意义应该不难明白,那些给别人介绍说V2是VBO的工程师,你可是够坏的,要么就是够笨。下图是这只DB3用规格书里面的测试线路测试时,DB3两端的波形。条件如下:输入电压45Vdc,电容104,串联电阻82K,负载电阻为0.[图片]   

我发现手头上的样品中大厂出的价格高的都是回弹电压约等于转折电压(电路上实测电容上的电压波形),一些小厂出的多是和你第二图差不多的波形,导致这个现象的原因是什么?和芯片有关吗?

我喜欢用回弹电压高的,在镇流器上启动性能会比较好,

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jqun
LV.6
19
2011-03-17 08:07
@chzj
我发现手头上的样品中大厂出的价格高的都是回弹电压约等于转折电压(电路上实测电容上的电压波形),一些小厂出的多是和你第二图差不多的波形,导致这个现象的原因是什么?和芯片有关吗?我喜欢用回弹电压高的,在镇流器上启动性能会比较好,

你说的这个现象是芯片的特点造成的。但这不决定器件的好与坏。

另外,你的电容是否是223?电容越小,不同的芯片差别越大。

但DB3在电流越大时的(导通)电压越小,这是肯定的。

只要回弹电压达到一定的值就可以了,启动没有影响。实际上影响启动的不是回弹电压的高低,而是在回弹电压低的时候,某些其它的参数不是很好。

另外,如果你可以测试触发时电流的话可以发现,你认为大厂的那些电流要小。

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jqun
LV.6
20
2011-03-17 08:12
@chzj
如果线路需要让DB3不间断24小时工作,应该注意什么?普通节能灯线路,电容22N,触发频率大概1.5~2KHZ,大部分时间处于通电不接灯管状态,,

电子变压器中的DB3就是一直在工作的。

当然,DB3不是功率器件,散热不好。但实际上,只要他是触发作用,功耗是很小的,这个可以算出来。

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jqun
LV.6
21
2011-03-17 08:16
@chzj
确实怕热,我将它加热到100度,弹回电压就有不小的变化了,降温后回不到初始状态了.大概要相差4V左右,电阻已经加了,电流也从1.2A降到0.8A,这个电流对三极管和电容会有多大的影响?

一般的DB3都是按照规格书里面的曲线变化的。到100℃时大概要增大1-2V。其它的变化都是异常的。但这种异常是比较常见的,有的会影响使用,有的没有影响。

但温度恢复后,特性也会恢复,否则勿用。

高温时,漏电不要变得异常大,否则勿用。

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jqun
LV.6
22
2011-03-17 08:22
@jqun
在解释上面图形。1、ΔV是V3-V12、实际特性图形和规格书里面的图形差别很大,可能会引起误解,曾经就有人说“我就要你们规格书里面那种图形的”,那种图形基本上是见不到的,除非是坏了。3、ΔV在当成标准时是特指10mA时的回弹电压。在实际电路里面的回弹电压是和电流由关系的,参考示波器的波形可知,在该电路条件下,回弹电压为22.8V

VBO需要注意的地方。

1、VBO不是一个定值,和两端的电压上升率有关。

2、在启动电路里面,VBO的绝对值是没有意义的,不会因为偏大或偏小影响启动。我想学线路的都应该明白,也非常清楚。如果对这一点还有异议的,自己多学学电路。当然,这么说并不是要求各位不对这个参数要求,只是碰到问题时不要朝这儿使劲。但凡事都有例外,有一些非常特殊的电路会有影响,但这种线路非常少见。各位可以不考虑。

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jqun
LV.6
23
2011-03-17 08:26
@jqun
在解释上面图形。1、ΔV是V3-V12、实际特性图形和规格书里面的图形差别很大,可能会引起误解,曾经就有人说“我就要你们规格书里面那种图形的”,那种图形基本上是见不到的,除非是坏了。3、ΔV在当成标准时是特指10mA时的回弹电压。在实际电路里面的回弹电压是和电流由关系的,参考示波器的波形可知,在该电路条件下,回弹电压为22.8V

IBO需要注意的地方。

曾经碰到过两个比较大的客户,(其中一个是国内最大之一)是由于没有注意IBO而导致异常的。设计时请按100uA设计。

下面几种情况请留意:

1、DB3前面的电容是通过一串电阻的组合加到高压端的。

2、需要低压启动的。

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jqun
LV.6
24
2011-03-17 08:34
@jqun
在解释上面图形。1、ΔV是V3-V12、实际特性图形和规格书里面的图形差别很大,可能会引起误解,曾经就有人说“我就要你们规格书里面那种图形的”,那种图形基本上是见不到的,除非是坏了。3、ΔV在当成标准时是特指10mA时的回弹电压。在实际电路里面的回弹电压是和电流由关系的,参考示波器的波形可知,在该电路条件下,回弹电压为22.8V

另外,我也想问各位。

有没有人可以明确的提出,电路启动时,DB3的电流要求怎样?包括峰值、脉宽。

过去曾经在某帖子里面问过,当时有一位提出过一个算法。我觉得有一定道理,是可以解释的通的。依据该算法,实际需要电流是非常小的。而且有位工程师曾经提过一个线路,他认为很好。该线路的电流非常小。因此我也没有刻意的去研究电流的下限。但前一段时间,某公司出现过由于该电流小(DB3已经触发,电流约500mA)导致电路无法启动,请大家适当留意。

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chzj
LV.6
25
2011-03-17 09:37
@jqun
你说的这个现象是芯片的特点造成的。但这不决定器件的好与坏。另外,你的电容是否是223?电容越小,不同的芯片差别越大。但DB3在电流越大时的(导通)电压越小,这是肯定的。只要回弹电压达到一定的值就可以了,启动没有影响。实际上影响启动的不是回弹电压的高低,而是在回弹电压低的时候,某些其它的参数不是很好。另外,如果你可以测试触发时电流的话可以发现,你认为大厂的那些电流要小。

是223,

确实线路都可以调到用回弹电压很小的DB3也能触发,但有些在半桥已经调到很好工作状态的时候需要回弹电压大的,而为了适应回弹电压小的DB3往往要改参数,有些会增加成本,,,

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chzj
LV.6
26
2011-03-17 09:40
@jqun
一般的DB3都是按照规格书里面的曲线变化的。到100℃时大概要增大1-2V。其它的变化都是异常的。但这种异常是比较常见的,有的会影响使用,有的没有影响。但温度恢复后,特性也会恢复,否则勿用。高温时,漏电不要变得异常大,否则勿用。
上一批刚出过我所说的现象,同厂家联系后说是发错了,很是郁闷,买的不如卖的精,,
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jqun
LV.6
27
2011-03-17 10:37
@chzj
上一批刚出过我所说的现象,同厂家联系后说是发错了,很是郁闷,买的不如卖的精,,

玻封DB3会有变化异常的,但是还没有见过变化到影响使用的。

塑封的DB3听说过有变化到不能用的,但没有批量见过。也只是偶尔测试到明显异常的。

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jqun
LV.6
28
2011-03-18 13:38
@jqun
先传一张用晶体管图示仪测试DB3时的图形。[图片] V3是VBO.曾经有客户认为v2是VBO,据说是某塑封DB3厂家这样给他们介绍的。只要明白vbo的意义应该不难明白,那些给别人介绍说V2是VBO的工程师,你可是够坏的,要么就是够笨。下图是这只DB3用规格书里面的测试线路测试时,DB3两端的波形。条件如下:输入电压45Vdc,电容104,串联电阻82K,负载电阻为0.[图片]   

关于封装形式。

现在市面常见的是塑封DO-41;玻封DO-35;玻封MINIMELF表贴。

另外,为了便于自动贴片,为了适合长插生产工艺。也有SOD-123;SOT-23

 

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jqun
LV.6
29
2011-03-18 14:32
@jqun
另外,我也想问各位。有没有人可以明确的提出,电路启动时,DB3的电流要求怎样?包括峰值、脉宽。过去曾经在某帖子里面问过,当时有一位提出过一个算法。我觉得有一定道理,是可以解释的通的。依据该算法,实际需要电流是非常小的。而且有位工程师曾经提过一个线路,他认为很好。该线路的电流非常小。因此我也没有刻意的去研究电流的下限。但前一段时间,某公司出现过由于该电流小(DB3已经触发,电流约500mA)导致电路无法启动,请大家适当留意。

 在启动电路里面,真正起作用的是DB3触发时给后级电路(三极管)提供的电流值。在其他条件一样的情况下VBO、ΔV、电容值、线路等效电阻等都分别会对电流产生影响,这是大家都知道的,也是比较好理解的。但另外请注意,即使以上参数都一样,不同厂家的DB3产生的电流也有比较大的差别,线路里面RC越短,差别越大。下面是市场常见的主流的DB3不同电流图形2mA/mV.电容223,负载电阻为0.

   

 

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jqun
LV.6
30
2011-04-01 14:23
@jqun
关于封装形式。现在市面常见的是塑封DO-41;玻封DO-35;玻封MINIMELF表贴。另外,为了便于自动贴片,为了适合长插生产工艺。也有SOD-123;SOT-23等 

给大家推荐一下平面形式的表贴,市面常见的是SOT-23.

特点是,表贴、平面、超薄。适合自动化生产,适合长插工艺,可以后切脚。这些特点使得它比玻封MINMELF使用方便。可以消除玻封断管、抛料等固有的不良。另外内部采用“焊接”方式,玻封产品初期不良率相对较大的毛病也没有了。另外,芯片的特点和玻封的一样,高温特性等和玻封产品一样,比塑封同轴的要好。

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jqun
LV.6
31
2011-04-01 14:27

另外,谁说好也白搭。厂家都说自己的东西好。

最重要的还是要自己建立评价体系,包括产品的入厂检验、可靠性考核、不良率的统计。

 

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