【讨论】期待大家讨论：开机瞬间MOS的漏极之峰值电压！

首先想到的，便是变压器的漏感！似乎不尽然。先回去找找资料再来！

开机时，一次侧电流峰值是比较大的，此时漏感储存的能量也是相当大，当然叠加在ds上的电压尖峰也大了。

比如正常工作mos反压570v，开机瞬间可达到680v。好象IC有软启动功能可解决这个问题。

关键词：mos

为什么说刚开始工作时，RCD吸收不起作用呢？？？

这只是我的个人理解，不一定正确，或者起的作用比较小，不如工作一段时间后那么有效果。

这也反映在我的测试上。冲击时是比较大的，待其工作一会后，会降下来的。没有开机瞬间那么大。

的确。IC的缓启动是可以解决的。这个可以从它的发生机理上看出。

启机瞬间，反馈尚未建立，IC急于输出电压，驱动脉宽大，造成。不知理解准确否？

1  对电路增加缓启动电路，颗抑制开机过冲

2  在不影响过流点的前提下，尽量将初级电流检测电阻放大，也可抑制过冲

这个是不是也和MOS的雪崩量有关呢？

有的朋友说：这个反峰MOS的雪崩可以自己吸收，不会坏管。这样是否靠谱？

确实，一直以来做冲击测试也好，开机也好，都没有坏管。不过感觉还是不好！

关键词：MOS

你说，我把IC的启动电阻增大，让IC的启动不那么快！

您说可行吗？

这个跟工作状态DCM,CCM有关系吗？

有什么关系？

那自然是满载。空载，貌似没有意义吧！

找到了你之前的帖子http://bbs.dianyuan.com/topic/607565。呵呵！

我这颗IC本身具有软启动这个功能。

不是启动电阻，是将初级限流电阻增大

你现在没有坏，只能说明你现在的这颗MOS可以承受620V的尖峰电压。但是不等于颗颗都可以。不信，你就看批量生产中有没有开机炸机的。

另外:600V的MOS，厂家晶圆在做的时候基本上都是按680V的承受指标来做的。但是，由于差异性，有的可能可以承受680V，有的可能只能承受600多一点，而厂家的测试标准是按600V来测试的，这就是厂家为了批量生产的良品率而放的余量，所以，我们在使用的过程中，也应该放置余量，不建议超负荷使用。

还有就是，MOS管的规格书中，确实有关于雪崩能量的数据，问题在于，他所给出的这个雪崩能量的数据是厂家在特定的温度下，特定的频率下，特定的占空比下测试给出的，那么，针对于我们实际使用中所超出的这部分尖峰电压，

有谁能计算出这部分能量肯定没有超出MOS规格书中所定义的雪崩能量，所以，MOS管在使用过程中的反峰电压一定不能超过MOS管所规定的电压，并应该适当放些余量。

关键词：MOS管

的确如此！我也有这方面考虑。单个并不能代表所有！

限流电阻？是和MOS串联的那个设置过流点的那个电阻吧？不能动了，以前调试反复很多次才确定下来比较合适的值。

很多东西回过头来看，才发现有些细节做的不好！看来路还很长啊！

关键词：MOS

我理解你的意思！

你指的是：和MOS串联的、设置过流点的那个电阻。对吧？

我说启动电阻，是想延迟IC工作时间。这是我自己考虑的。今天试了下，感觉没有效果·。

关键词：MOS

 请高手来帮我看看这个问题！

蓝色是Vds，绿色是驱动。

在264V输入，开机瞬间，过冲电压，但此时，IC还没有启动，尚未工作，此能量是否会造成MOS损坏？能否解决？不可再加大电容！

关键词：MOS

遇到过这样的问题.

1.减少输出电容的容量有效减少MOS的反峰

2.增加了瞬变抑制二极管,参数选择正常工作时不导通.

关键词：MOS  二极管

这是反激的 单级PFC，由于没有大电容。造成的。 此时离IC启动还远着呢，跟任何IC没有关系。是AC电压在峰值90度或270度的时候产生。

我想他说的应该是NTC。