『求助』为何老烧毁MOSFET管,请各位大侠指教,谢谢!

Ton 决定Id   可提高它的频率,  还有测测死区的时间是不是太长了!

看过Q1的射极的波形没有?控制信号的电压幅值是多少?

要求的频率不能变呀,只能改变脉宽以调整开关电流.

Q1射极与输入端的波形是一样的,一个很标准的方波,控制信号的幅值约12V

我也深有感触,减小占空比就不热  OK   那你是为什么要改变它的占空比呢?
   那就选用Ton 时间长的管子

调占空比主要是控制负载的电流,在最大、中值、最小占空比都没问题,唯独在80%占空比的地方最热,烧管子.
Ton时间长的管子好像Ron也相应的大呀,那发热也不能解决呀,感谢您提醒,我再选几个管子试试.

肯定D=80%的时候G极的波形正常,看看DS之间的波形,应该有异常的.上升时间,下降时间等等.

换变压器!

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上图是占空比为50%的时候,栅极对地的波形.
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上图是占空比为50%的时候,栅极对源极的波形.
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上图是占空比为70%的时候,也就是容易烧管子的时候栅极对源极的波形.

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上图是占空比为70%的时候,漏极对源极的波形.
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上图是占空比为70%的时候,漏极对源极的展开波形.
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上图是占空比为70%的时候,漏极对源极的进一步展开波形.

是了;计算一下这个时间内你的管子会发热多少?你的热阻和环境温度.想想怎么处理掉这个异常的尖峰.

减小R1(C1也有点大),在Q2,Q4的C,E端并接一个电阻,阻值要大以降低Q值,另外可以在G,S端采用保护电路

换个管子试一下吧

这个电路我试过了 啊 !  
对了 !顺便问一下:怎样能把驱动加快一点!我现在在栅-源极的波形的
前沿和后沿的上生速度都在200NS左右,要是提高栅极速度不知道能不能
降低一点温度.谢谢帮忙!

MOSFET管不可以缓冲并联使用

3205单管我最大做到120W

请教一下你的开关频率有多高啊!

加快开通速度就减小栅极电阻

MOS管不可以并联???你得说清楚的,你是指驱动端后能并联,驱动电路不能并联把

我是MOS管并联的----也就是驱动电路没有并联---只是MOS管并联

R2、R3、R4、R5太大了,换成2 ohm;Q2,Q4的C,E端并接的电阻是10K或者20K.

烧毁的原因是功率在MOS管上过大.有一种原因是C1的原因,去掉C1使变化速率加快,减轻MOS上慢关断带来的发热,(导通电阻逐渐变大).

说的比较有道理;不是非常明白C1的作用.

C1应该是加速关断吧,虽然用的有点重复

没有什么好处!

C1应该起加速开通关断作用的

C1是防止righ的,I think!

righ是什么意思?晕

C1还是需要的,起加速开关作用,我上面说错了.正常情况S8050处于饱和状态,那么基极1K的电阻是否太大了,适当降低阻值和容值如13贴CUKE所说那样,也许会解决问题.

可以看看你用的MOS器件的寄生电容,是否输入电容有点大?
可以通过增大输入电流的方法来加快器件的开关,具体可以通过12V电源来弥补或者采用较大电流输出的IC,如果想加速开关器件,可以减小栅极电阻的阻值亦或者在栅极电阻上并接二极管来实现.
另外,图中的四管并联,个人觉得没有必要那么复杂