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30W PFC L6562 调试时出现的问题

 

小生在用6562做个30WPFC时出现一问题不解,100-150V低压时PFC带载不起。查出来是VCC供电不足。把图中C5从103加大到333可以解决问题。但是加大后R14上温度很高。整机效率也就下来了。

所以在此请教下各位,针对VCC供电不足这个问题,是否我的PFC电感参数有问题。我的匝比参数是130T:16T   L=2mm。

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shayu1000
LV.8
2
2011-03-30 09:30
有没有把稳压管摘掉试试看
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2011-03-30 09:34
@shayu1000
有没有把稳压管摘掉试试看

把稳压管取下后。不工作。

 

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shayu1000
LV.8
4
2011-03-30 09:35
@luobiao168
把稳压管取下后。不工作。 

此时的VCC多高?

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2011-03-30 09:42
@shayu1000
此时的VCC多高?
不带载时有16V。PFC输出有400V,一加载。VCC就掉下去了。输出也降到了PFC不工作时的AC*1.41的电压。
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2011-03-30 09:46
@luobiao168
不带载时有16V。PFC输出有400V,一加载。VCC就掉下去了。输出也降到了PFC不工作时的AC*1.41的电压。

电容加到333就可以。但R14的损耗大了。是不是PFC电感匝比要调。

现在NP/NS=8.6666

 

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ballastt
LV.6
7
2011-03-30 09:52
@luobiao168
电容加到333就可以。但R14的损耗大了。是不是PFC电感匝比要调。现在NP/NS=8.6666 

C29加大实验一下,两个180K 的可以降低到150K(启动能快点)

加大匝比 ,还不如把100欧姆的电阻减小到30欧姆左右,几个并联。

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2011-03-30 09:53

适当增大R14,启动会慢吧,也许可以,因为正常工作,R14上不断耗电

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ballastt
LV.6
9
2011-03-30 09:59
@luobiao168
电容加到333就可以。但R14的损耗大了。是不是PFC电感匝比要调。现在NP/NS=8.6666 
还有一个方法就是MOS的驱动电阻变成300欧姆以上,但一定要加一个反向放电的二极管,否者MOS会飞掉。
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luobiao168
LV.6
10
2011-03-30 10:02
@weirongshi
适当增大R14,启动会慢吧,也许可以,因为正常工作,R14上不断耗电
C29曾加大试过。没用。 180K也试过的。/    100R换33R试过。 MOS 驱动也试过个47R的。都没作用才发的贴。
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ballastt
LV.6
11
2011-03-30 10:11
@luobiao168
C29曾加大试过。没用。180K也试过的。/   100R换33R试过。MOS驱动也试过个47R的。都没作用才发的贴。

MOS   驱动,加大到390欧姆,一定加反向二极管。同时,100R=>>10欧姆,1W的。

一定不要单个试了,就说不行。在就是10NF不行还有15NF 的。不要飞到33NF

无负载,能启动,是因为整流桥后面的电容,在无负载的时候,他的电压时1.4*VIN。

带载的时候,电容上电压下降。输出的电源电压不够。你先把外围的参数调到最好。盲目的加大匝比,损耗会更大。

如果功率因数能满足的话,整流桥后面的电容可以考虑用更大一点的电解。

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luobiao168
LV.6
12
2011-03-30 10:42
@ballastt
MOS  驱动,加大到390欧姆,一定加反向二极管。同时,100R=>>10欧姆,1W的。一定不要单个试了,就说不行。在就是10NF不行还有15NF的。不要飞到33NF无负载,能启动,是因为整流桥后面的电容,在无负载的时候,他的电压时1.4*VIN。带载的时候,电容上电压下降。输出的电源电压不够。你先把外围的参数调到最好。盲目的加大匝比,损耗会更大。如果功率因数能满足的话,整流桥后面的电容可以考虑用更大一点的电解。
驱动加到300R。驱动波形明显变形了。都快成三角波了。
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ballastt
LV.6
13
2011-03-30 10:50
@luobiao168
驱动加到300R。驱动波形明显变形了。都快成三角波了。

不好意思,那得看一下MOS的参数,结电容是不是很大。

可以用英飞凌的4N60,导通电阻为0.9左右。能满足30W的要求。2元多点。

因为,6562的主要损耗,在驱动这块,能降低最好。

电容15NF,以上参数都不行的话,只能变匝比了。

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ballastt
LV.6
14
2011-03-30 10:58
@luobiao168
驱动加到300R。驱动波形明显变形了。都快成三角波了。

另外,你的参数是80W的参数。

而按照30W来算的话:

我粗略算了一下,整流桥后面的电容可以加大,但功率因数会变小。

电感量上限在3.3MH左右,MOS采样电阻上限在1.2欧姆左右。

整个电路的峰值电流在1.2 安培左右。MOS 的有效值在0.4安培。

可以采用小一点的MOS。好驱动,并且价格好。

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luobiao168
LV.6
15
2011-03-30 11:12
@ballastt
另外,你的参数是80W的参数。而按照30W来算的话:我粗略算了一下,整流桥后面的电容可以加大,但功率因数会变小。电感量上限在3.3MH左右,MOS采样电阻上限在1.2欧姆左右。整个电路的峰值电流在1.2安培左右。MOS的有效值在0.4安培。可以采用小一点的MOS。好驱动,并且价格好。

我用的是5N60,电感2mH 匝比。130:16  取样电阻是1R ,准备把匝比改到130:14

 

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ballastt
LV.6
16
2011-03-30 11:36
@luobiao168
我用的是5N60,电感2mH匝比。130:16  取样电阻是1R,准备把匝比改到130:14 

走错方向了,匝比该减小!次级增加!

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luobiao168
LV.6
17
2011-03-30 11:44
@ballastt
走错方向了,匝比该减小!次级增加!
我是想把匝比加大。把C15是加大。
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luobiao168
LV.6
18
2011-03-30 14:08
@luobiao168
我是想把匝比加大。把C15是加大。

先别沉

 

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