低压输入的时候，电流应力比较大。损耗也会比较大。你测一下MOS的温度。
另外，最大占空比在多少？测一下低压输入的时候，MOS的波形看看。
我也是想看看这个状态下的波形，是不是占空比太大得话容易出现问题？上次有人说如果把次级线圈增加一圈的话，提高输出电压，降低占空比会有效果。
到时测下PWM波形看看，占空比究竟如何。现在正在联系供货商，看看有否40N1200的管子替代。麻烦的是不带D的啊。又碰到IGBT一直缺货啊。
是不是管子的电流应力不够。
期待波形。有可能是power on的时候温度瞬间过高
先上个图看下吧。
双管正激如何要用这么高耐压的管子？耐压高的管子其内阻会更大，导通损耗也会大。你的输入电压并不高呀，500V的管子余量已经很大了，用47N60C3的coolMOS试试吧
就上些波形图吧
变压器参数来啦：初级￠1.80漆包线绕2X15T,电感量720uH。次级2.26X6.4mm扁铜丝包线8T,电感量210uH。
IGBT型号：G30N60A4(不带D)
哦，工作频率66k。输出电压要求是40v80a的。
你的变压器工作频率是多少？￠1.80漆包线的集肤效应会非常明显
有没有测试线包温度？
大师你好：变压器工作频率就是66k，变压器厂家改为铜带绕制了。温度没有测，因为变压器用环氧导热胶固定在旁边的腔室中了。下面的波形应该是空载时的变压器次级输出波形。
不要叫我大师，跟论坛其他网友一样叫我冰版吧
低压部分带不起负载，可以看看初级电流环路是否有动作，变压器是否饱和趋势或现象，还有就是你的IGBT电流应力是否有足够的余量
变压器最好用多股线绕制，因为功率较大，一般都是直接引线，所以绕制工艺反而更简单
等待新购管子的过程中，呵呵。现在又怀疑，是不是由于低输入电压情况下，脉宽太宽，电流太大，造成变压器磁饱和，然后炸管。准备测量初级电流波形看看。
原来电路中，在变压器初级有个电流互感器的，准备在互感器次级测量下电压波形，即是变压器初级电流波形。是不是这样呢？
哈哈，成本可以承受，空间不能承受。原来就用两个IGBT,TO247封装的。
变压器参数：初级￠1.80漆包线绕2X15T,电感量720uH。次级2.26X6.4mm扁铜丝包线8T,电感量210uH。EE70。电感参数：EE70，2.5X7.5毫米扁铜丝包线12匝，加电感量为420uH。输出电压，40V80A.
成本能接受还有办法，你的空间现在还有多少富余？改回两个或者装大一点封装的能放下不？如果不行的话就麻烦了，要动大手术。。。
