• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

有关MOS驱动的问题

我用额定为40A的MOS做导通开关用,当电流大于10A时,导通电阻明显增大,结温迅速升高,是什么原因呢?请大家多多指教,积极发言!
全部回复(23)
正序查看
倒序查看
迷路羔羊
LV.3
2
2005-12-31 15:47
是和驱动有关系么
0
回复
sharpen
LV.2
3
2006-01-01 01:02
@迷路羔羊
是和驱动有关系么
MOS管的通态电阻是正温度系数的,电流大了~温度升高~通态电阻变大~温度继续升高,是一个正反馈过程,一般用管子都会降额使用,保险点用到30%以下.我是这么认为的,不知道对不,仅供参考
0
回复
迷路羔羊
LV.3
4
2006-01-04 12:33
@sharpen
MOS管的通态电阻是正温度系数的,电流大了~温度升高~通态电阻变大~温度继续升高,是一个正反馈过程,一般用管子都会降额使用,保险点用到30%以下.我是这么认为的,不知道对不,仅供参考
谢谢
0
回复
蒲公英的翅膀
LV.6
5
2006-01-04 14:29
@sharpen
MOS管的通态电阻是正温度系数的,电流大了~温度升高~通态电阻变大~温度继续升高,是一个正反馈过程,一般用管子都会降额使用,保险点用到30%以下.我是这么认为的,不知道对不,仅供参考
电流大了->温度升高->通态电阻变大->电流变小->温度降低,这也正是MOS管易于实现并联的原因,是一个负反馈的过程而非正反馈!!
0
回复
wjoyn
LV.6
6
2006-01-04 14:51
@蒲公英的翅膀
电流大了->温度升高->通态电阻变大->电流变小->温度降低,这也正是MOS管易于实现并联的原因,是一个负反馈的过程而非正反馈!!
赞成5帖的说法
0
回复
sharpen
LV.2
7
2006-01-10 21:48
@蒲公英的翅膀
电流大了->温度升高->通态电阻变大->电流变小->温度降低,这也正是MOS管易于实现并联的原因,是一个负反馈的过程而非正反馈!!
这个只是mos管并联时候的情况,当单个mos管的时候怎么会有这个负反馈过程呢!
另外你的并联分析很对的,学校里曾经最多用了11个mos并联,效果很好
0
回复
迷路羔羊
LV.3
8
2006-06-01 17:21
@wjoyn
赞成5帖的说法
哪个正确呢
0
回复
雪山无痕
LV.9
9
2006-06-01 17:23
@sharpen
MOS管的通态电阻是正温度系数的,电流大了~温度升高~通态电阻变大~温度继续升高,是一个正反馈过程,一般用管子都会降额使用,保险点用到30%以下.我是这么认为的,不知道对不,仅供参考
对呀!!!
0
回复
lucz123
LV.4
10
2006-06-01 22:34
@蒲公英的翅膀
电流大了->温度升高->通态电阻变大->电流变小->温度降低,这也正是MOS管易于实现并联的原因,是一个负反馈的过程而非正反馈!!
5帖说的对!
1千只也可以并联......
我们做VMOS已经20年了,实践证明过了......
但是,要采取一系列的措施......
0
回复
lucz123
LV.4
11
2006-06-01 22:39
@迷路羔羊
是和驱动有关系么
驱动电压太低......
如果有可能,搞到30V......
肯定有明显的效果......
20年的秘诀!!!

教科书上肯定让您搞在12V,至多不要超过18V.....
0
回复
雪山无痕
LV.9
12
2006-06-02 07:24
@lucz123
驱动电压太低......如果有可能,搞到30V......肯定有明显的效果......20年的秘诀!!!教科书上肯定让您搞在12V,至多不要超过18V.....
30V,太高了吧,管子本身的VGS的要求是+-20V
0
回复
雪山无痕
LV.9
13
2006-06-02 07:25
@lucz123
驱动电压太低......如果有可能,搞到30V......肯定有明显的效果......20年的秘诀!!!教科书上肯定让您搞在12V,至多不要超过18V.....
我想是驱动电阻太大的缘故吧
0
回复
protose
LV.7
14
2006-06-02 09:54
@雪山无痕
30V,太高了吧,管子本身的VGS的要求是+-20V
VGS越高,导通电阻越低,当然是要在安全的范围之内.
0
回复
迷路羔羊
LV.3
15
2006-06-03 12:13
@lucz123
驱动电压太低......如果有可能,搞到30V......肯定有明显的效果......20年的秘诀!!!教科书上肯定让您搞在12V,至多不要超过18V.....
到30V不会烧管子么,对管子的损耗有什么影响呢
0
回复
迷路羔羊
LV.3
16
2006-06-03 12:14
@lucz123
5帖说的对!1千只也可以并联......我们做VMOS已经20年了,实践证明过了......但是,要采取一系列的措施......
均流应该采取什么措施呀
0
回复
anson_wong
LV.4
17
2006-06-03 22:52
@迷路羔羊
哪个正确呢
说的都对,一麻事!
0
回复
jerry tsai
LV.1
18
2006-06-04 02:34
@迷路羔羊
到30V不会烧管子么,对管子的损耗有什么影响呢
要看哪一种Mos , 有些Mos Vgs耐压可以到 30V 有些不行, 你目前用的Mos是哪一型号, 工作频率 ,驱动电压多少呢?
0
回复
迷路羔羊
LV.3
19
2006-06-20 17:12
@jerry tsai
要看哪一种Mos,有些MosVgs耐压可以到30V有些不行,你目前用的Mos是哪一型号,工作频率,驱动电压多少呢?
我用的是40N50,工作频率20K,驱动电压是12V
0
回复
yzds409
LV.8
20
2007-02-20 20:42
@lucz123
5帖说的对!1千只也可以并联......我们做VMOS已经20年了,实践证明过了......但是,要采取一系列的措施......
请问什么措施呢?
0
回复
lqf537503
LV.5
21
2008-09-12 17:23
@迷路羔羊
我用的是40N50,工作频率20K,驱动电压是12V
驱动MOSFET与MOSFET的Crss有关,CRSS越大,需要的驱动电流越大,所以多管并联是有限制的
0
回复
蒲公英的翅膀
LV.6
22
2008-09-16 12:23
@lqf537503
驱动MOSFET与MOSFET的Crss有关,CRSS越大,需要的驱动电流越大,所以多管并联是有限制的
这个地方是MOSFET用在导通开关用的;所以你说的这个驱动电容方面的参数是在用作开关器件场合要认真考虑的,而且Crss并不决定驱动的难易,通常根据Qg来设计驱动更为合适……
0
回复
samszapl
LV.5
23
2008-09-16 14:27
@迷路羔羊
我用的是40N50,工作频率20K,驱动电压是12V
楼主你看一下要不要换了MOS试一下,用IXFH44N50P可能效果会改善一些!sam@szapl.com
0
回复
xinhhy
LV.4
24
2008-09-16 17:17
@samszapl
楼主你看一下要不要换了MOS试一下,用IXFH44N50P可能效果会改善一些!sam@szapl.com
发了两年了,还有人回复,真是好心肠啊!
0
回复
工程师都在看
三相电1500w24v开关电源最稳定成熟的设计是什么？
hzs_1002
开关电源第一讲（负载）
mwxpk
【有奖互动】工业电源深度对话 解锁PI能源新篇章
电源网-天边
250W反激恒压电源
dianyuanaihao
简单的PWM式MPPT
百能电器
立
即
发
帖