我用的是IGBT，上图是上下桥的驱动波形，死区时间大约2微秒（左图每格1微秒），右图是左图圆圈部分的放大，可以看出，上管的波形有毛刺，毛刺峰值大约3-4V，在有毛刺期间，上下桥都是高电平了！
请问：
1.这个毛刺会不会导致上下桥的直通？
2.针对左图中的几个毛刺，如何尽量消除呢？
谢谢~~
我用的是IGBT，上图是上下桥的驱动波形，死区时间大约2微秒（左图每格1微秒），右图是左图圆圈部分的放大，可以看出，上管的波形有毛刺，毛刺峰值大约3-4V，在有毛刺期间，上下桥都是高电平了！
请问：
1.这个毛刺会不会导致上下桥的直通？
2.针对左图中的几个毛刺，如何尽量消除呢？
谢谢~~
