LLC驱动IC中source电流和sink电流大小不同

最近有注意到，大部分驱动IC的source电流和sink电流都不一样大小，不知道其中原理，请帮忙分析

ST:L6598 是这样描述的

Driver current capability: 250 mA source

450 mA sink

TI:UCC25600

是这样描述的

Integrated Gate Driver With 0.4-A Source and

0.8-A Sink Capability

想了解IC为何这样设计？是因为成本？还是有其他原因不需要这两个电流一样大，请帮忙分析

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jacky_abcd

LV.3

2011-05-04 20:43

自己顶下！

LV.1

2011-05-05 07:13

这个不太清楚，感觉这个和驱动里面的电路有关吧？

jacky_abcd

LV.3

2011-05-05 08:10

这个不太清楚，感觉这个和驱动里面的电路有关吧？

谢谢仁兄回答，我想知道为什么要这样设计

LV.1

2011-05-05 08:40

@jacky_abcd

谢谢仁兄回答，我想知道为什么要这样设计

这个不太清楚。。

有可能是加快关断速度，减小关断损耗的。。

jacky_abcd

LV.3

2011-05-05 09:38

这个不太清楚。。有可能是加快关断速度，减小关断损耗的。。

多谢了。

让你记得我的好

LV.10

2011-05-05 11:07

因为LLC是零电压开关。其中，零电压开通的时候，由于没有miller效应，而且，开通的时候，MOS的电流是经过体二极管自S向D流动的。故而，驱动能力差点，开通速度慢一些没关系。

但是，零电压关断，是靠MOS自身的结电容和D、S上并联的电容缓冲来实现的。如果MOS关断速度不够快，那么损耗还是会比较大。因此要求关断速度足够快。所以对于sink的电流要求就比较高了。

wuzhonggui

LV.9

2011-05-05 11:53

@让你记得我的好

因为LLC是零电压开关。其中，零电压开通的时候，由于没有miller效应，而且，开通的时候，MOS的电流是经过体二极管自S向D流动的。故而，驱动能力差点，开通速度慢一些没关系。但是，零电压关断，是靠MOS自身的结电容和D、S上并联的电容缓冲来实现的。如果MOS关断速度不够快，那么损耗还是会比较大。因此要求关断速度足够快。所以对于sink的电流要求就比较高了。

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