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关于磁珠

磁珠上可以过40A的电流吗?
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大岩草
LV.1
2
2004-07-06 15:25
不可以,因为磁珠电阻较大
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xkw1
LV.9
3
2004-07-06 15:45
呵呵,磁珠会猛的一红,接着成碎块了,R5KB以上磁珠,通几百伏时可以达到40A!
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ayjspring
LV.2
4
2004-07-06 21:17
@大岩草
不可以,因为磁珠电阻较大
谢谢!
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ayjspring
LV.2
5
2004-07-06 21:17
@xkw1
呵呵,磁珠会猛的一红,接着成碎块了,R5KB以上磁珠,通几百伏时可以达到40A!
谢谢!
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ayjspring
LV.2
6
2004-07-06 22:19
@xkw1
呵呵,磁珠会猛的一红,接着成碎块了,R5KB以上磁珠,通几百伏时可以达到40A!
请问,一般的磁珠最大能过几安培的电流?
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chong
LV.5
7
2004-07-08 15:52
@xkw1
呵呵,磁珠会猛的一红,接着成碎块了,R5KB以上磁珠,通几百伏时可以达到40A!
"磁珠会猛的一红,接着成碎块"----
有那么严重?耸人听闻了吧.
磁珠的作用,状态,不在于电流大小,而是变化率!
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ayjspring
LV.2
8
2004-07-08 17:50
@chong
"磁珠会猛的一红,接着成碎块"----有那么严重?耸人听闻了吧.磁珠的作用,状态,不在于电流大小,而是变化率!
我的开关电源主回路电流为10A,但峰值电流很大,大概有30A左右,请问能用磁珠吗?
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劳同志
LV.7
9
2004-07-09 07:39
@ayjspring
我的开关电源主回路电流为10A,但峰值电流很大,大概有30A左右,请问能用磁珠吗?
磁珠对较大的di/dt有微弱的抑制作用.电流较大时,只是在相同的变化时间内引起较大的di/dt.大胆地试试吧,估计不会导致其它电路故障,也不会炸掉.再不放心,多包上几层粘带纸保护一下.
请将试验结果上传一下.
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ayjspring
LV.2
10
2004-07-23 17:40
@劳同志
磁珠对较大的di/dt有微弱的抑制作用.电流较大时,只是在相同的变化时间内引起较大的di/dt.大胆地试试吧,估计不会导致其它电路故障,也不会炸掉.再不放心,多包上几层粘带纸保护一下.请将试验结果上传一下.
老师不让我试,因为这款电路马上要验收,炸坏了,我要负全部责任,还是算了吧.
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public
LV.4
11
2004-07-23 18:42
@劳同志
磁珠对较大的di/dt有微弱的抑制作用.电流较大时,只是在相同的变化时间内引起较大的di/dt.大胆地试试吧,估计不会导致其它电路故障,也不会炸掉.再不放心,多包上几层粘带纸保护一下.请将试验结果上传一下.
我有一款機EMI過不了,又不能改電路,只能偷偷的在主Q上加磁珠,
不知可行否?
另誰能提供阻抗較大的瓷珠
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public
LV.4
12
2004-07-23 18:49
@劳同志
磁珠对较大的di/dt有微弱的抑制作用.电流较大时,只是在相同的变化时间内引起较大的di/dt.大胆地试试吧,估计不会导致其它电路故障,也不会炸掉.再不放心,多包上几层粘带纸保护一下.请将试验结果上传一下.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/19/1090622964.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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ferrite
LV.3
13
2004-07-24 14:16
@public
我有一款機EMI過不了,又不能改電路,只能偷偷的在主Q上加磁珠,不知可行否?另誰能提供阻抗較大的瓷珠
所谓磁珠其实是一种高磁导率的铁氧体材料,又叫
饱和电感器,用于抑制di/dt在电流过零时刻.在电流比较大
的时候通常处于磁饱和状态,所以单纯大的直流电流是不会引起损耗的
铁氧体磁材料的损耗主要和材质,delta B,f, 等参数有关
在功率MOSFET上加磁珠,通常可以减少CONDUCTION EMI高频部分和RFI
但是会造成效率变低0.1~0.5 Percent!
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public
LV.4
14
2004-07-24 19:10
@ferrite
所谓磁珠其实是一种高磁导率的铁氧体材料,又叫饱和电感器,用于抑制di/dt在电流过零时刻.在电流比较大的时候通常处于磁饱和状态,所以单纯大的直流电流是不会引起损耗的铁氧体磁材料的损耗主要和材质,deltaB,f,等参数有关在功率MOSFET上加磁珠,通常可以减少CONDUCTIONEMI高频部分和RFI但是会造成效率变低0.1~0.5Percent!
你看我這個咋搞嘛?500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/19/1090710599.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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public
LV.4
15
2004-07-24 19:16
@public
你看我這個咋搞嘛?[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/19/1090710599.bmp');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
在不改COMMON CHOKE圈數﹐而降低CORE的u值﹐使感量降低到5mH,結果8M處有改善.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/19/1090710984.bmp');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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劳同志
LV.7
16
2004-07-24 20:49
@public
在不改COMMONCHOKE圈數﹐而降低CORE的u值﹐使感量降低到5mH,結果8M處有改善.[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/19/1090710984.bmp');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
应该说,5M/9M都改善了,9M改善的明显些.
这说明:1 你的共模电感用低u材料后Q值提高了;
       2 牺牲了电感,导致较低频段扫描线略有抬高,但仍在限线以下.
你的改动很有启发,有扬长避短之感.改的好!加分.
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