PSPICE 仿真时为何总出错::Overflow in device

我换了好几个MOSFET了,还是出现这个出错提示,

可能哪里犯了弱智错误,请大侠指点!

把地换作旁边有个0的地再试一下。

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/38/1139825748.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

非常感谢您的回复!

不知道旁边有零标志的地和其他地有什么区别呢? 困惑啊.

换了地以后,仿真中途还是出现错误提示,仿真波型如上图.

多谢您的指导.

那个有0的地是仿真用的电压参考地。
你把仿真时间加长到 1000us 再看看。

我人在德国,非常感谢您如此热情帮忙.

我把最大仿真步长减小到1ns
  
然后把transient time point iteration limit 增大到1000,

问题就解决了.

但是其深层次原因是什么呢? 请您指导.

呵呵，Guten Tag， 1ns ? 这我倒要看看。

大侠:

以上问题是解决了.

但是,里面到底有什么规律可循啊?
换了HALFBRIDGE,用了MOSFET模型以后,还是一直出现这个问题,
仿到中途就出错了.
它是什么含义啊,计算溢出?那如何解决呢?

多谢您的指导.

那没有0的地是什么含义呢?

我的是 10.3 版本，1ns 也没问题，不需要更改iteration limit 。问一下，为什么你要用到 nano second 级数呢？ 如果你把 Half-bridge 的 file 贴上来，可以帮你看看。

我的是10.5.
我的开关频率要求在1M左右.
我原来用了30ns,我同事随手帮我改成1ns.
兄弟我pspice用的不多,以前在学校,看到周围同学倒是很多都在用的.
大侠能否对各个仿真参数设置作个剖析?

多谢您的指导!

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