同步整流MOS管发热很大

LV.6

2011-08-14 00:34

@geojion

看下驱动的死区，有没直通，不过这个很烫太让人纠结了

驱动稳定吗？如果驱动很稳定没有抖动的话，应该不会很热啊。吸收加了吗？

bumper_163

LV.7

2011-08-14 08:31

@geojion

看下驱动的死区，有没直通，不过这个很烫太让人纠结了

最直接的就是看ＭＯＳ的Ｉｄ和Ｖｄｓ,损耗就是他们的乘积

LV.5

2011-08-16 11:38

@NATE007

驱动稳定吗？如果驱动很稳定没有抖动的话，应该不会很热啊。吸收加了吗？

驱动很稳定啊，吸收也加了，10R串102电容。之前是同步驱动关断的有点早，后来我把开启及关断的电阻分开。开启为2.2R，关断为100R，时序跟原边的VDS是对上了，可是还是很烫。不知道是不是还有开关损耗跟反压的损耗？

LV.6

2011-08-16 13:15

@grace.don

哦那你有另外加续流二极管吗？用体二极管续流，电流大了很不好哦

LV.5

2011-08-17 22:52

@NATE007

哦那你有另外加续流二极管吗？用体二极管续流，电流大了很不好哦

反激式的也要加续流二极管吗？

LV.5

2011-08-17 23:08

@grace.don

反激式的也要加续流二极管吗？

同步整流的波形如附件

同步整流问题反馈

LV.6

2011-08-18 00:34

@grace.don

同步整流的波形如附件[图片]同步整流问题反馈

原来你是用反激做的？！！汗。。。从你的波形来看，很干净！上面的波形是整流MOS的驱动吗？如果是的话，下降沿尾巴拖得比较厉害，估计关断损耗大了。你是用上面驱动的，感觉你的驱动拉电流能力不行啊你可以拿个1N5819反并在栅极电阻上看看

LV.7

2011-08-18 10:44

@grace.don

同步整流的波形如附件[图片]同步整流问题反馈

VGS波形的电压幅值不对。

LV.6

2011-08-18 12:58

@grtang

VGS波形的电压幅值不对。

示波器上显示的是应该放大了的吧？

LV.7

2011-08-18 13:42

@NATE007

示波器上显示的是应该放大了的吧？

就算是放大了10倍的。如果是直流耦合，正向电压才2V左右，驱动电压不足。如果是交流耦合，0点位在什么位置？从VDS波形来看，应该是交流耦合。

测试这些波形，交流耦合测试出来的波形，会误导。

LV.7

2011-08-18 13:44

@grtang

就算是放大了10倍的。如果是直流耦合，正向电压才2V左右，驱动电压不足。如果是交流耦合，0点位在什么位置？从VDS波形来看，应该是交流耦合。测试这些波形，交流耦合测试出来的波形，会误导。

另外再测试同步整流管的电流波形和VGS波形，就知道同步整流是否正常。

LV.5

2011-08-18 15:14

@NATE007

示波器上显示的是应该放大了的吧？

那个是参考地的问题。VGS电压是12V，今天在同步整流MOS管上并了个肖特基，MOS管还是那么热，肖特基不怎么发热。会不会是我的散热不够，同步整流的MOS峰值电流较大，来不及散热导致内阻加大，从而越来越热？

LV.6

2011-08-18 20:58

@grace.don

你这个SR1的驱动输出口是什么结构？ 4脚是地吗？ S和GND内部是连着的吗？还是隔离的？我不知道这是什么芯片，不好说。不过从你的现象来看我觉得是驱动电压不够，导致MOS工作在线性区，MOS开关不完全，才会这么热的！估计你用导通电压较低的二极管整都没这么烫，因为你的电流不算大。你是怎么测试Q7驱动波形的？探头地线是夹在Q7的S？

LV.5

2011-08-18 21:49

@NATE007

[图片] 你这个SR1的驱动输出口是什么结构？ 4脚是地吗？S和GND内部是连着的吗？还是隔离的？我不知道这是什么芯片，不好说。不过从你的现象来看我觉得是驱动电压不够，导致MOS工作在线性区，MOS开关不完全，才会这么热的！估计你用导通电压较低的二极管整都没这么烫，因为你的电流不算大。你是怎么测试Q7驱动波形的？探头地线是夹在Q7的S？

那个就是同步整流的部分电路，板面画不上了，只好画一小板。探头接的是输出地上。如果接在S脚上，输出是12V。我那MOS管接的是高压侧，有另外一个绕组供电。由于满载时电压较高，所以才加一三极管稳压电路。

LV.5

2011-08-18 21:59

@NATE007

肖特基的会更烫，耐压在100V以上的管子，一般管压降会在0.65V左右。单这个就要耗掉3W了，还有反压的损耗，那个温度会上110度。壳子是塑料的，不敢这么搞啊。目前变压器及PFC的电感温度降下来了，85度。但是PFC之后的那个电容、原边MOS及PFC的MOS以及同步整流MOS还是比较烫

LV.5

2011-08-18 22:57

@NATE007

对了，一般来说，你设计的变压器反射电压VOR会设计在几伏？我一般是设计在100－120V，设计得高了MOS耐压经常会顶不住；可是设计得低了，MOS的电流就大，发热也大，变压器也烫。真的不是很好做啊

LV.5

2011-08-19 09:59

@NATE007

今天用示波器直接监测同步整流输出VGS波形，发现有关断有过早的嫌疑；另外还有比较尖的杂讯。

LV.7

2011-08-19 10:17

@grace.don

今天用示波器直接监测同步整流输出VGS波形，发现有关断有过早的嫌疑；另外还有比较尖的杂讯。[图片] [图片]

有可能是两个探头的地线相互干扰。把通道1去掉，单独测试通道2，看看还有没有杂讯。

另外可以测试次级绕组的电压波形，也可以判断时序同步。此时两个探头的地线是连接在一起的。最好是测MOSFET的Id和Vgs，精确观察时序的同步问题。

LV.4

2011-08-19 11:59

@grace.don

今天用示波器直接监测同步整流输出VGS波形，发现有关断有过早的嫌疑；另外还有比较尖的杂讯。[图片] [图片]

**此帖已被管理员删除**

LV.5

2011-08-19 12:42

@grtang

有可能是两个探头的地线相互干扰。把通道1去掉，单独测试通道2，看看还有没有杂讯。另外可以测试次级绕组的电压波形，也可以判断时序同步。此时两个探头的地线是连接在一起的。最好是测MOSFET的Id和Vgs，精确观察时序的同步问题。

确实是探头引入的干扰，我把通信2的地线也接到S脚波形就基本正常了。从波形来看，同步整流DRIVER确实关断的早了，开启倒是正常的。

从上图可以看出同步整流的DRIVER脚输出提前关断了1.5uS

上图是我关断时下拉电阻加大到47欧的后到MOS管G脚的VGS波形，虽然减缓了关断时间，由于MOS管G脚的电压下降了，可能损耗还是会比较大。

上图是与原边VDS比较的波形，只能说工作是比较正常了，不过还是比较烫。

LV.5

2011-08-19 12:51

@jeff200505

**此帖已被管理员删除**

其实现在用的这个芯片也是简单，简单得什么都没得调。你这个芯片我也是了解的。怎么跟以前N3867一样还是要加个肖特基管？

LV.4

2011-08-19 13:27

@grace.don

其实现在用的这个芯片也是简单，简单得什么都没得调。你这个芯片我也是了解的。怎么跟以前N3867一样还是要加个肖特基管？

你好！关键还是看这颗IC 在检测时是否合理？是否稳定？你用过N3867,那我们说不定都认识呢。其实跟MOSFET并接的肖特基不接也不会有什么影响。因为MOSFET体力已经有一个PN结在里面了。

LV.5

2011-08-22 08:52

@jeff200505

**此帖已被管理员删除**

N3870与N3867有什么不同？

LV.4

2011-08-22 18:47

@grace.don

N3870与N3867有什么不同？

N3870在N3867的基础上增加了好多新的功能。并且N3867只能用于DCM模式，而N3870就不一样了。如果真的想了解，就请打个电话或者发个邮件来吧，我们会给你详细的答复。在这里不会再回复了。

LV.5

2011-08-31 12:41

@jeff200505

最近拿了几个N3870样片，N3870与N3867一个样，波形提前关断了整整2uS，比我现在用的还糟糕！！！温度也高了25度,散热片都达到110度了。

波形展开如下：

LV.5

2011-08-31 12:47

@jeff200505

空间不允许啊，要不然得从原边PWM波形取同步整流信号，这样才是正道！！！