升降压电路 高压输入时 MOS 击穿
如图,电路输入10V-30V ,输出12V 8A,在输入29V, 输出短路测试时,如果Q2 MOS 为STP75NF75,则 负载正常,过流保护正常,短路保护正常,只是MOS热量稍大一些.
如果Q2改用IPA028N08N3G,则 负载正常,过流保护正常,短路保护时烧MOS IPA028N08N3G(三脚击穿),看PDF参数IPA028N08N3G都比STP75NF75强很多,实际测试,MOS的热量也少一些,效果是不错,但是如果做短路测试,就挂了,本人不解,特来求问.为什么IPA028N08N3G会击穿? 加大MOS驱动电流, 降低驱动电压,加上消尖锋电容等.都无作用,MOS IPA028N08N3G还是击穿了. PDF如下.
