LED驱动的3-5W方案中使用13003的BJT耐压问题

iW16XX芯片内部5脚与GND之间有一个Mosfet ［M1］，当外部BJT关断，Ib=0的时候，芯片内部MOSFET［M1］是导通的。因此对于BJT来讲，此时相当于B和E极短路，Vces=Vcbo=700V，因此耐压是足够的。

学习了。多谢赐教

谢谢上面FAE的回复。但是我仔细想来还是觉得有疑问。试想两个稳压管并联。一个12V一个40V电压一定是到了12V之后就会导通12V的稳压管从而使40V的稳压管被12V的稳压管短路。两个耐压不一样的原件并联一定是电压超过低耐压的原件的时候击穿低耐压原件。

这个问题要根据三极管内部结构研究。。。

请看以下解释：

1. 三极管有两个PN结，C-B之间有一个PN结，B-E之间有一个PN结。

2. 请认真查看晶体管的规格书和特性：

V_CBO的电压是在I_B=0时达成。

C为集电极，B为基极，O为C、B以外的电极Open的意思，

V_CBO---基极接地,发射极对地开路,集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

下面分别说明一下三极管各个电压的测量方法：

Vcbo----C-B结之间的电压，O表示在测VCBO时将发射极悬空，测C-B在规定漏电流时的电压；

Vceo----C-E之间的电压，测量时将基极悬空；

Vces----C-E之间的电压，S表示Short的意思，测VCES时是将基极与发射极短接，测C-B在规定漏电流时的电压；由于这时B-E结没有电压，而PN结导通需要有一个电压才能导通，所以这时B-E结没有导通，发射极E上就没有电流。等效于C-B结的耐压（VCBO)。因此理论上VCES≈VCBO是说得通的。另外实际测试的结果也是这样。

3. 结合以上情况，

因iwatt的IC内部有一个Mosfet（M1）

在T_OFF瞬间时，M1导通短路，那么晶体管的B，E结就会短路

而根据晶体管的特性，

当V_BE=0时，我们使用的是V_CES而非V_CEO，此时VCES≈VCBO

非常感谢iwatt-szl的耐心讲解。使我受益匪浅。谢谢了！

感谢iwatt-szl的解释，我终于明白了开关电源中可以用13003的道理了。

多谢赐教，

我找你找的好苦啊

回复很详细。