求“绝缘门极双极型晶体管IGBT驱动电路”!

现在还搞它干嘛,进口的有EXB841,国产的有KA841,直接用多省事!

对,用EXB840/841是个好办法,如果要自己做的话,我以前做过的一个驱动器,可以供你参考:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/38/1140794150.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

后面的那部分,IBGT 是怎么接的?为什么 mosfet S 要抬高 5.1V, 为什么 mosfet D 不直接连接电源而是要通过 R61 和 稳压二极管呢?

是这样的:+20V和COM是一个辅助电源.S抬高5.1伏,在驱动管Q6导通时,可以让IGBT有一个反偏压以可靠截止.
U14导通时,显然IGBT会立即开通,同时Q9截止.此时,如果IGBT的导通电压为0,则D17负极的电位就是5.1伏,只要IGBT压降不大于7伏,D19就不会导通,Q8就会维持关断,IGBT就会持续导通.
如果输出过载,或者电感性负载的电流过大,IGBT压降就会增大,当其大于7伏以上时,D19上端电位跟着提高,并开始导通,大约过5uS的时间,Q8就会导通,然后IGBT被关断,这是一个保护性的切断.
哪怕负载处于短路状态,IGBT也会有至少5uS的导通时间.C37的作用是为了防止IGBT的突然关断,这种情况对于MOS管来讲是允许的,但是对于IGBT是不允许的.
对了,这个电路不是用于驱动MOSFET的,而是用于驱动IGBT电路的.
这个电路是我自己设计的,不足之处还望指正.还有一点,这个电路因为项目中途搁浅,所以并未实施,仅供参考.

多些大虾指导!
我终于看到反偏压的设计实例了.

1,只是这样的的反偏压,电源就要多出一个偏压的负担.
也就是说,如果不设计反偏压,则电源可以少掉那个 5.1V.不知道业界有没有不给电源
增加负担的设计方法?

2,经过你的解释我明白了,MD 不是给漏极供电的,而是一个过载的保护措施.不知道 IGBT
应该怎么接,还请大虾贴出图来指导我们.

3,9013 系列的晶体管能产生足够的推动电流吗?对于推动管应该如何考虑它的功耗、截止频率
以及各极限参数呢?

4,用了很多稳压二极管,会不会消耗不少电流啊?造成的效率问题是否比较大?

5,另外,G 的静电电荷是否也应该有一个保护电路?

20伏电源是一个单独供电的辅助电源,IGBT工作频率通常在几十KHz,这对于小功率晶体管来讲,低频三极管的频率就已经足够.
再次提醒,这个电路没有经过实施,所以只能供参考而已.

请问D17在这里有什么作用呢?