• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

反激变压器设计问题001

本人刚搞反激拓普电源。看开关电源的书籍中有一段这样的话,我有点不是很了解,请大家帮忙解释一下。

内容:设计变压器时需遵循众多规则,必须注意设计顺序。首先因确定匝比Np/Nsm,因为匝比决定了不考虑漏感尖峰时开关管可承受的最大关断电压应力Vms。若忽略漏感尖峰并设整流管压降为1V,则直流输入电压最大时开关管的最大电压应力为:

      Vms=Vdc(MAX)+Np/Nsm(Vo+1)

      参数的选择应使Vms尽量小,以保证即使有0.3Vdc(MAX)的漏感尖峰叠加于Vms,对开关管的极限值Vceo,Vcer,Vcev,任有30%的裕度。

      根据以上为内容.好现在问题来了:

     有一电源要求:

      输入最大AC265V,输出电压Vo为39V,使用2N60.如果根据上面的理论进行设计,则有:

     265*1.414=374.7约定于375。    

     0.3Vdc(max)=112V

     开关管的极限值裕度=600*0.3=180V.

     综上:

     1.0 开关管的最大应力为600V:然而112+180+375+(39+1)Np/Nsm 的值已经远远大于600V.  

     2.0 该如何来理解参数的选择应使Vms尽量小。

     

全部回复(25)
正序查看
倒序查看
2011-11-16 11:12

你的裕度值太多了,10%就行了,

 

0
回复
wen226
LV.1
3
2011-11-16 11:26
@edie87@163.com
你的裕度值太多了,10%就行了, 
变压器设计的裕度的不同导致匝比不一样,对变压器的发热的影响有多大。
0
回复
2011-11-16 11:38
@wen226
变压器设计的裕度的不同导致匝比不一样,对变压器的发热的影响有多大。

影响有多大不好说,比如说,用RM8可以做的,你用RM10了,温度当然降下来,

但是企业是要考虑成本的,RM8去做,温度不会超过安规要求及客户要求就行,又何必为了温度更低而先择RM10.

这个裕度一般都是选择10%,所以大部分的反激MOS管都是选用600V的

 

0
回复
2011-11-16 11:58
关于裕量留有10%—15%就可以,反射电压可以选择80V——120V,同时,可以增大你的MOSFET啊。
0
回复
wen226
LV.1
6
2011-11-16 13:34
@edie87@163.com
影响有多大不好说,比如说,用RM8可以做的,你用RM10了,温度当然降下来,但是企业是要考虑成本的,RM8去做,温度不会超过安规要求及客户要求就行,又何必为了温度更低而先择RM10.这个裕度一般都是选择10%,所以大部分的反激MOS管都是选用600V的 

因为我设计的一个变压器,发现变压器的温度很高,效率只有75%。在8-11W的灯具工作,LED亮,但是温度过高。烫手。


0
回复
wen226
LV.1
7
2011-11-16 13:36
@笨小孩1114
关于裕量留有10%—15%就可以,反射电压可以选择80V——120V,同时,可以增大你的MOSFET啊。

反射电压是经验值吗?

还是根据上面书中描叙更为合理?

0
回复
cheng111
LV.11
8
2011-11-16 13:38
@wen226
变压器设计的裕度的不同导致匝比不一样,对变压器的发热的影响有多大。

你本身开关管的耐压就不高,余量不可能六那么大 的。

耐压不够,可以重新设计变压器。改变匝数比来减小反射电压值。

0
回复
cheng111
LV.11
9
2011-11-16 13:44
@wen226
反射电压是经验值吗?还是根据上面书中描叙更为合理?
全电压输入时候,反射电容在这个范围内对电源的其他性能影响不大。
0
回复
2011-11-16 14:13
你好,请问你设计的匝比是多少?对于问题(1),如果算出来的值超过开关管的最大应力,我们应该减小反射电压,也即改变匝比是开关管是安全工作的。(2),发射电压一般取80~120V左右,不要太大,给开关管足够的裕量
0
回复
wen226
LV.1
11
2011-11-16 14:38
@jiayanbo12345
你好,请问你设计的匝比是多少?对于问题(1),如果算出来的值超过开关管的最大应力,我们应该减小反射电压,也即改变匝比是开关管是安全工作的。(2),发射电压一般取80~120V左右,不要太大,给开关管足够的裕量

输入电压:全电压

输出电压30V,恒流300MA

变压器工作频率40KHZ

效率80%

变压器设计的参数是:CORE EFD20 AE=31

                                Np       d=0.2    150T

                                Nms    d=0.35   75T

                                LP=0.75MH

                                设计出来的变压器发热厉害烫手。


0
回复
wen226
LV.1
12
2011-11-16 14:43
你们所说的反射电压应该是:Np/Nms*(Vo+1)得来的值,也就是说这个值在80-120之间来取值。
0
回复
wen226
LV.1
13
2011-11-16 14:46
@笨小孩1114
关于裕量留有10%—15%就可以,反射电压可以选择80V——120V,同时,可以增大你的MOSFET啊。

增大MOS有一个成本问题。


0
回复
2011-11-16 14:49
@wen226
反射电压是经验值吗?还是根据上面书中描叙更为合理?
如果是刚开始设计反激变压器,然后测试,看哪种情况下比较准确,这样心里就有数了。不管是那里给出的知识一个参考而已。
0
回复
2011-11-16 14:50
@wen226
增大MOS有一个成本问题。
恩,同时也增加损耗啊,影响效率。所以。还是能够符合要求的情况下,选小管。但是,要留一定的裕量啊。
0
回复
2011-11-16 14:52
@wen226
你们所说的反射电压应该是:Np/Nms*(Vo+1)得来的值,也就是说这个值在80-120之间来取值。
恩,可以这样计算啦。主要是小功率,我一般反射电压取90—110V。看情况而已。
0
回复
ncy231
LV.7
17
2011-11-16 15:56
@edie87@163.com
影响有多大不好说,比如说,用RM8可以做的,你用RM10了,温度当然降下来,但是企业是要考虑成本的,RM8去做,温度不会超过安规要求及客户要求就行,又何必为了温度更低而先择RM10.这个裕度一般都是选择10%,所以大部分的反激MOS管都是选用600V的 
中肯,企业追求的是利益最大
0
回复
wen226
LV.1
18
2011-11-17 22:01
@wen226
输入电压:全电压输出电压30V,恒流300MA变压器工作频率40KHZ效率80%变压器设计的参数是:COREEFD20AE=31                Np   d=0.2  150T                Nms  d=0.35 75T                LP=0.75MH                设计出来的变压器发热厉害烫手。
这样设计出来的变压器为什么会发烫,整个变压器都烫,磁芯烫手,线圈也烫手。
0
回复
wwy06291001
LV.2
19
2011-12-08 23:39
@笨小孩1114
恩,可以这样计算啦。主要是小功率,我一般反射电压取90—110V。看情况而已。

根据哪些情况啊? 旅长可不可以把你宝贵的经验分享下,我们这些新手感激不尽~

0
回复
zq2007
LV.11
20
2011-12-09 07:45
@wwy06291001
根据哪些情况啊?旅长可不可以把你宝贵的经验分享下,我们这些新手感激不尽~
高压输出时匝比小,低压输出时匝比大。
0
回复
cheng111
LV.11
21
2011-12-11 10:11
@笨小孩1114
恩,同时也增加损耗啊,影响效率。所以。还是能够符合要求的情况下,选小管。但是,要留一定的裕量啊。
0
回复
cheng111
LV.11
22
2011-12-11 10:12
@wen226
这样设计出来的变压器为什么会发烫,整个变压器都烫,磁芯烫手,线圈也烫手。
你占空比和B的变化量是多少呢?
0
回复
2011-12-11 12:55
@wen226
这样设计出来的变压器为什么会发烫,整个变压器都烫,磁芯烫手,线圈也烫手。
贴出完整的参数,大家帮忙算算,看什么情况啦。选用的什么IC呢?
0
回复
xyx11
LV.6
24
2011-12-11 20:46

仅仅是考虑正常工作的情况,你的计算是对的。

你这样做出的电源,是很容易损坏的。

MOS管的耐压,必须涵盖最大输入电压的2倍。

0
回复
zq2007
LV.11
25
2011-12-11 21:20
顺序是这样的。
0
回复
wwy06291001
LV.2
26
2011-12-12 20:04
@zq2007
顺序是这样的。
 我才学看了你的帖想拜你为师~不知道可以不?
0
回复