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整流桥的导通压降怎么这么大？

今天突然想到了一个很弱的问题，就是：整流桥的导通压降怎么这么大？

以前说中好像说的硅二极体的导通压降是0.7V,锗的是0.4V，但是为什么整流桥的导通压降有0.98V(典型值)，最大值到1.1V？

是因为为了反向耐压高，里面是两个二极体串联的？但是大电流又是怎么实现的呢？

二极管1N4007的资料

整流二极管

　　较强的正向浪涌承受能力：30A

　　最大正向平均整流电流：1A

　　最高反向耐压：1000V

　　低的反向漏电流：5uA（最大值）

　　正向压降：1.0V

　　最大反向峰值电流：30uA

　　典型热阻：65℃/W

　　典型结电容：15pF

　　工作温度：－50℃～+150℃

　　封装：DO-41

　　还有二极管

　　1N5822这个是3A的肖特基二极管,反压40VRL207是普通的2A整流二极管，反压1000V

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edie87@163.com
2
2011-11-17 08:07

这个还真没想过,

一般看着正向压降1V是很正常的事.

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贺赫无名
LV.9
3
2011-11-17 13:42
@edie87@163.com
这个还真没想过,一般看着正向压降1V是很正常的事.
那个0.7V是在电流=10mA下测得的
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zvszcs
LV.12
4
2011-11-17 14:35
@贺赫无名
那个0.7V是在电流=10mA下测得的[图片]
最低的好像是0.92，普通的再也没见多再低的
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amonson
LV.8
5
2011-11-17 17:26
耐压越高，需要把PN结做得越厚，为了过瞬间大电流，需要把PN结的接触面也加大，但PN结的等效电阻是增大的，所以随着电流的增大正向压降也会增加。而肖特基是点面接触，结点电阻也较大，所以电流越大压降越大。这一部分我了解不多，上面讲的不一定全对，这个都是制造工艺的问题，要想完全搞明白最好请教半导体生产厂家的技术人员。
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guangsan
LV.3
6
2011-11-18 20:00
@amonson
耐压越高，需要把PN结做得越厚，为了过瞬间大电流，需要把PN结的接触面也加大，但PN结的等效电阻是增大的，所以随着电流的增大正向压降也会增加。而肖特基是点面接触，结点电阻也较大，所以电流越大压降越大。这一部分我了解不多，上面讲的不一定全对，这个都是制造工艺的问题，要想完全搞明白最好请教半导体生产厂家的技术人员。

你说的这个我也想过，只是找不到合适的人问。就整流桥来说，一般都是近1V的压降，但是有的元件好像还是比较低的，不知道谁能仔细讲讲么，还有就是二极管的什么肖特基，快恢复，等等的差别，咋样都记不住哦。

不知道各位有什么好方法记么？

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贺赫无名
LV.9
7
2011-11-26 02:33
@guangsan
你说的这个我也想过，只是找不到合适的人问。就整流桥来说，一般都是近1V的压降，但是有的元件好像还是比较低的，不知道谁能仔细讲讲么，还有就是二极管的什么肖特基，快恢复，等等的差别，咋样都记不住哦。不知道各位有什么好方法记么？

如果是几伏的AC电通过它，会觉得损耗很大，如果是AC220V呢？损耗就不觉得大拉，1/220 也就是0.5%不到

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账号不能为空
LV.4
8
2011-11-27 02:37

1.单独一个二极管只有一个空间电场，需要承受的反向电压越高就需要越大的空间电荷，相应的正向压降就大了，二极管的基本原理就这样，除非再发明一种非PN结构的二极管。

2.常用的1200V以下的二极管极少有串联的，需要耐压高一些就把PN结扩散深一些，需要大电流就把PN结面积做大点。

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cheng111
LV.11
9
2011-11-27 08:46
@guangsan
你说的这个我也想过，只是找不到合适的人问。就整流桥来说，一般都是近1V的压降，但是有的元件好像还是比较低的，不知道谁能仔细讲讲么，还有就是二极管的什么肖特基，快恢复，等等的差别，咋样都记不住哦。不知道各位有什么好方法记么？
这个损耗已经很小了，如果是比较小的交流输入时，就可以使用肖特基做整流了，只是这样成本高，
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cheng111
LV.11
10
2011-11-27 08:47
@账号不能为空
1.单独一个二极管只有一个空间电场，需要承受的反向电压越高就需要越大的空间电荷，相应的正向压降就大了，二极管的基本原理就这样，除非再发明一种非PN结构的二极管。2.常用的1200V以下的二极管极少有串联的，需要耐压高一些就把PN结扩散深一些，需要大电流就把PN结面积做大点。
二极管还是不要串联并联使用了。不如找要一个好一点二极管。
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贺赫无名
LV.9
11
2011-11-27 08:52
@cheng111
二极管还是不要串联并联使用了。不如找要一个好一点二极管。
楼上你说的就错了，如果你用个6A/40V的二极管与2个3A/40V的二极管并联，你会发现6A的二极管要比2个3A的贵很多，
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贺赫无名
LV.9
12
2011-11-27 08:53
@贺赫无名
楼上你说的就错了，如果你用个6A/40V的二极管与2个3A/40V的二极管并联，你会发现6A的二极管要比2个3A的贵很多，
还有就是常用规格的要比不用常规格的也要便宜很多，甚至是好几倍
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cheng111
LV.11
13
2011-11-27 09:00
@贺赫无名
楼上你说的就错了，如果你用个6A/40V的二极管与2个3A/40V的二极管并联，你会发现6A的二极管要比2个3A的贵很多，
是的，有很多这样的应用。但是我个人是不支持的。如果两个二极管并联，二极管有差异，会导致一个电流大一个电流，电流不平衡，发热也不一样，可能电路长时间工作就不行了。
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账号不能为空
LV.4
14
2011-11-27 13:01
@cheng111
是的，有很多这样的应用。但是我个人是不支持的。如果两个二极管并联，二极管有差异，会导致一个电流大一个电流，电流不平衡，发热也不一样，可能电路长时间工作就不行了。

应用中二极管并联大部分比单个的成本要高，但是散热什么的容易处理，所以很多时候都会并联使用的。

另外，二极管流过电流越大压降就越大，所以并联的二极管会自动均流。

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ctx1211
LV.7
15
2011-11-27 17:33
普遍的压降是多少？
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zq2007
LV.11
16
2011-11-27 20:47
测试条件不一样造成的。
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cheng111
LV.11
17
2011-11-27 22:35
@ctx1211
普遍的压降是多少？
应该是1V或者0.7V。
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cheng111
LV.11
18
2011-11-27 22:36
@账号不能为空
应用中二极管并联大部分比单个的成本要高，但是散热什么的容易处理，所以很多时候都会并联使用的。另外，二极管流过电流越大压降就越大，所以并联的二极管会自动均流。
但是长期如此，有一个电流大的二极管就容易损坏。
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贺赫无名
LV.9
19
2011-11-29 18:10
@cheng111
但是长期如此，有一个电流大的二极管就容易损坏。
呵呵，不会的，我见过有个做同步大电流的逆变器板，上面用了至少上百个二极管，我想都是用来扩流使用，好像也不会坏吧
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zq2007
LV.11
20
2011-11-29 19:35
@cheng111
但是长期如此，有一个电流大的二极管就容易损坏。
有道理，输出肖特基如果两个相差太大的话，会容易损坏。
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账号不能为空
LV.4
21
2011-11-29 21:27
@zq2007
有道理，输出肖特基如果两个相差太大的话，会容易损坏。
同型号同批次怎么可能相差？更不会过大。
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zq2007
LV.11
22
2011-11-30 08:43
楼主，有些损耗是无法避免的。
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destiny
LV.6
23
2011-11-30 10:36
@zq2007
楼主，有些损耗是无法避免的。
楼上正解，要不岂不所有电源就根本不用测效率了，因为都是100%了
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贺赫无名
LV.9
24
2011-11-30 17:02
@zvszcs
最低的好像是0.92，普通的再也没见多再低的
0.92是额定电流下所测得的
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贺赫无名
LV.9
25
2011-11-30 17:06
@destiny
楼上正解，要不岂不所有电源就根本不用测效率了，因为都是100%了
谁能搞个无死区电压的二极管来，其参数跟MOS管一样，只有导通电阻大小之分，那么二极管世界是一个大的变革啊
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bigbigeasy
LV.6
26
2011-11-30 20:56
@贺赫无名
那个0.7V是在电流=10mA下测得的[图片]

问题不在这里

0.7是半导体势垒能级

还有器件电阻产生的压降

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cheng111
LV.11
27
2011-11-30 22:40
@贺赫无名
谁能搞个无死区电压的二极管来，其参数跟MOS管一样，只有导通电阻大小之分，那么二极管世界是一个大的变革啊[图片]

这个可能性也太小了，

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贺赫无名
LV.9
28
2011-12-01 08:19
@cheng111
[图片]这个可能性也太小了，
再艰难的路也不能阻止人类的技术创新的脚步!!!
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