【原创】关于反激变压器还有疑问吗？

前排顶起......

军长你好，我最近想自己做个电源，各种设计参数如下：

VinDC：300~800Vdc

Vout1:6.8V/1A,Vout2:15V/0.3A,Vout3~Vout5:15V/0.13A (3路)，,Vout6:24V/0.2A

f：100KHz

反激拓扑

（注：Vout1 6.8V 加LDO后给CPU供电。Vout3~6 给IPM驱动用。）

Q1、请问我该把变压器设计成DCM还是CCM？

Q2、还有应该选择那路作为反馈回路？

这个电压范围要求并不是太宽，但做6路输出，特别是不共地的输出还是有一定的难度，但根据我的经验来说，此类电源对效率、成本要求不会很高，反而对可靠性要求极高，所以在设计的时候重心要偏向与保证可靠性方面

对于你的问题，结合我的经验，给你如下建议：

1、变压器还是按照CCM模式来设计，当然要考虑输入电压的变化，变压器不能太小

2、一般的原则都是选择输出功率最大的绕组作为主反馈回路，有时也要看系统对哪组电压的精度要求更高，也可以在次级加入二次稳压来保证电压精度

多谢支持！

请多多参与讨论，大家共同提高

谢谢 军长

我初步想用15V/0.3A 这一路做反馈回路，6.8V/1A,24V/0.2A 采用在次级加入二次稳压（LDO或三端稳压器）。电源芯片采用UC3842，电流模式，CCM。MosFET采用2SK2225（1500V），Vor设定为100V（不知道是否合理？）。

  我先计算下，变压器计算公式参考《精通开关电源设计》，过会把结果贴上来，还望军长指点下。

原理图如下

交调是个永恒的难题，一般都是依靠调整变压器的绕制工艺来改善，但多路输出的电源不要指望有低于10%的调整率，除非增加二次稳压

从原理图看不出什么问题的，关键是在调试的时候，你自己多绕制几个变压器，慢慢的就有体会了

Ipk=Vin*ton/Lp

在Vin*ton相同的情况下，CCM的初级电感量要求是明显大于DCM的，所以说峰值电流更大些

你也可以去测试不同模式下的初级电流波形，得到一个量化的概念，你将会理解得更深刻些

看来是我的切入点不同，我是针对同一个变压器去考虑的

Ipk=Vin*ton/Lp ，这个是电流增量呀

先标记下，等下来提问

冰版，刚才看了你讲的 反激变压器工程设计  的文档，第一个问题出现了，下面你将的这个  安规与EMI的考虑  的这个范例图，看的是似懂非懂的。因为平时做实验这一块也没有注意过，实际也没有测试过。请冰版再详细分析一下这个图。共模电流与差模电流的流向问题。

是电流增量没错，但是你从伏秒平衡去考虑下！

既然是增量，那么在CCM模式下的直流部分呢，要实现同等能量的传输，CCM的峰值电流必须更高，否者剩余在变压器里的能量从何而来，当感量增加时，Ipk将会减小，这时就要取决于电流纹波率r的大小了，当r取的较小时，Ipk势必要更大，请参考附图！

先顶冰版

再请教：文档里说的“加大初次级之间的距离，但这又会增大漏感”，这个再别的地方也有看到，尤其是LLC变压器，初级绕组和次级绕组加距离来增漏感。

不明白其中缘由，距离加大怎么增的漏感？

其实这也是个参考方向而已！你需要弄清楚共模跟差模的概念

干扰电流一般都是从电容流过，因为其阻抗小

漏感的大小决定其耦合程度，而耦合程度决定其磁力线的匝链多少。

距离越近，那么绕组的耦合程度越高，相互匝链的磁力线就越多，相应的漏感就越小了，反之亦然。

看来哪方面都薄弱啊。冰版，关于EMI方面的资料或者书籍，推荐点。什么方面都需要补啊。

我发的那个反馈环路方面的，也是你给我说的，让我看bode大师的帖子，但是里面也涉及的一些基础东西，看了第一篇发现很多都不懂啊，只能从最基础的补补，然后在翻过去看看帖子。这样才有收获吧。

EMI的资料有很多，有一本是属于实战的，具体书名忘记了（在上海还没有拿过来），论坛里CMG也有非常精彩的帖子，你去搜搜看

恩，谢谢冰版。要向你们学习啊！看到你们有动力也有压力！努力....