48W24V/2A电源体积108*60*35行不?

No problem.

工作在50度以上吗?

电路除了问题,这个体积出这么多功率应该没有问题的,你有没有粗略估算一下效率呢,用的什么片子啊?

是这样的:
    1,用3842的;
    2,同样电路在比它大体积的电源温升正常;
    3,效率有80%多啊!

這么大的体積,做48W是小儿科!
本人做的12V/4A,功率密度7W/in3.

NO PROBLEM!

可我做的变压器温度达到120多度啊!
    光板老化时不到底90度度!头晕啊!!

请问散热怎么处理?
    是全封闭的吗?

请问这么大功率怎么样选散热器!!

你什么變壓器??

是用ER28
    NP 54T   0.4*1
    NS 20T   0.5*2
    VCC  10T

后来改成
      NP  48   0.4*2

      NS  12  0.55*2

      VCC  7T
     好多了.但还是有点高!望回答!!!!

频率是多少?还有,变压器和mos管散热一定要紧贴外壳才行!

70khz
   是塑料外壳的!

应该没有问题,只是如何调整变压器合适的匝比,绕线方法,初级线径可采用多股线(10股以上),另,吸收和谐振电容可以适当小点.

用的磁芯ER28有点小.

开关频率70KHZ高了

谢谢!能说说吗?

譬如,可以采用PQ2620的磁心,初次级圈数均减少.参考初级NP :NS=4:1至5:1之间,初级Φ0.18*10多股线,圈数可取40圈,调整气隙,初级电感量取750~850UH,次级可以Φ0.5四线并绕.圈数取10圈.RCD吸收回路的电容取小点.

谢谢!真是行家!兄弟的意思是只是变压器温度高吗?其它功率器件呢?
也能满足吗?

密闭塑壳内,塑壳温度不要超过70℃,同时降低整个盒内各个发热元件的发热量,譬如:滤波电感,可能达110℃以上,可以增加线径和换大一点的磁芯,整流桥,增加散热器面积,如果你是二极管搭的桥,尽量用通过电流大的整流二极管,下面的铜箔最好要加助焊,帮助散热.还应减小大电容的纹波电流.

开关电路,应尽量选择好的拓扑结构.最好是谐振式的及软开关方式,如果是硬开关方式,一定要选用Rsd小的MOS,并减少谐振电容,设计好的变压器,降低初级反向峰值电压,减少RCD吸收电容的值,好的时候,EMC能通过,可以不用此RCD钳位吸收电路.次级整流二极管选用低压降的肖特基二极管,尽量不用二极管吸收RC电路, 采用多个二极管并联比单个发热量小并更容易散热.二极管的发热量在电源中的比重将近40~50%,如果可以,你还可以采用同步整流(大功率及大电流输出的时候),等等,总之,只要可能,你都可以降点温度,最终,整个盒内的内环境的温度条件得到改善,对你的变压器等也有好处.你慢慢琢磨琢磨把!

所以,其他功率元件,在调整好了电路工作状态的时候,都是可以满足测试的要求的.

兄台应该是高手,彼此交流交流.

你好!看来你对EMC也有一手,好人做到底!]
http://bbs.dianyuan.com/topic/7876
我还有个帖子,请你帮帮忙!!谢谢!!

好!
   能谈谈软开关方面的吗

采用软开关技术,一是可以降低MOS管的导通损耗及开关损耗,降低温升,另外,从能量的角度保证开关时的电压和电流变化不能突变,即ZVT ZCT零电压和零电流的变化,谐振式/准谐振电源就是这样的工作状态.好处显而易见,从源头降低了电磁干扰的产生.使EMI性能变好.

这些我在书上都看到过!就是没有没有经验!兄弟做过吗?

当然,从芯片选择上可以考虑准谐振的控制IC,如ON SEMI的NCP1207,FAIRCHILD的KA5Q,KA5S,FSD*,系列,SANKEN的STR86**,STR65**等系列都是准谐振,当然还有更多公司有这样的开关控制芯片．其实都大同小异,你可以选择任何一款．

好贴