Output
好长时间没到论坛发贴了,今天发个原创文章:介绍功率MOSFET的数据表中连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，帮助大家理解这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选取这些电流值.
经常有人看贴,却没有人回贴,严重影响发贴的积极性,呵呵
根据公式，相同封装的MOSFET，其连续电流Id应该主要和导通电阻Ron有关。但是有的MOSFET的连续电流 Id一样，其导通电阻Ron却相去甚远。例如 IRF9540和 IRF9Z34N同为TO-220封装，连续电流19A。而导通电阻Ron分别是0.2 ohm 和0.1 ohm，测试条件同为 VGS = -10V, ID = -10A。 能否给解释一下 ~
如果你仔细看一下全文,就可以理解了资料中不是有关于封装限制的电流的一节吗?
有些贴无法回，也不想会，尤其是带“跪求”二字的。
上面二个兄台的注册用户名蛮有意思的,怎么想到用一样的呢?呵,天下之大,所谓无巧不成书.
想理解导通与关断的损耗
谢谢！真为此感到心酸呀！！！
看了就回帖，礼上往来哈。谢谢楼主，谢谢分享。
懂了也要回 这比较给力
