原理图如上,次级的两个mosfet管D3和D4是由次级绕组直接驱动的,mosfet发热很严重,参考了下mosfet的datasheet,导通的Rds(on),Qg和Ciss都不算大。mosfet型号是NTD4906。换了一个Rds(on)更大的mosfet,Qg和Ciss差不多的mosfet,温度反而下降了。。。
各位大神帮忙解释下!!
可能是买着次品,RDSon 实际上比较大。推荐用有国产自主品牌的元件,支持内国半导体发展同时质量也得到保证。
有可能买的mosfet不太好;但是后来从其他模块上翘下来的管子,内阻更小,温度更高。。
测试一下温度低的管子与温度高的管子VGS 启开电压是多少。可能是由于管子的VGS启开电压过高导致发热量大。
把板子发过来,免费提供测试分析