• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

三极管b极电该如何选择???


全部回复(6)
正序查看
倒序查看
2012-03-05 13:26
用万用表测量
0
回复
2012-03-05 17:38

三、半导体三极管的简易测试

 

1.三极管类型和电极的判断

 

    (1)判断基极和三极管的类型

 

可以把三极管看成是两个二极管,使用万用表进行测量和判断。方法如下:  PNP型三极管的测量如图15-15所示。将正表笔接三极管的某一管脚,负表笔分别接另外两个管脚,测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小,且为1kΩ,则正表笔所接管脚即为PNP型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大,可将正表笔另接一管脚再试,直到两阻值均较小为止。

 
NPN型三极管的测量如图15-16所示。将负表笔接三极管的某一管脚,正表笔分别接另外两个管脚,测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小,且为5kΩ左右时,则负表笔所接管脚即为NPN型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大,可将负表笔另接一管脚再试,直到两阻值均较小为止。
 
665){this.resized=true;this.style.width=665;}">

利用三极管正向电流放大系数大于反向电流放大系数的原理,可判断三极管的集电极。用手将万用表两表笔分别接除基极以外的两个电极,用嘴含住基极,利用人体电阻实现偏置,测读万用表指示值,如图15-17所示。再将万用表两表笔对调同样测读,比较两次读数。对于PNP型三极管,万用表指针偏转大的一次中正表笔所接的电极为集电极;对NPN型三极管,万用表指针偏转大的一次中负表笔所接的电极为集电极。


665){this.resized=true;this.style.width=665;}">

2.高频三极管和低频三极管的判断

 

高频三极管的结构多为扩散型管,它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构,它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同,用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同,通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。具体方法如下:

 

将万用表置R×1k挡,测量发射结的反向电阻(对于NPN型三极管,负表笔接发射极,正表笔接基极;对于PNP型三极管,则正表笔接发射极,负表笔接基极)。然后,将万用表改至R×10k挡,再次测量反向电阻。若此时万用表指针偏转一个较大的角度,则可判断被测三极管是高频管;若万用表指针偏转很小的角度,则可判断被测三极管是低频管。

 

需要说明的是,由于三极管PN结反向击穿电压大小不同,再加上不同万用表内的电池电压也不相同,这种判断方法不是很准确的。

 

3.穿透电流IcE0的简易测量

 

穿透电流IcEo的测量是通过测集电极一发射极反向电阻来实现的,如图15-18所示。所测反向电阻越大,说明IcEo越小。一般硅三极管比锗三极管阻值大;高频三极管比低频三极管阻值大;小功率的比大功率的阻值大。


665){this.resized=true;this.style.width=665;}">

  测穿透电流IcE0的同时,还可对三极管的稳定性进行判断。用手捏住三极管的外壳,由于受人体温度的影响,所测反向电阻将开始减小。如果万用表指针偏转速度很快,或有很大的摆动,则说明三极管的温度稳定性差。

 

4.估测电流放大系数β

 

测试方法如图15-19所示。在集电极和基极之间加入100kΩ电阻的目的是给三极管提供基极电流。由于集电极电流Ic=β·IB,三极管的β值大时,Ic也大,三极管集电极和发射极之间的电阻会更小,万用表表针的偏转角就大,根据这一点便可估测出电流放大系数β的大小。万用表表针偏转角度的大小相对地代表着β值的大小。


665){this.resized=true;this.style.width=665;}">

在有些万用表中,设有专门的β值测量挡,用它测量出的β值比上面介绍的方法准确

以上信息从网上抄来的,不知是否正确。

0
回复
2012-03-06 18:54
@%飞&扬88
三、半导体三极管的简易测试 1.三极管类型和电极的判断    (1)判断基极和三极管的类型 可以把三极管看成是两个二极管,使用万用表进行测量和判断。方法如下: PNP型三极管的测量如图15-15所示。将正表笔接三极管的某一管脚,负表笔分别接另外两个管脚,测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小,且为1kΩ,则正表笔所接管脚即为PNP型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大,可将正表笔另接一管脚再试,直到两阻值均较小为止。 NPN型三极管的测量如图15-16所示。将负表笔接三极管的某一管脚,正表笔分别接另外两个管脚,测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小,且为5kΩ左右时,则负表笔所接管脚即为NPN型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大,可将负表笔另接一管脚再试,直到两阻值均较小为止。 [图片]665){this.resized=true;this.style.width=665;}">利用三极管正向电流放大系数大于反向电流放大系数的原理,可判断三极管的集电极。用手将万用表两表笔分别接除基极以外的两个电极,用嘴含住基极,利用人体电阻实现偏置,测读万用表指示值,如图15-17所示。再将万用表两表笔对调同样测读,比较两次读数。对于PNP型三极管,万用表指针偏转大的一次中正表笔所接的电极为集电极;对NPN型三极管,万用表指针偏转大的一次中负表笔所接的电极为集电极。[图片]665){this.resized=true;this.style.width=665;}">2.高频三极管和低频三极管的判断 高频三极管的结构多为扩散型管,它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构,它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同,用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同,通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。具体方法如下: 将万用表置R×1k挡,测量发射结的反向电阻(对于NPN型三极管,负表笔接发射极,正表笔接基极;对于PNP型三极管,则正表笔接发射极,负表笔接基极)。然后,将万用表改至R×10k挡,再次测量反向电阻。若此时万用表指针偏转一个较大的角度,则可判断被测三极管是高频管;若万用表指针偏转很小的角度,则可判断被测三极管是低频管。 需要说明的是,由于三极管PN结反向击穿电压大小不同,再加上不同万用表内的电池电压也不相同,这种判断方法不是很准确的。 3.穿透电流IcE0的简易测量 穿透电流IcEo的测量是通过测集电极一发射极反向电阻来实现的,如图15-18所示。所测反向电阻越大,说明IcEo越小。一般硅三极管比锗三极管阻值大;高频三极管比低频三极管阻值大;小功率的比大功率的阻值大。[图片]665){this.resized=true;this.style.width=665;}"> 测穿透电流IcE0的同时,还可对三极管的稳定性进行判断。用手捏住三极管的外壳,由于受人体温度的影响,所测反向电阻将开始减小。如果万用表指针偏转速度很快,或有很大的摆动,则说明三极管的温度稳定性差。 4.估测电流放大系数β 测试方法如图15-19所示。在集电极和基极之间加入100kΩ电阻的目的是给三极管提供基极电流。由于集电极电流Ic=β·IB,三极管的β值大时,Ic也大,三极管集电极和发射极之间的电阻会更小,万用表表针的偏转角就大,根据这一点便可估测出电流放大系数β的大小。万用表表针偏转角度的大小相对地代表着β值的大小。[图片]665){this.resized=true;this.style.width=665;}">在有些万用表中,设有专门的β值测量挡,用它测量出的β值比上面介绍的方法准确以上信息从网上抄来的,不知是否正确。

动手测量一次就全清楚了

0
回复
毛小林
LV.2
5
2012-03-11 00:41
@%飞&扬88
三、半导体三极管的简易测试 1.三极管类型和电极的判断    (1)判断基极和三极管的类型 可以把三极管看成是两个二极管,使用万用表进行测量和判断。方法如下: PNP型三极管的测量如图15-15所示。将正表笔接三极管的某一管脚,负表笔分别接另外两个管脚,测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小,且为1kΩ,则正表笔所接管脚即为PNP型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大,可将正表笔另接一管脚再试,直到两阻值均较小为止。 NPN型三极管的测量如图15-16所示。将负表笔接三极管的某一管脚,正表笔分别接另外两个管脚,测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小,且为5kΩ左右时,则负表笔所接管脚即为NPN型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大,可将负表笔另接一管脚再试,直到两阻值均较小为止。 [图片]665){this.resized=true;this.style.width=665;}">利用三极管正向电流放大系数大于反向电流放大系数的原理,可判断三极管的集电极。用手将万用表两表笔分别接除基极以外的两个电极,用嘴含住基极,利用人体电阻实现偏置,测读万用表指示值,如图15-17所示。再将万用表两表笔对调同样测读,比较两次读数。对于PNP型三极管,万用表指针偏转大的一次中正表笔所接的电极为集电极;对NPN型三极管,万用表指针偏转大的一次中负表笔所接的电极为集电极。[图片]665){this.resized=true;this.style.width=665;}">2.高频三极管和低频三极管的判断 高频三极管的结构多为扩散型管,它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构,它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同,用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同,通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。具体方法如下: 将万用表置R×1k挡,测量发射结的反向电阻(对于NPN型三极管,负表笔接发射极,正表笔接基极;对于PNP型三极管,则正表笔接发射极,负表笔接基极)。然后,将万用表改至R×10k挡,再次测量反向电阻。若此时万用表指针偏转一个较大的角度,则可判断被测三极管是高频管;若万用表指针偏转很小的角度,则可判断被测三极管是低频管。 需要说明的是,由于三极管PN结反向击穿电压大小不同,再加上不同万用表内的电池电压也不相同,这种判断方法不是很准确的。 3.穿透电流IcE0的简易测量 穿透电流IcEo的测量是通过测集电极一发射极反向电阻来实现的,如图15-18所示。所测反向电阻越大,说明IcEo越小。一般硅三极管比锗三极管阻值大;高频三极管比低频三极管阻值大;小功率的比大功率的阻值大。[图片]665){this.resized=true;this.style.width=665;}"> 测穿透电流IcE0的同时,还可对三极管的稳定性进行判断。用手捏住三极管的外壳,由于受人体温度的影响,所测反向电阻将开始减小。如果万用表指针偏转速度很快,或有很大的摆动,则说明三极管的温度稳定性差。 4.估测电流放大系数β 测试方法如图15-19所示。在集电极和基极之间加入100kΩ电阻的目的是给三极管提供基极电流。由于集电极电流Ic=β·IB,三极管的β值大时,Ic也大,三极管集电极和发射极之间的电阻会更小,万用表表针的偏转角就大,根据这一点便可估测出电流放大系数β的大小。万用表表针偏转角度的大小相对地代表着β值的大小。[图片]665){this.resized=true;this.style.width=665;}">在有些万用表中,设有专门的β值测量挡,用它测量出的β值比上面介绍的方法准确以上信息从网上抄来的,不知是否正确。

多谢!!!

 

0
回复
2012-03-11 07:11
@毛小林
多谢!!! 
用指针表测量方便直观
0
回复
zq2007
LV.11
7
2012-03-11 21:03
@tvro
用指针表测量方便直观
楼主的什么问题,没说明白啊。
0
回复