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IGBT是如何导通与关断的

我有点糊涂,IGBT开通是要给个正的脉冲还是要在导通时间内都要给正电压
IGBT关断是要给负脉冲吗?
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蒲公英的翅膀
LV.6
2
2006-05-16 09:01
一般来说,我们认为IGBT的导通过程是和MOSFET相同的,但是IGBT在关断时为了防止误导通我们会加上一个-10V左右的电压,这里的具体原因我说不清楚,但是和IGBT的物理结构是相关的!
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emailcwb
LV.2
3
2006-07-18 22:48
@蒲公英的翅膀
一般来说,我们认为IGBT的导通过程是和MOSFET相同的,但是IGBT在关断时为了防止误导通我们会加上一个-10V左右的电压,这里的具体原因我说不清楚,但是和IGBT的物理结构是相关的!
快速抽去G极的电荷,使之快速关断;提高其抗干扰的能力,这与的三极之间的分布电容有关.
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led-sz
LV.5
4
2006-07-19 17:54
@emailcwb
快速抽去G极的电荷,使之快速关断;提高其抗干扰的能力,这与的三极之间的分布电容有关.
那請問
正常的MOS驅動電路(MOS)可以代換成IGBT嗎
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emailcwb
LV.2
5
2006-07-19 20:00
@led-sz
那請問正常的MOS驅動電路(MOS)可以代換成IGBT嗎
没试过.不过,MOSFET和IGBT相比,工作频率要高,再一个MOSFET的导通压降比IGBT大,这个对IGBT的过流保护有影响.
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safetytest
LV.4
6
2006-07-21 11:56
MOSFET管具有开关速度快,电压控制的优点,缺点是导通电压降稍大,电流,电压容量不大;双极型晶体管,却与它的优点缺点互易,因而就产生了使它们复合的思想;控制时有MOSFET管的特点,导通时具有双极型晶体管的特点,这就产生IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)管研制的动机,该管称为绝缘栅双极晶体管.
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云游四海
LV.1
7
2006-07-30 03:47
@safetytest
MOSFET管具有开关速度快,电压控制的优点,缺点是导通电压降稍大,电流,电压容量不大;双极型晶体管,却与它的优点缺点互易,因而就产生了使它们复合的思想;控制时有MOSFET管的特点,导通时具有双极型晶体管的特点,这就产生IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)管研制的动机,该管称为绝缘栅双极晶体管.
哪里可以下载这方面的技术书籍?
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safetytest
LV.4
8
2006-07-31 12:59
@云游四海
哪里可以下载这方面的技术书籍?
去baidu or google搜
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