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奇怪的全桥“高压”炸机—请高手诊断

一台100KHz MOS FET 3KW 硬开关全桥电源,在变压器为降压时(如输出24V  130A),长期持续工作十分稳定可靠,

如将变压器换为AC 300V升压到AC 150000V时(不足1.5KW时),MOS FET频频炸管,请各位高手兄弟们帮我分析一下原因,谢谢!

全部回复(11)
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gm2010
LV.4
2
2012-05-31 08:54
AC 150000V 用来电什么?
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lijunmxp
LV.1
3
2012-05-31 09:06

不可能正常工作,需要重新调整电路。

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2012-05-31 11:47
变压器升压时,次级匝数变高,分布参数变大,会影响到初级主回路的正常工作。所以一般情况下,高压电源都不太用硬开关,漏感和分布电容影响很大,变压器很难设计。
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晶熔铁
LV.7
5
2012-06-17 15:32
@fyfandy520
变压器升压时,次级匝数变高,分布参数变大,会影响到初级主回路的正常工作。所以一般情况下,高压电源都不太用硬开关,漏感和分布电容影响很大,变压器很难设计。

感谢楼上兄弟的回复! 讲得很在理!

不过在工作于高压升压时,是工作在LLC模式下的,也试了其它变形后的电路,仍就无效。

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lxp83031
LV.4
6
2012-06-18 09:49
@晶熔铁
感谢楼上兄弟的回复!讲得很在理!不过在工作于高压升压时,是工作在LLC模式下的,也试了其它变形后的电路,仍就无效。

做这么宽范围电压输出。。要求肯定很高的。。。。建议用推挽去做。。。。

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fsxqw
LV.9
7
2012-06-18 11:31
@lxp83031
做这么宽范围电压输出。。要求肯定很高的。。。。建议用推挽去做。。。。

楼主计算一下MOS功率器件承受的启动电流脉冲是不是差别很大啊?

全桥嘛,关键是平衡,当突然施加负载时,假设A1和B2在导通状态,再大的功率都可以承受,可是,当这一组开始截止到完全截止的时候,DV/DT的问题就出来了,直接影响到A2和B1组的导通。

炸管的时候管子没有发热的迹象,多数是开机的时候损坏。

解决办法,在MOS上并联更大电流的超快恢复二极管,适当调整RCD电路。

以上言论仅代表个人看法,实际案例可能与楼主的现象存在差异。

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晶熔铁
LV.7
8
2012-06-27 22:40
@fsxqw
楼主计算一下MOS功率器件承受的启动电流脉冲是不是差别很大啊?全桥嘛,关键是平衡,当突然施加负载时,假设A1和B2在导通状态,再大的功率都可以承受,可是,当这一组开始截止到完全截止的时候,DV/DT的问题就出来了,直接影响到A2和B1组的导通。炸管的时候管子没有发热的迹象,多数是开机的时候损坏。解决办法,在MOS上并联更大电流的超快恢复二极管,适当调整RCD电路。以上言论仅代表个人看法,实际案例可能与楼主的现象存在差异。

谢谢您的分析!

我所遇到的也多是开机不久就损坏,我会按您的方法去试一下。

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晶熔铁
LV.7
9
2012-07-13 11:39

 

按图所示,LA LB取50uH,并限制占空比,适当降频至80KHz,炸管有所好转,但仍很脆弱。

MOS FET并08TB60超快管,对炸管问题基本无效。

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bdzn
LV.9
10
2012-07-14 13:49
次级是输出直流吗?
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晶熔铁
LV.7
11
2012-07-16 19:48
@bdzn
次级是输出直流吗?
是AC的,负载阻抗特性大致接近RC串联。
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lxtxfhxy
LV.1
12
2012-07-16 23:14

次级电压很高,且是高频,可能会通过分布参数的共模耦合串入原边,导致MOS上的电压远高于其承受能力。建议监控MOS的电压,同时测一下变压器原边是否存在共模电流。
高频变压器的漏感越小,原副边的耦合越紧密,耦合电容相应增大,对于副边高压的应用未必很好。

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