最近对一个公式问题有点疑惑，请释疑：
设计了一款输出22V的30W反激变压器。
Vdcmin=200v ，F=75KHZ，Ae=0.82，Dmax=0.4。计算得出： NP=60T，NS=10T，2.2V/匝。
因为2.2V/匝太大，不便于通过更改次级匝数改变输出电压，所以降低2.2/匝为1.2V/匝左右。具体方法如下：
1、直接将次级匝数NS改为18匝。此时初级匝数不变，只改变次级匝数，可得出应该会导致Dmax变化，对于其他是否有些影响？
2、将开关频率F降低到37.5KHZ,计算得出NP=118T，NS=19T。此种设计是否合理？
3、初次级匝数同比例升高为：NP=120T，NS=20T。此种设计是否合理？
这样调整后还要调速频率.比较麻烦.呵呵.其实如果您真的理解了开关电源原理您就会发现有些事很有意思的,如果您的MOS管耐压较高,比如900V,吸收电路设计余量较大的话,您在一定范围内不必改变初级,只改变次级,取得合适值即可.您这个功率不会场任何影响.可以试下.对于次级增加几匝减少几匝没什么影响的.以实验为准呀.
我以我的经验（做到的实验来回答）：
1、直接将次级匝数NS改为18匝。此时初级匝数不变，只改变次级匝数，可得出应该会导致Dmax变化，对于其他是否有些影响？
首先，要保证VCC电压可以使IC正常工作。所以VCC的匝数，也要相应增加。这样就是匝比变小了。在反激中，会使输出的效率上升。反射电压下降了。一般反射电压设在45V时，效率最高。
2、将开关频率F降低到37.5KHZ,计算得出NP=118T，NS=19T。此种设计是否合理？
降低开关频率，会使变压器的温度上升。而MOS管的温度下降。只要温度低于95度。能长时间正常工作。就可以。呵。
3、初次级匝数同比例升高为：NP=120T，NS=20T。此种设计是否合理？
这个主要是绕不下。而且效率不见得提升反降了。因为铜损增加了。
我以我的经验（做到的实验来回答）：
1、一般反射电压设在45V时，效率最高。
反射电压如果做到这么低，匝比会很小。Dmax也会变化。一般设计Vor不高于135V（单片开关电源）170V（分立电源）。
2、将开关频率F降低到37.5KHZ,计算得出NP=118T，NS=19T。此种设计是否合理？
降低开关频率，会使变压器的温度上升。而MOS管的温度下降。只要温度低于95度。能长时间正常工作。就可以。呵。
是这样的。此处的温度95度是指的MOSFET和变压器磁芯和线包温度？
这个要看环境温度，而且磁芯和线包外面测量与内部温度还有热阻影响。
3、初次级匝数同比例升高为：NP=120T，NS=20T。此种设计是否合理？
这个主要是绕不下。而且效率不见得提升反降了。因为铜损增加了。
如果绕的下，同时也不考虑损耗的情况下，是否可行呢？
1、可以试试。这样就明白了。这种是书上没有的。
2、温升不高于70度。
3、是可以工作的。只要NP大于最小匝数即可工作。不过没发现这种绕法有什么好处。
