【问】3525构成的推挽电路,如何避免磁偏?
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推挽偏磁的原因是因为存在磁通不平衡有直流偏磁问题。要避免偏磁,从理论上来讲,无论是冷态还是热态,2边功率开关管的饱和压降和变压器线圈要对称,且内阻相等,同时导通时间相等。但这个条件几乎是达不到的。
我们能采取的措施是:
1. 功率管用MOS,因为MOS的导通电阻是正温度系数的,出现偏磁时,流过MOS的电流加大,导致管压降加大,减小施加在初级的电压,减少了伏秒,使不平衡减少。
2. 串固定电阻,压降大于或接近功率管压降,一般不大于0.25欧姆。
3. 磁芯采用软饱和磁化曲线的材料,即慢慢接近饱和,偏磁时,电流加大明显,线圈压降补偿功率管饱和压降的变化,但变压器不能采用矩形磁滞回线的环形磁芯。
4. 变压器设计时,初级线圈对称,同时B值选取较低,适当加点气息,使磁化曲线倾斜。通常加0.05~0.1mm气息即可。
5. 采用峰值电流控制型技术,偏磁时峰值电流加大,开关提前关断,使伏秒平衡。
6. 功率管耐压取值高些。当其中一个导通,另一个需要承受输入电源与线圈上感应电压之和。
7. 初次耦合要良好。
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@javike
推挽偏磁的原因是因为存在磁通不平衡有直流偏磁问题。要避免偏磁,从理论上来讲,无论是冷态还是热态,2边功率开关管的饱和压降和变压器线圈要对称,且内阻相等,同时导通时间相等。但这个条件几乎是达不到的。我们能采取的措施是:1.功率管用MOS,因为MOS的导通电阻是正温度系数的,出现偏磁时,流过MOS的电流加大,导致管压降加大,减小施加在初级的电压,减少了伏秒,使不平衡减少。2.串固定电阻,压降大于或接近功率管压降,一般不大于0.25欧姆。3.磁芯采用软饱和磁化曲线的材料,即慢慢接近饱和,偏磁时,电流加大明显,线圈压降补偿功率管饱和压降的变化,但变压器不能采用矩形磁滞回线的环形磁芯。4.变压器设计时,初级线圈对称,同时B值选取较低,适当加点气息,使磁化曲线倾斜。通常加0.05~0.1mm气息即可。5.采用峰值电流控制型技术,偏磁时峰值电流加大,开关提前关断,使伏秒平衡。6.功率管耐压取值高些。当其中一个导通,另一个需要承受输入电源与线圈上感应电压之和。7.初次耦合要良好。
确实电压型的就有磁通不平衡的风险,根本的解决方法换成电流型芯片。
电压型的要保证变压器初级的对称性,MOS的选型等
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@javike
推挽偏磁的原因是因为存在磁通不平衡有直流偏磁问题。要避免偏磁,从理论上来讲,无论是冷态还是热态,2边功率开关管的饱和压降和变压器线圈要对称,且内阻相等,同时导通时间相等。但这个条件几乎是达不到的。我们能采取的措施是:1.功率管用MOS,因为MOS的导通电阻是正温度系数的,出现偏磁时,流过MOS的电流加大,导致管压降加大,减小施加在初级的电压,减少了伏秒,使不平衡减少。2.串固定电阻,压降大于或接近功率管压降,一般不大于0.25欧姆。3.磁芯采用软饱和磁化曲线的材料,即慢慢接近饱和,偏磁时,电流加大明显,线圈压降补偿功率管饱和压降的变化,但变压器不能采用矩形磁滞回线的环形磁芯。4.变压器设计时,初级线圈对称,同时B值选取较低,适当加点气息,使磁化曲线倾斜。通常加0.05~0.1mm气息即可。5.采用峰值电流控制型技术,偏磁时峰值电流加大,开关提前关断,使伏秒平衡。6.功率管耐压取值高些。当其中一个导通,另一个需要承受输入电源与线圈上感应电压之和。7.初次耦合要良好。
总结的非常全面!
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