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请教:有适合1.5M以上开关频率的MOS管驱动器吗?
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protose
LV.7
2
2006-06-06 09:31
要求电压是多少?MOS管的规格是什么样的?
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lidunxiang
LV.3
3
2006-06-06 10:09
@protose
要求电压是多少?MOS管的规格是什么样的?
输入电压DC600V,全桥电路,开关频率1.5M.MOS管:英飞凌SPW11N80C3,开关时间75NS/25NS,800V,11A.
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protose
LV.7
4
2006-06-06 10:19
@lidunxiang
输入电压DC600V,全桥电路,开关频率1.5M.MOS管:英飞凌SPW11N80C3,开关时间75NS/25NS,800V,11A.
这个可以到IR或者philips的网站上搜索,你的要求比较高啊.驱动电流很大,IR2117的输出电流只有200mA.
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lidunxiang
LV.3
5
2006-06-06 10:19
@lidunxiang
输入电压DC600V,全桥电路,开关频率1.5M.MOS管:英飞凌SPW11N80C3,开关时间75NS/25NS,800V,11A.
我现在用了两个IR2110驱动器,但是驱动波形很不理想,畸变成三角波了.
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lidunxiang
LV.3
6
2006-06-06 11:39
@protose
这个可以到IR或者philips的网站上搜索,你的要求比较高啊.驱动电流很大,IR2117的输出电流只有200mA.
我问了一下IR公司,他们答复说出现波形畸变的原因是开关频率过高了.难道高频开关电源就没有超过1.5M的开关频率的吗?应该不会吧.
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protose
LV.7
7
2006-06-06 14:39
@lidunxiang
我问了一下IR公司,他们答复说出现波形畸变的原因是开关频率过高了.难道高频开关电源就没有超过1.5M的开关频率的吗?应该不会吧.
超过1.5M的很多,但是电压都没有600V那么高,象intersil的isl6612可以工作在2MHz下,maxim也有工作在这么高频率下的,但是没有这么高的电压,现在做的告诉的都在在30V一下的中压情况下,600V的超高压的没有这么高的频率.主要是工艺决定的.
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lidunxiang
LV.3
8
2006-06-06 15:54
@protose
超过1.5M的很多,但是电压都没有600V那么高,象intersil的isl6612可以工作在2MHz下,maxim也有工作在这么高频率下的,但是没有这么高的电压,现在做的告诉的都在在30V一下的中压情况下,600V的超高压的没有这么高的频率.主要是工艺决定的.
多谢!我在网上看了一些资料,好象确实是这样的.看来我这个项目的难度好象太大了.
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lidunxiang
LV.3
9
2006-06-06 16:05
@lidunxiang
多谢!我在网上看了一些资料,好象确实是这样的.看来我这个项目的难度好象太大了.
发个图大家研究研究
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lidunxiang
LV.3
10
2006-06-06 16:07
@lidunxiang
多谢!我在网上看了一些资料,好象确实是这样的.看来我这个项目的难度好象太大了.
1149581242.pdf
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protose
LV.7
11
2006-06-06 18:34
@lidunxiang
1149581242.pdf
恩,如果一定要需要1.5MHz的话,那就需要采用多相输出了,就象CPU的power supply那样,每一相300Khz,总共需要5相.
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protose
LV.7
12
2006-06-06 18:53
@lidunxiang
1149581242.pdf
你可以不可以采用将2110的输出用来驱动一颗max5078,一般来说2110 工作在最低延迟电压下还是可以驱动5078工作在1.5MHz下的,5078的drive 能力很强,可以驱动你的mosfet工作在1.5Mhz的频率下,只是要注意驱动电压不能超过5078的最高工作电压.
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lidunxiang
LV.3
13
2006-06-07 09:34
@protose
你可以不可以采用将2110的输出用来驱动一颗max5078,一般来说2110工作在最低延迟电压下还是可以驱动5078工作在1.5MHz下的,5078的drive能力很强,可以驱动你的mosfet工作在1.5Mhz的频率下,只是要注意驱动电压不能超过5078的最高工作电压.
这样能行的通.不过对于我的全桥电路来说,要增加三路5V隔离电源和三路15V隔离电源,要使用4个6N137来进行控制电路与主电路的隔离.
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protose
LV.7
14
2006-06-07 09:38
@lidunxiang
这样能行的通.不过对于我的全桥电路来说,要增加三路5V隔离电源和三路15V隔离电源,要使用4个6N137来进行控制电路与主电路的隔离.
其实不用这样啊,将IR2110的两个输出电压轨作为5078的power source就可以了啊,注意将IR2110的输出电压控制在15V之下就OK了.
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protose
LV.7
15
2006-06-07 09:42
@lidunxiang
这样能行的通.不过对于我的全桥电路来说,要增加三路5V隔离电源和三路15V隔离电源,要使用4个6N137来进行控制电路与主电路的隔离.
也就是VCC和COM做为一颗5078的电源,VB和VS作为另一颗5078的电源.但是这个时候VCC&COM之间的电压不能超过15V.否这5078不能安全的工作.
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lidunxiang
LV.3
16
2006-06-07 09:50
@protose
也就是VCC和COM做为一颗5078的电源,VB和VS作为另一颗5078的电源.但是这个时候VCC&COM之间的电压不能超过15V.否这5078不能安全的工作.
开关波形经过IR2110后,可能已经发生了变化,因为IR2110的开关速度达不到1.5MHZ,这样它就无法正确识别开关波形,也就是说从IR2110出来的开关波形已经和输入的开关波形不一样了.这是个问题.
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protose
LV.7
17
2006-06-07 09:59
@lidunxiang
开关波形经过IR2110后,可能已经发生了变化,因为IR2110的开关速度达不到1.5MHZ,这样它就无法正确识别开关波形,也就是说从IR2110出来的开关波形已经和输入的开关波形不一样了.这是个问题.
其实内部电路还是可以工作在1.5MHz的,只要输出驱动能力要求不高的话还是可以工作在1.5MHz的,200KHz的时候输出驱动电流200mA,如果1.5MHz的时候输出电流只要1mA的话就可以办到,用max5078做隔离这样就刚好可以做到这样.
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lidunxiang
LV.3
18
2006-06-07 10:05
@protose
其实内部电路还是可以工作在1.5MHz的,只要输出驱动能力要求不高的话还是可以工作在1.5MHz的,200KHz的时候输出驱动电流200mA,如果1.5MHz的时候输出电流只要1mA的话就可以办到,用max5078做隔离这样就刚好可以做到这样.
TI公司的TPS2812也可以这样用吧.
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protose
LV.7
19
2006-06-07 10:27
@lidunxiang
TI公司的TPS2812也可以这样用吧.
可以,但是2812是双通道的,在这里只需要用一个就够了,多了一个通道是浪费啊.
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lidunxiang
LV.3
20
2006-06-07 10:36
@protose
可以,但是2812是双通道的,在这里只需要用一个就够了,多了一个通道是浪费啊.
有一个问题,调试IR2110时,如果不连接MOS管调试的话,是看不到上桥臂波形的,只能看到下桥臂波形.IR2110+MAX5078这种方式可能会受到这个问题的影响.
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protose
LV.7
21
2006-06-07 10:51
@lidunxiang
有一个问题,调试IR2110时,如果不连接MOS管调试的话,是看不到上桥臂波形的,只能看到下桥臂波形.IR2110+MAX5078这种方式可能会受到这个问题的影响.
这个主要是上端没有电源,上端本来是依靠自举电路来供电的,你可以将VB&VCC短接在,再一起接到电源上,这样就可以正常的调试了.首先可以看2110没有接负载的时候是否可以工作在1.5MHz的频率下,如果可以的话,你的电路基本就可以使用了.
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lidunxiang
LV.3
22
2006-06-07 11:03
@protose
这个主要是上端没有电源,上端本来是依靠自举电路来供电的,你可以将VB&VCC短接在,再一起接到电源上,这样就可以正常的调试了.首先可以看2110没有接负载的时候是否可以工作在1.5MHz的频率下,如果可以的话,你的电路基本就可以使用了.
多谢,我觉得有必要去试验一下.
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protose
LV.7
23
2006-06-07 11:10
@lidunxiang
多谢,我觉得有必要去试验一下.
先试验一下最好.
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lidunxiang
LV.3
24
2006-06-07 11:27
@protose
先试验一下最好.
不知道有没有人这样子用过.我现在担心的是VCC和VB连接后,会出现上下桥臂驱动不隔离的情况,因为IR2110的自举电路就是为了实现上下桥臂驱动隔离而设置的,是这样的吧.
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protose
LV.7
25
2006-06-07 11:43
@lidunxiang
不知道有没有人这样子用过.我现在担心的是VCC和VB连接后,会出现上下桥臂驱动不隔离的情况,因为IR2110的自举电路就是为了实现上下桥臂驱动隔离而设置的,是这样的吧.
不是,上臂主要是为了驱动桥结构电路中的上半桥NMOSFET,由于驱动NMOSFET需要VGS要到10V以上,而上端NMOSFET source端电压可以达到电源的最高电压,为了保持足够的驱动能力,需要采用自举电路.如果不需要自举的话就给VB加一个电压就可以了.
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onecat
LV.2
26
2006-06-08 15:25
@lidunxiang
开关波形经过IR2110后,可能已经发生了变化,因为IR2110的开关速度达不到1.5MHZ,这样它就无法正确识别开关波形,也就是说从IR2110出来的开关波形已经和输入的开关波形不一样了.这是个问题.
我也在做一个高频开关电源,频率有1MHZ.不过做了很久没做出来,最后老板决定请一个高手到公司来指导我.惭愧惭愧.
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protose
LV.7
27
2006-06-08 17:59
@onecat
我也在做一个高频开关电源,频率有1MHZ.不过做了很久没做出来,最后老板决定请一个高手到公司来指导我.惭愧惭愧.
是什么样的规格呢?
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xue007
LV.9
28
2006-06-09 11:29
@onecat
我也在做一个高频开关电源,频率有1MHZ.不过做了很久没做出来,最后老板决定请一个高手到公司来指导我.惭愧惭愧.
用MC34067加驱动变压器可工做在1M.而且主电路是软开关的
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剑心
LV.8
29
2006-06-12 11:29
@protose
可以,但是2812是双通道的,在这里只需要用一个就够了,多了一个通道是浪费啊.
正好并联提高驱动能力
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剑心
LV.8
30
2006-06-12 11:31
@protose
你可以不可以采用将2110的输出用来驱动一颗max5078,一般来说2110工作在最低延迟电压下还是可以驱动5078工作在1.5MHz下的,5078的drive能力很强,可以驱动你的mosfet工作在1.5Mhz的频率下,只是要注意驱动电压不能超过5078的最高工作电压.
传输延迟长了之后有可能影响死区控制的可靠性
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lidunxiang
LV.3
31
2006-07-05 17:20
@剑心
正好并联提高驱动能力
你是说两个IR2110并联吗?驱动电流有4A吗?
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