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供应 MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
10.封装:SOP-8

主要应用:LED 球泡灯/ E27 /GU10.

简化版测试板(尺寸:22mm X 15mm X 13mm 长*宽*高)
过认证测试板(尺寸:225mm X 15mm X 15mm 长*宽*高)

如需要方案和具体 PCB 图请与我联系。 可免费提供样品测试

如需要规格书与 Sample 请留言,我会在看到留言的第一时间发到您邮箱! 我的联系方式:

Cherry/张珊 深圳市山鸣电子有限公司

地址:深圳市福田区深南大道 6023 号创建大厦 2407 室 MOB : (86) 13058005532
Fax:(86) 0755-82443294 QQ:2698592673

Mail: cherryzhang@hillsoundelectronics.com

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SZSM2012
LV.2
2
2012-07-26 14:27

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
10.封装:SOP-8

主要应用:LED 球泡灯/ E27 /GU10.

简化版测试板(尺寸:22mm X 15mm X 13mm 长*宽*高)
过认证测试板(尺寸:225mm X 15mm X 15mm 长*宽*高)

如需要方案和具体 PCB 图请与我联系。 可免费提供样品测试

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Cherry/张珊 深圳市山鸣电子有限公司

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Mail: cherryzhang@hillsoundelectronics.com

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SZSM2012
LV.2
3
2012-07-26 14:27
@SZSM2012
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
10.封装:SOP-8

主要应用:LED 球泡灯/ E27 /GU10.

简化版测试板(尺寸:22mm X 15mm X 13mm 长*宽*高)
过认证测试板(尺寸:225mm X 15mm X 15mm 长*宽*高)

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SZSM2012
LV.2
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2012-07-28 09:26
@SZSM2012
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
10.封装:SOP-8

主要应用:LED 球泡灯/ E27 /GU10.

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SZSM2012
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2012-07-30 10:05
@SZSM2012
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
10.封装:SOP-8

主要应用:LED 球泡灯/ E27 /GU10.

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山鸣张珊
LV.4
6
2012-08-29 11:31
@SZSM2012
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

 MT7281(升降压芯片,太阳能路灯应用)

基本参数: 1.输入电压：DC3－45V. 2.电流驱动能力 500MA. 3.降压/升压/升降压型驱动芯片. 4.最高效率达 85%.

5.开路保护，过热保护和过流保护,让系统更安全.

6.内置 0.2 欧/3A 的功率管.

7.调光方式：PWM 信号或模拟直流电平。

8.封装：SOP－8.

主要应用:MR16 射灯（4*1W 或 2 串 2 并）/LED 太阳能路灯/车灯/LED 街灯/其它灯饰产品.

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山鸣张珊
LV.4
7
2012-09-06 15:58
@山鸣张珊
[图片] MT7281(升降压芯片,太阳能路灯应用)基本参数:1.输入电压：DC3－45V.2.电流驱动能力500MA.3.降压/升压/升降压型驱动芯片.4.最高效率达85%.5.开路保护，过热保护和过流保护,让系统更安全.6.内置0.2欧/3A的功率管.7.调光方式：PWM信号或模拟直流电平。8.封装：SOP－8.主要应用:MR16射灯（4*1W或2串2并）/LED太阳能路灯/车灯/LED街灯/其它灯饰产品.

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
10.封装:SOP-8

主要应用:LED 球泡灯/ E27 /GU10. 

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山鸣张珊
LV.4
8
2012-09-10 14:28
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
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山鸣张珊
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2012-09-11 16:33
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

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q371684845
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2012-09-12 18:27
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)

BP上海晶丰FAE路过。呵，，，，

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山鸣张珊
LV.4
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2012-09-14 10:15
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)

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山鸣张珊
LV.4
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2012-09-20 15:09
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
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山鸣张珊
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2012-09-21 14:54
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

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山鸣张珊
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2012-09-25 09:46
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.

     

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山鸣张珊
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2012-10-09 14:21
@山鸣张珊
[图片] [图片] [图片] [图片] [图片] 

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
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山鸣张珊
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2012-10-11 10:06
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
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2012-10-17 10:20
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MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗
  
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山鸣张珊
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2012-10-26 10:18
@山鸣张珊
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1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
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山鸣张珊
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2012-12-11 10:25
@山鸣张珊
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MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
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2012-12-21 09:54
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MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
10.封装:SOP-8

主要应用:LED 球泡灯/ E27 /GU10.

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山鸣张珊
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2012-12-24 10:01
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MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
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山鸣张珊
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22
2013-02-22 09:31
@山鸣张珊
MT7953(5W以下/高效率/过认证/隔离方案)1.最高输出功率为5W.2.内置1A/600V的MOSFET.3.高效率,输入电压在220V时,3*1W的效率是82.8%.4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负0.5%.5.MT7953内部参考电压为负温度系数,在90度温度下,输出电流会下降约1%,杜绝高温炸机情况发生.6.具有开短路保护,开路功耗

MT7953(5W 以下/高效率/过认证/隔离方案)

1.最高输出功率为 5W.

2.内置 1A/600V 的 MOSFET.

3.高效率,输入电压在 220V 时,3*1W 的效率是 82.8%.

4.全电压(AC85-265V)输入下,输出电流变化率为正负 0.5%.

5.MT7953 内部参考电压为负温度系数,在 90 度温度下,输出电流会下降约 1%,杜绝高温炸机情况发生. 6.具有开短路保护,开路功耗<0.03W,短路功耗<0.05W.

7.MT7953 整板器件为 15 个(内置 2 个高压辅助绕组对地电阻). 8.电源板整体成本在 2.3 元左右,低成本. 9.恒流精度为+/-3%.
10.封装:SOP-8

主要应用:LED 球泡灯/ E27 /GU10.

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