關於mos管溫升問題?怪!(幫忙看看)

我也有此問題,不知那位大俠可以幫幫忙?
我在這裡先謝謝!

你做的电源结构有问题,变压器和FET漏极的杂散电容太大,RCD吸收的快恢复恢复电荷高.杂散电容引起的损耗与FET漏极侧电压平方和电容量成正比.

您能不能說明白點,雜散電容以及RCD電路如何修改?

更改RCD參數,可以解決這個問題嗎?還是要變更其他的?與線路佈局有關嗎?

请问RCD怎么样选择才知道是正确的?

變更D可以改變mos管的溫升,我有做過實驗!但RCD如何配置才合適呢?我設計的是23W SPS I/P85~264VAC,O/P3.3VDC/7A.R為39K,C為472/1KV.D為1N4937.電路用的是比較常見的那種!是否合理還請各位大師分析分析!(溫升現象)1093569396.doc

反激式电源输出7A电流是比较难做,变压器耦合差,漏抗太大,你用示波器测一下FET漏极电压是否过了.

是過高還是過低?

我測試了,在高壓265VAC時為480VDC,我選的MOS管為600V的.波形我用CAD畫出來了.是否有問題?1093640930.doc

老大你量一下VDS看看有多少吧,我看是不少了

你的设计是不是在高电压时,依然工作在CCM模式?应该设计为高压时工作在DCM模式,这样可以有效减小MOS开通的容性损耗.

看一下峰直最高电压.

如果在高压时为DCM模式则MOS管上的关断尖峰电压会更低

請問怎樣設計變壓器才能在低壓是CCM,而在高壓是DCM,SPS可以正常工作?
謝謝

从CCM变化到DCM,有一个临界点.在这个工作电压下,工作于CRM模式,即电流临界连续模式.工作电压低于该点,则为CCM模式,工作电压高于此点,则为DCM模式.当然,这都是在相同的负载条件下所说的.

你這等于沒說﹐上面的兄弟﹐是說從那里可直觀的看到﹐是何种模式﹐又是怎樣去看.

先看点电源基础方面的书再做电源好不好,同志.