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低压12V输入单端反激式DCDC多路输出的设计

大家好,我准备做一个12V输入的单端反激式多路输出DCDC,输出有 8 路,分别为

a+/-15V(共中性点);

b324V18V-8V18V-8V共中性点),供IGBT驱动用;

c24V(不同于前面的24V)。

其中除了上面说到的+/-15V18V8V两两共中性点外,可以分为6小类,均是彼此隔离的输出。

 

【相关技术指标】:

输入电压:12V,(输入范围初步定于8-16V);

功率:45W

控制方式:主反馈为+15V,采用电流峰值控制;

精度要求:电压反馈的+15V那路纹波要求较高,为2%-15V3%;其他路的纹波要求不高;

交叉调整率:负载相对比较稳定,个人觉得交叉调整率的要求不是很高;

 

【其中有些疑问】:

1、有人说高压输入(200-400V)的方案和低压输入相比,变压器的压力比较大,说“低压的要求粗线或者多根并绕,绕线空间的利用率会大大降低。您的看法?

2、电压反馈和峰值电流都会用到电阻分压采样,有人说“如果用电阻采样的话,电阻表示压力很大,建议用互感器。您的看法?

3、关于变压器二次侧的处理,认为8路输出比较多,有人说“其实有条件的情况下做两组二次稳压也不失为一个好办法,因为你的变压器大小主要取决于绕线空间而不是功率要求,用二次稳压来减少两个绕组可能体积和成本都不会上升,布局却可以更灵活。您的看法?

4、初步确定PWM芯片型号为UCC2813您有什么好的建议?

 

【总体规划】:

我是新手,不知如何开始我的工作为好。

我初步工作计划安排为:原理图设计—>器件选型—>仿真—>PCB布板—>实验调试。不知是否可行,还望您给一些建议。

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10227
LV.7
2
2012-08-08 08:36

1.       主因是输入低压时输入电流相对增加,如输出电流也高绕线空间就会减少许多.

2.       因应力考虑,如此低压Ip会很大,如使用电阻采样,电阻功率损耗会变大及发烫,

如使用CT电阻功率损耗变小,低压效率也会增加.

3.       成本及制作复杂度应该是规格需求来判定,这是相辅相成的.

4.       此颣IC太多,主要以价格及所需规格去考虑.

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2012-08-08 11:01
@10227
1.      主因是输入低压时输入电流相对增加,如输出电流也高绕线空间就会减少许多.2.      因应力考虑,如此低压Ip会很大,如使用电阻采样,电阻功率损耗会变大及发烫,如使用CT电阻功率损耗变小,低压效率也会增加.3.      成本及制作复杂度应该是规格需求来判定,这是相辅相成的.4.      此颣IC太多,主要以价格及所需规格去考虑.
谢谢10227团长的详细回复!
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2012-08-11 12:15

2012-8-11补充追问:

1)在设计反激式变压器时,需要电路中主要器件的参数,我想问一下,像MOSFET等器件的参数怎么定啊?有没有详细的资料可以参考参考?现在低压的输入范围定下来了,为8-18V,又被开关管的耐压值和副边整流二极管的耐压值等参数困扰。望各位大侠指点一二。

 

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10227
LV.7
5
2012-08-13 10:10
@yoyo520863
2012-8-11补充追问:(1)在设计反激式变压器时,需要电路中主要器件的参数,我想问一下,像MOSFET等器件的参数怎么定啊?有没有详细的资料可以参考参考?现在低压的输入范围定下来了,为8-18V,又被开关管的耐压值和副边整流二极管的耐压值等参数困扰。望各位大侠指点一二。 

首先确立圈比,计算出初次级开关电压,

不过需实际测量因反激需考虑漏感引起峰值电压,

初级开关选择无非是从Vds,Id,Ron,Ciss,Qg,

Vds,Id为应力考虑, Ron,Ciss,Qg为开关及导通损考虑,

次级开关选择无非是从Vrrm,If(av),Vf,Ir,

Vrrm,If(av)为应力考虑, Vf,Ir为开关及导通损考虑.

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2013-03-12 16:24
@10227
首先确立圈比,计算出初次级开关电压,不过需实际测量因反激需考虑漏感引起峰值电压,初级开关选择无非是从Vds,Id,Ron,Ciss,Qg,Vds,Id为应力考虑,Ron,Ciss,Qg为开关及导通损考虑,次级开关选择无非是从Vrrm,If(av),Vf,Ir,Vrrm,If(av)为应力考虑,Vf,Ir为开关及导通损考虑.
好贴!怎么没大师回复啊!大师坐凳学习。。。
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