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【问】UCC28610疑问

UCC28610是一款全新概念的高可靠性AC-DC小功率反激变换器控制IC,结合了级联式工作,可以使效率,可靠性及系统成本都得到改善。是如何实现的?
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javike
LV.12
2
2012-08-09 11:57

给你个详细资料看看,里面对这个问题讲的很详细:

级联式控制的绿色模式反激变换控制IC 

UCC28610集成的低压MOS开关有90毫欧RSDON,以此检测电流及驱动高压MOSFET强制跟踪快速的内部低压驱动器,

高压MOS中的漏栅充电不影响关断速度,因为栅极接到一个低阻抗的直流源,级联结构以非常快的速度关断HVMOSFET,使其开关损耗降低。

级联驱动电路对高速电压增益是很好的,这种拓朴能有超过100MHZ的小信号带宽,并展示出高频振铃,

高频振铃会导致EMI问题,在某些场合形成破坏性,次间隔期间会立即跟随的开和关的瞬态,

尤其是易感染振荡。为防止或解决此问题,见应用部分:解决高频振铃。

级联拓朴执行唯一的起动顺序,其快速而低损耗从AC线路或整流滤波的AC线路起动,

偏置用一个低水平的流出电流。如图5,这个电流给一个小VGG电容充电(CVGG)。

并上升到高压MOS的栅极,VGG端在此时段将典型地驱动大约6微安电流。

允许BULK偏置电流很小,给VGG电容充电,高压MOSFET作为源极跟随器,

一旦VGG达到HVMOSFET的阈值电压,则HVMOSFETDRV电压带起来,

VGG继续上升,在此期间UCC28610处在UVLO及使能PWM信号为低,

于是开启VDD开关将VDD接到DRV,允许VDDHVMOSFET的源极上升,

并给CDD充电,一个外部的肖特基二极管D1需接在DRVVDD之间,

这个二极管旁路潜在的高开关电流,除非流过内部VDD开关的体二极管。

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2012-08-09 12:02

这个是内部实现了,如果你要去做芯片,可以深入研究。呵呵。

它应该是通过检测磁复位来实现的。

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zvszcs
LV.12
4
2012-08-09 12:24
@yangyixian
这个是内部实现了,如果你要去做芯片,可以深入研究。呵呵。它应该是通过检测磁复位来实现的。

UCC28610 使 AC / DC 消费产品电源解决方案的性能和可靠性达到了一个新的水平。

一种 PWM 调制算法用于调整开关频率和初级电流 (primary current),并在整个工作范围内保持不连续或转换模式操作。 通过与一种共发-共基放大器架构相结合,这些创新较之传统的反激式架构在效率、可靠性及系统成本方面实现了改进。

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2012-08-09 12:33
@zvszcs
UCC28610使AC/DC消费产品电源解决方案的性能和可靠性达到了一个新的水平。一种PWM调制算法用于调整开关频率和初级电流(primarycurrent),并在整个工作范围内保持不连续或转换模式操作。通过与一种共发-共基放大器架构相结合,这些创新较之传统的反激式架构在效率、可靠性及系统成本方面实现了改进。
  • 共发-共基放大器配置可实现完全集成的电流控制方案,无需使用外部检测电阻器
  • 利用共发-共基放大器配置 (cascode configuration) 实现了快速启动和低待机功耗
  • 用于在整个工作范围内实现最优效率的频率及峰值电流调制
  • 绿色环保模式 (GM) 突发开关脉冲群改善了无负载时的效率
  • 高级过流保护功能可限制 RMS 输入及输出电流
  • 芯片手册是最好的解释资料了~绿色环保模式反激式控制器 

     

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    aczg01987
    LV.10
    6
    2012-08-09 12:43
    @javike
    给你个详细资料看看,里面对这个问题讲的很详细:[图片]级联式控制的绿色模式反激变换控制IC UCC28610集成的低压MOS开关有90毫欧RSDON,以此检测电流及驱动高压MOSFET,强制跟踪快速的内部低压驱动器,高压MOS中的漏栅充电不影响关断速度,因为栅极接到一个低阻抗的直流源,级联结构以非常快的速度关断HVMOSFET,使其开关损耗降低。级联驱动电路对高速电压增益是很好的,这种拓朴能有超过100MHZ的小信号带宽,并展示出高频振铃,高频振铃会导致EMI问题,在某些场合形成破坏性,次间隔期间会立即跟随的开和关的瞬态,尤其是易感染振荡。为防止或解决此问题,见应用部分:解决高频振铃。级联拓朴执行唯一的起动顺序,其快速而低损耗从AC线路或整流滤波的AC线路起动,偏置用一个低水平的流出电流。如图5,这个电流给一个小VGG电容充电(CVGG)。并上升到高压MOS的栅极,VGG端在此时段将典型地驱动大约6微安电流。允许BULK偏置电流很小,给VGG电容充电,高压MOSFET作为源极跟随器,一旦VGG达到HVMOSFET的阈值电压,则HVMOSFET将DRV电压带起来,随VGG继续上升,在此期间UCC28610处在UVLO及使能PWM信号为低,于是开启VDD开关将VDD接到DRV,允许VDD随HVMOSFET的源极上升,并给CDD充电,一个外部的肖特基二极管D1需接在DRV和VDD之间,这个二极管旁路潜在的高开关电流,除非流过内部VDD开关的体二极管。
    黄工每次都不给一点机会让我们拿金牌,黄工的帖子永远那么的给力
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