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MOS管温升过高

SN03A+358单级PFC，输出功率35W，MOS管7N65加散热片，180V以上输入电压时各点温升正常，35-40度。90V输入时，MOS温升翻倍。降低频率为40KHZ（90V），占空比0.42（90V）均没改善。请教大侠还有什么办法改善。？
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xiaoliangyl
LV.3
2
2012-08-17 10:26
看下MOS管的工作波形有没异常
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dianyuanaihao
LV.5
3
2012-08-17 10:51
 
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dianyuanaihao
LV.5
4
2012-08-17 10:53
这是90V时的DS波。除了振荡稍长，没什么问题。实测初级峰值电流2.8A（90V）
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xiaoliangyl
LV.3
5
2012-08-17 11:01
@dianyuanaihao
这是90V时的DS波。除了振荡稍长，没什么问题。实测初级峰值电流2.8A（90V）
那有可能是你的MOS管内阻比较大，散热片比较小，造成恶性循环
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zhangjiang
LV.4
6
2012-08-17 11:14
@dianyuanaihao
这是90V时的DS波。除了振荡稍长，没什么问题。实测初级峰值电流2.8A（90V）

建议,调整驱动电阻,你那开通电阻可以用大点20/30 OHM,关闭电阻用小点、,这样可以减少开关损耗 10 OHM ,可以试下. 这个参数只是建议举例,可要根据不同的MOS 参数要做调整.

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dianyuanaihao
LV.5
7
2012-08-17 11:15
@xiaoliangyl
那有可能是你的MOS管内阻比较大，散热片比较小，造成恶性循环
应该不至于在高压和低压时差这么多，220V时温升35度左右，90V却有60多度温升。低压时输入电流是会大些，但频率会降低。
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dianyuanaihao
LV.5
8
2012-08-17 11:18
@zhangjiang
建议,调整驱动电阻,你那开通电阻可以用大点20/30OHM,关闭电阻用小点、,这样可以减少开关损耗10OHM,可以试下.这个参数只是建议举例,可要根据不同的MOS参数要做调整.
没什么效果，现在开通用47R，关断没有，只并一个二极管。再说这也不能太小，要过EMI的。
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xiaoliangyl
LV.3
9
2012-08-17 11:34
@dianyuanaihao
应该不至于在高压和低压时差这么多，220V时温升35度左右，90V却有60多度温升。低压时输入电流是会大些，但频率会降低。
低压输入电流翻倍了，这时候你降低开关频率只是轻微减少开关损耗而已，但导通损耗主要跟内阻有关，而且温度越高损耗就越大
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czlann
LV.5
10
2012-08-17 11:44
@dianyuanaihao
没什么效果，现在开通用47R，关断没有，只并一个二极管。再说这也不能太小，要过EMI的。

把你的原理图和变压器贴上来就知道什么原因了

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czlann
LV.5
11
2012-08-17 11:47
@czlann
把你的原理图和变压器贴上来就知道什么原因了
看你的VDS波形，要么就是输出是低压大电流要么就是变压器漏感太大或者是吸收还是别的地方有问题
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dianyuanaihao
LV.5
12
2012-08-17 15:14
@czlann
看你的VDS波形，要么就是输出是低压大电流要么就是变压器漏感太大或者是吸收还是别的地方有问题
输出50V-700mA/漏感只有1.6%。感量510uH 
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czlann
LV.5
13
2012-08-17 17:29
@dianyuanaihao
输出50V-700mA/漏感只有1.6%。感量510uH[图片] 

初次级的匝数是多少？

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dianyuanaihao
LV.5
14
2012-08-19 10:44
@czlann
初次级的匝数是多少？
初级44T，次级22T。电感510uH,PQ2620.
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nbdy
LV.2
15
2012-08-20 17:22
@dianyuanaihao
初级44T，次级22T。电感510uH,PQ2620.
Hi, looks like higher temperature rise at 90Vac is mainly due to longer turn-on time of NMOSFET. It may be helpful by increasing the turn ratio of transformer to 4 (primary side 44T, secondary side: 11T). In this case, turn-on time is shorter with increasing switching frequency. Good luck! 
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lh6164
LV.4
16
2012-08-20 23:13
@dianyuanaihao
这是90V时的DS波。除了振荡稍长，没什么问题。实测初级峰值电流2.8A（90V）

R3 、Ce1小点试试，小弟同样新手

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czlann
LV.5
17
2012-08-21 11:08
@dianyuanaihao
初级44T，次级22T。电感510uH,PQ2620.

你的变压器设计没有太大的问题，你可以看看VDS波形有没有振荡，如果也很好的话，你可以试一下，把次级减少二圈，把次级二极管换成一个SF56电流和电压都够了，（用二个二极直接并联不太好，有时会有EMC或者是别的问题）这样MOS的温度会好一些，但是能下来多少，只能去试了，如果还不行，只能换更低内阻的MOS了，祝你好运

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czlann
LV.5
18
2012-08-21 11:24
@nbdy
Hi,lookslikehighertemperatureriseat90Vacismainlyduetolongerturn-ontimeofNMOSFET.Itmaybehelpfulbyincreasingtheturnratiooftransformerto4(primaryside44T,secondaryside:11T). Inthiscase,turn-ontimeisshorterwithincreasingswitchingfrequency.Goodluck! 

NBDY兄，如果你把匝比改为44：11的话会有以下几个问题：

1.输出为50V/0.7A那么VOR就有200V了

2.匝比太大会导致漏感大，那么MSO尖峰就高了，保守一点先算它100V

3.VOR太大也就是占空太大，芯片会工作不太正常，（虽然是临界模式的）

4.输入264V的时候MOS的VDS大约为(尖峰按100V)675V，如果是短路的话可能会更高，这样的话得用800V或更高耐压的MOS，成本会上升，而且MOS耐压越高导通电阻就越大

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nbdy
LV.2
19
2012-08-22 18:53
@czlann
NBDY兄，如果你把匝比改为44：11的话会有以下几个问题：1.输出为50V/0.7A那么VOR就有200V了2.匝比太大会导致漏感大，那么MSO尖峰就高了，保守一点先算它100V3.VOR太大也就是占空太大，芯片会工作不太正常，（虽然是临界模式的）4.输入264V的时候MOS的VDS大约为(尖峰按100V)675V，如果是短路的话可能会更高，这样的话得用800V或更高耐压的MOS，成本会上升，而且MOS耐压越高导通电阻就越大
Have you solved the issue? At 90Vac, it operates at CCM possiblely. By increasing transformer ratio or reducing primary inductance , it is possible to get the system back to DCM operation, and T rise could be reduced for the MOSFET. 
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dianyuanaihao
LV.5
20
2012-08-23 13:39
换用12N65的MOS管，温度下来十几度。谢谢大家的回答！
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