SiC开关管的开关损耗为什么较低？

SIC二极管的正向压降不小呢，只是反向回复时间理论上位0

上点资料学习一下碳化硅二极管特性研究 

这个是电源网论坛里面的网站，可以看看http://bbs.dianyuan.com/topic/681849

SIC用在频率较高电路中的损耗主要是反向恢复时间问题。

SiC的电子迁移率低，所以，正向导通电组较大，但肖特基二极管已经做到1.5V以下了，这和器件设计有关，可以改进的。其他参数都有很大的改善。

关于MOSFET，同样的问题，但是，任何器件都有应用范围，能提供你的要求吗？

SiC MOSFET的应用优势是在高温下，高频率，高电压的场合。并且，现在的SiC MOSFET在大电流方面还有一些技术问题。

另外，建议大家去尝试一下，里面还有很多问题需要解决，我们共同努力吧。

其实你应该这样理解，sic能级比较高，所以低压时损耗反而大。

但是对于高压，他就不需要那么厚的层来耐压。

所以高耐压的产品中，其导通损耗反而低。

至于开关损耗，也是由于高能级带来的好处

SiC MOS降低的主要是开关损耗而不是导通损耗。

SiC MOS的开关频率比IGBT高，同时在关断时，IGBT有拖尾现象，关断很慢，从而导致IGBT的开关速度上不去，基本在10K左右，不超过20K，损耗很高。而SiC mos的关断速度比较快。

相比普通MOS的优势是高压情况下。SIC MOS的导通电阻会低很多。

请dx们指正。